【技术实现步骤摘要】
各种示例实施方式涉及半导体器件。更具体地，一个或更多个示例实施方式涉及包括对准键图案和/或测试元件组(teg)图案的半导体器件、包括该半导体器件的系统和/或制造该半导体器件的方法等。
技术介绍
1、为了减小用于制造半导体器件的基板的不期望的和/或不必要的面积，可以各种各样地开发半导体芯片的布局。为了在一个基板中形成更多的半导体芯片，可能期望和/或需要改善和/或优化形成在基板上的元件的布局。
技术实现思路
1、各种示例实施方式提供了包括对准键图案和测试元件组(teg)图案的半导体器件、包括该半导体器件的系统和/或制造该半导体器件的方法等。
2、各种示例实施方式提供了包括对准键图案和测试元件组(teg)图案的半导体芯片等。
3、根据一些示例实施方式，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括在基板上的多个芯片区域、在基板上围绕所述多个芯片区域中的每个的至少一个划道、包括在所述多个芯片区域中的多个第一对准键图案和多个第一测试元件组(teg)图案、以及包括在所述至少一个划道中的多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案。
4、根据一些示例实施方式，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：多个单元器件；基板的照射组，照射组包括多个芯片区域，照射组具有在光刻工艺中被单次照射覆盖的区域；包括在每个芯片区域中的第一区域，第一区域包括多个第一对准键图案和多个第一测试元件组图案中的至少一个；以及包括在每个芯片区域中的主区域，主区域包括单元器件，包括在照射组的芯片
5、根据一些示例实施方式，提供了一种半导体芯片。该半导体芯片可以包括：多个单元器件；芯片区域；围绕芯片区域的至少一个划道；包括在芯片区域中的第一区域，第一区域包括多个第一对准键图案和多个第一测试元件组图案；以及包括在芯片区域中的主区域，主区域包括所述多个单元器件。
6、在一些示例实施方式中，第一对准键图案和第一teg图案可以被包括在半导体器件的芯片区域中。因此，在制造半导体器件中使用的所有对准键图案和teg图案可以被包括在照射组内。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域在每个所述芯片区域内的相同位置。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域具有围绕每个所述芯片区域的至少一个边缘的矩形环形状。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域在每个所述芯片区域内的内边缘的拐角处。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括多个单元器件，所述多个单元器件被包括在每个所述芯片区域中的主区域中，所述主区域不同于每个所述芯片区域中的所述第一区域。
10.一种半导体器件，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述至少一个划道包括多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案中的至少一个。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中每个所述芯片区域包括所述多个第一对准键图案和所述多个第一测试元件组图案。
14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中
15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一区域在每个所述芯片区域内的任意位置。
16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一区域在每个所述芯片区域内的相同位置。
17.一种半导体芯片，包括：
18.根据权利要求17所述的半导体芯片，其中所述至少一个划道包括多个第二对准键图案的切割部分和多个第二测试元件组图案的切割部分中的至少一个。
19.根据权利要求17所述的半导体芯片，其中所述至少一个划道不包括多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案。
20.根据权利要求17所述的半导体芯片，其中所述第一区域在所述芯片区域内的任意位置。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域在每个所述芯片区域内的相同位置。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域具有围绕每个所述芯片区域的至少一个边缘的矩形环形状。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域在每个所述芯片区域内的内边缘的拐角处。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括多个单元器件，所述多个单元器件被包括在每个所述芯片区域中的主区域中，所述主区域不同于每个所述芯片区域中的所述第一区域。
10.一种半导体器件，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述至少一个划道包括多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案中的至少一个。...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔智旻，慎重垣，禹盛允，李瑌真，李钟旼，黄世现，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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