【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种透射电镜样品定位制备方法，可应用于材料科学的基础研究。
技术介绍
1、聚焦离子束制样技术是纳米尺度加工方面最具代表性的制样手段，利用聚焦离子束与扫描电镜结合的双束系统，可同时实现高精度的微纳加工和高空间分辨率的实时成像。该技术通过电磁透镜将高能离子束聚焦，通过原子尺度的物理碰撞实现对样品指定区域的剥离，同时与扫描电镜相结合，可实现样品微区观察和制样的同步进行。当待观测目标区域较小时，由于预加工完成后的中间样品厚度在1.5-2um，该厚度是最终透射电镜样品厚度的几十倍，再加上预加工后的中间样品在减薄方向上没有任何可供减薄工艺参考的参考点位，因此在减薄工艺中可能会导致目标观测结构部分甚至全部被切掉，使得最终样品不含目标观测结构，导致制样失败。
技术实现思路
1、为了克服上述缺陷，本专利技术提供了一种透射电镜样品定位制备方法，该方法能够精准提取含有目标观测结构的样品，提高制样成品率。
2、本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术实施...
【技术保护点】
1.一种透射电镜样品定位制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在沉积第一标记层之后，沉积第二保护层之前，还包括沉积第三保护层的步骤，所述第三保护层覆盖所述第一标记层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在沉积第三保护层之后，沉积第二保护层之前，还包括沉积第二标记层的步骤，所述第二标记层覆盖所述第三保护层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多个标记图形为多对长度不同的条形图。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述多个标记图形在减薄方向...
【技术特征摘要】
1.一种透射电镜样品定位制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在沉积第一标记层之后，沉积第二保护层之前，还包括沉积第三保护层的步骤，所述第三保护层覆盖所述第一标记层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在沉积第三保护层之后，沉积第二保护层之前，还包括沉积第二标记层的步骤，所述第二标记层覆盖所述第三保护层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多个标记图形为多对长度不同的条形图。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述多个标记图形在减薄方向上的长度范围为大于等于50nm小于等于1000nm。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨振中，张建伟，王号南，冯晓钰，屈可，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：
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