【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、当电流通过线圈后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。电感是描述由于线圈电流变化，在本线圈中或在另一线圈中引起感应电动势效应的电路参数。在集成电路中，电感可以起到滤波、振荡、延迟和陷波等作用。随着技术的发展和摩尔定律的极限逼近，对芯片系统集成度的要求也越来越高。芯片系统的较高集成度要求整个系统也具备更高的电流值。因此芯片性能受到系统集成度的限制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构及其制造方法，有效地且高密度地集成了大电感和芯片，有利于提升芯片性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种芯片封装结构，包括：
4、工作芯片，所述工作芯片中设置接触孔，且所述接触孔贯穿所述工作芯片；
5、电源接触凸片，设置于所述工作芯片上，所述电源接触凸片覆盖所述接触孔的端面，...
【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括多个第一导流部，其中，沿所述电感片的长度方向，多个所述第一导流部呈等距阵列分布。
3.根据权利要求2所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括第一接触部，所述第一接触部连接于所述第一导流部的端部，且所述第一接触部连接于所述深沟槽结构。
4.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一接触部有多个，且多个所述第一接触部按列分布，其中在行方向上，相邻列的所述第一接触部交错设置。
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括多个第一导流部，其中，沿所述电感片的长度方向，多个所述第一导流部呈等距阵列分布。
3.根据权利要求2所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括第一接触部，所述第一接触部连接于所述第一导流部的端部，且所述第一接触部连接于所述深沟槽结构。
4.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一接触部有多个，且多个所述第一接触部按列分布，其中在行方向上，相邻列的所述第一接触部交错设置。
5.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括电感接触凸片，所述电感接触凸片连接于所述电感片的第一面，所述电感接触凸片连接于所述第一接触部和所述深沟槽结构，且所述电感接触凸片连接于所述电源接触凸片。
...【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，田陌晨，温德鑫，祝俊东，
申请(专利权)人：奇异摩尔上海集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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