System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器单元读取操作技术制造技术_技高网

存储器单元读取操作技术制造技术

技术编号:40271737 阅读:8 留言:0更新日期:2024-02-02 22:57
本申请涉及存储器单元读取操作技术。存储器装置可确定对一组存储器单元的读取操作的第二阶段的起始电压,所述起始电压可具有与所述读取操作的第一阶段的起始电压的量值不同的量值。例如,所述存储器装置可使用所述第一阶段的终止电压来确定所述第二阶段的所述起始电压。在一些情况下,所述第二阶段的所述起始电压可对应于电压偏移与所述第一阶段的所述终止电压的差。作为所述读取操作的所述第二阶段的部分,所述存储器装置可根据所述第二阶段的所述经确定起始电压将电压序列施加到所述一组存储器单元。

【技术实现步骤摘要】

本涉及存储器单元读取操作技术


技术介绍

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储。例如,二元存储器单元可被编程为两种所支持状态中的一者,通常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两种状态,所述状态中的任何一者可被存储。为了存取所存储信息,组件可读取(例如,感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储在存储器装置中的状态。为了存储信息,组件可在存储器装置中写入(例如,编程、设置、指派)状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等等。存储器单元可按照易失性配置或非易失性配置来描述。即使在缺乏外部电源的情况下,以非易失性配置所配置的存储器单元也可长时间维持所存储逻辑状态。当与外部电源断开连接时,以易失性配置进行配置的存储器单元可能丢失经存储状态。


技术实现思路

1、描述一种方法。所述方法可包含:作为对一组存储器单元的读取操作的第一阶段的部分,将具有第一极性的第一电压序列施加到所述一组存储器单元,所述第一电压序列与第一起始电压相关联;至少部分地基于所述第一电压序列中的终止电压,确定与具有第二极性的第二电压序列相关联的第二起始电压,所述第二起始电压具有与所述第一起始电压的量值不同的量值;及作为所述读取操作的第二阶段的部分,根据所述第二起始电压将所述第二电压序列施加到所述一组存储器单元。

2、描述一种设备。所述设备可包含:控制器;存储器单元阵列;及逻辑,其与所述控制器耦合,所述逻辑经配置以:作为对所述存储器单元阵列的读取操作的第一阶段的部分,确定与所述读取操作的所述第一阶段相关联的第一电压序列中的第一起始电压,所述第一电压序列具有第一极性;作为所述读取操作的所述第一阶段的部分,输出用于施加到所述存储器单元阵列的所述第一起始电压的指示;作为所述读取操作的第二阶段的部分且至少部分地基于所述第一电压序列中的终止电压,确定与具有第二极性的第二电压序列相关联的第二起始电压,所述第二起始电压具有与所述第一起始电压的量值不同的量值;及作为所述读取操作的所述第二阶段的部分,输出用于施加到所述存储器单元阵列的所述第二起始电压的指示。

3、描述一种设备。所述设备可包含:一组存储器单元;及控制器,其经配置以致使所述设备进行以下动作:作为对所述一组存储器单元的读取操作的第一阶段的部分,将具有第一极性的第一电压序列施加到所述一组存储器单元,所述第一电压序列与第一起始电压相关联;至少部分地基于所述第一电压序列中的终止电压,确定与具有第二极性的第二电压序列相关联的第二起始电压,所述第二起始电压具有与所述第一起始电压的量值不同的量值;及作为所述读取操作的第二阶段的部分,根据所述第二起始电压将所述第二电压序列施加到所述一组存储器单元。

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【技术保护点】

1.一种方法,其包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述第二起始电压包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述第二起始电压包括:

4.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述电压偏移包括:

5.根据权利要求2所述的方法,其中所述电压偏移至少部分地基于与所述第一电压序列相关联的步长。

6.根据权利要求2所述的方法,其中所述电压偏移至少部分地基于包括所述一组存储器单元的存储器装置的温度。

7.根据权利要求2所述的方法,其中所述电压偏移至少部分地基于所述终止电压的量值。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一电压序列的数量大于所述第二电压序列的数量。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二起始电压的所述量值大于所述第一起始电压的所述量值。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一极性对应于正电压且所述第二极性对应于负电压。

12.根据权利要求1所述的方法,其中所述一组存储器单元包括经配置以存储三种逻辑状态中的一者的三元存储器单元。

13.一种设备,其包括:

14.根据权利要求13所述的设备,其中所述逻辑进一步经配置以:

15.根据权利要求13所述的设备,其中所述逻辑包括:

16.根据权利要求15所述的设备,其进一步包括一组寄存器,所述一组寄存器与确定与所述读取操作的阶段相关联的电压序列中的电压相关联,其中所述逻辑进一步经配置以:

17.根据权利要求15所述的设备,其中所述逻辑进一步包括:

18.根据权利要求17所述的设备,其中所述逻辑进一步包括第三逻辑,所述第三逻辑经配置以:

19.一种设备,其包括:

20.根据权利要求19所述的设备,其中为了确定所述第二起始电压,所述控制器经配置以致使所述设备进行以下动作:

21.根据权利要求20所述的设备,其中为了确定所述第二起始电压,所述控制器经配置以致使所述设备进行以下动作:

22.根据权利要求20所述的设备,其中为了确定所述电压偏移,所述控制器经配置以致使所述设备进行以下动作:

23.根据权利要求20所述的设备,其中所述电压偏移至少部分地基于与所述第一电压序列相关联的步长。

24.根据权利要求20所述的设备,其中所述电压偏移至少部分地基于包括所述一组存储器单元的存储器装置的温度。

25.根据权利要求20所述的设备,其中所述电压偏移至少部分地基于所述终止电压的量值。

...

【技术特征摘要】

1.一种方法,其包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述第二起始电压包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述第二起始电压包括:

4.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述电压偏移包括:

5.根据权利要求2所述的方法,其中所述电压偏移至少部分地基于与所述第一电压序列相关联的步长。

6.根据权利要求2所述的方法,其中所述电压偏移至少部分地基于包括所述一组存储器单元的存储器装置的温度。

7.根据权利要求2所述的方法,其中所述电压偏移至少部分地基于所述终止电压的量值。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一电压序列的数量大于所述第二电压序列的数量。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二起始电压的所述量值大于所述第一起始电压的所述量值。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一极性对应于正电压且所述第二极性对应于负电压。

12.根据权利要求1所述的方法,其中所述一组存储器单元包括经配置以存储三种逻辑状态中的一者的三元存储器单元。

13.一种设备,其包括:

14.根据权利要求13所述的设备,其中所述逻辑进一步经...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·穆泽托F·马斯特罗扬尼F·贝代斯基N·N·加杰拉
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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