【技术实现步骤摘要】
本申请属于显示，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、在显示
中，薄膜晶体管(thinfilm transistor，简称tft)作为核心结构备受关注。目前，薄膜晶体管主要包括衬底、栅极、有源层、漏极和源极，有源层多采用氧化物半导体材料，沟道迁移率不满足高亮度的需求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供阵列基板和显示面板，以解决现有的薄膜晶体管迁移率低的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括衬底、以及阵列设置于所述衬底的薄膜晶体管至少包括栅极、源极、漏极以及有源层；
3、其中，有源层包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层和导体层，导体层设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述源极和所述漏极电性连接所述第一半导体层或所述第二半导体层。
4、可选的，所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括金属氧化物半导体材料；
5、和/或，所述导体层的材料包括金属导体材料或透明金属氧化物导体材料。
6、可选的，在所述有源层的层叠方向上，所述第一半导体层靠近所述导体层的一侧的氧掺杂浓度低于所述第一半导体层的相对另一侧的氧掺杂浓度。
7、可选的，在所述有源层的层叠方向上，所述第二半导体层靠近所述导体层的一侧的氧掺杂浓度低于所述第二半导体层的相对另一侧的氧掺杂浓度。
8、可选的，所述第一半导体层包括多层层叠设置的金属氧化物半导体材料层，所述第二半导体层包括多层层叠设置的金属氧化物
9、可选的，向背离所述导体层的方向，所述第一半导体层的各层所述金属氧化物半导体材料层的氧掺杂浓度逐渐降低；和/或，向背离所述导体层的方向，所述第二半导体层，各层所述金属氧化物半导体材料层的氧掺杂浓度逐渐降低。
10、可选的，所述第一半导体层中相邻的所述金属氧化物半导体材料层包含至少一种相同元素；
11、和/或，所述第二半导体层中相邻的所述金属氧化物半导体材料层包含至少一种相同元素；
12、和/或，所述第一半导体层中与所述导体层相邻的所述金属氧化物半导体材料层，与所述导体层包含至少一种相同元素；
13、和/或，所述第二半导体层中与所述导体层相邻的所述金属氧化物半导体材料层，与所述导体层包含至少一种相同元素。
14、可选的，所述第一半导体层与所述导体层包含至少一种相同元素；
15、和/或，所述第二半导体与所述导体层包含至少一种相同元素。
16、可选的，所述源极和所述漏极与所述第一半导体层电性接触，所述第一半导体层设置有导体部，所述源极和所述漏极与所述导体部电性接触，且所述导体部的厚度小于所述第一半导体层的厚度；
17、或，所述源极和所述漏极与所述第二半导体层电性接触，所述第二半导体层设置有导体部，所述源极和所述漏极与所述导体部电性接触，所述导体部的厚度小于所述第二半导体层的厚度。
18、本申请实施例提供的阵列基板和显示面板，包括衬底、以及阵列设置于衬底上的薄膜晶体发，薄膜晶体管至少包括栅极、源极、漏极以及有源层，其中，有源层包括第一半导体层、第二半导体层和导体层，导体层设置于第一半导体层和第二半导体层之间，导体层作为量子阱约束电子，可以使由栅极电压吸引集中的电子更容易从源极流向漏极，提高了电子迁移率，克服了现有的薄膜晶体管迁移率低的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、以及阵列设置于所述衬底上的薄膜晶体管；
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括金属氧化物半导体材料；
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述有源层的层叠方向上，所述第一半导体层靠近所述导体层的一侧的氧掺杂浓度低于所述第一半导体层的相对另一侧的氧掺杂浓度。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述有源层的层叠方向上，所述第二半导体层靠近所述导体层的一侧的氧掺杂浓度低于所述第二半导体层的相对另一侧的氧掺杂浓度。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层包括多层层叠设置的金属氧化物材料层，所述第二半导体层包括多层层叠设置的金属氧化物半导体材料层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，向背离所述导体层的方向，所述第一半导体层的各层所述金属氧化物半导体材料层的氧掺杂浓度逐渐降低；和/或，向背离所述导体层的方向，所述第二半导体层的各层所述金属氧化物半导体材料层的氧掺杂浓度逐渐降低。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、以及阵列设置于所述衬底上的薄膜晶体管；
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括金属氧化物半导体材料；
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述有源层的层叠方向上，所述第一半导体层靠近所述导体层的一侧的氧掺杂浓度低于所述第一半导体层的相对另一侧的氧掺杂浓度。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述有源层的层叠方向上，所述第二半导体层靠近所述导体层的一侧的氧掺杂浓度低于所述第二半导体层的相对另一侧的氧掺杂浓度。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层包括多层层叠设置的金属氧化物材料层，所述第二半导体层包括多层层叠设置的金属氧化物半导体材料层。
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李云龙，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。