【技术实现步骤摘要】
本涉及存储器单元读取操作技术。
技术介绍
1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储。例如，二元存储器单元可被编程为两种所支持状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，所述状态中的任何一者可被存储。为了存取所存储信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储在存储器装置中的状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入(例如，编程、设置、指派)状态。
2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等等。存储器单元可按照易失性配置或非易失性配置来描述。即使在缺乏外部电源...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第二起始电压包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述第二起始电压包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述电压偏移包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述电压偏移至少部分地基于与所述第一电压序列相关联的步长。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述电压偏移至少部分地基于包括所述一组存储器单元的存储器装置的温度。
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述电压偏移至少部分地基于所述终止电压的量值。
8....
【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第二起始电压包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述第二起始电压包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述电压偏移包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述电压偏移至少部分地基于与所述第一电压序列相关联的步长。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述电压偏移至少部分地基于包括所述一组存储器单元的存储器装置的温度。
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述电压偏移至少部分地基于所述终止电压的量值。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压序列的数量大于所述第二电压序列的数量。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二起始电压的所述量值大于所述第一起始电压的所述量值。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一极性对应于正电压且所述第二极性对应于负电压。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组存储器单元包括经配置以存储三种逻辑状态中的一者的三元存储器单元。
13.一种设备，其包括：
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述逻辑进一步经...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·穆泽托，F·马斯特罗扬尼，F·贝代斯基，N·N·加杰拉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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