【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、当电流通过线圈后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。电感是描述由于线圈电流变化，在本线圈中或在另一线圈中引起感应电动势效应的电路参数。在集成电路中，电感可以起到滤波、振荡、延迟和陷波等作用。随着技术的发展和摩尔定律的极限逼近，对芯片系统集成度的要求也越来越高。芯片系统的较高集成度要求整个系统也具备更高的电流值。因此芯片性能受到系统集成度的限制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构及其制造方法，有效地且高密度地集成了大电感和芯片，有利于提升芯片性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种芯片封装结构，包括：
4、工作芯片，所述工作芯片中设置接触孔，且所述接触孔贯穿所述工作芯片；
5、电源接触凸片，设置于所述工作芯片上，所述电源接触凸片覆盖所述接触孔的端面，其中所述电源接触凸片电性连接于所述工作芯片的电源电路，且所述电源接触凸片与所述电源电路的输入输出接口电性连接；
6、电感片，设置在所述工作芯片上，所述电感片中设置深沟槽结构；
7、第一金属层，连接于所述电感片的第一面，且所述第一金属层连接于所述深沟槽结构的一端，所述第一金属层与电源接触凸片电性连接；以及
8、第二金属层，连接于所述电感片的第二面，所述第二金属层连
9、在本专利技术一实施例中，所述第一金属层包括多个第一导流部，其中，沿所述电感片的长度方向，多个所述第一导流部呈等距阵列分布。
10、在本专利技术一实施例中，所述第一金属层包括第一接触部，所述第一接触部连接于所述第一导流部的端部，且所述第一接触部连接于所述深沟槽结构。
11、在本专利技术一实施例中，所述第一接触部有多个，且多个所述第一接触部按列分布，其中在行方向上，相邻列的所述第一接触部交错设置。
12、在本专利技术一实施例中，所述芯片封装结构包括电感接触凸片，所述电感接触凸片连接于所述电感片的第一面，所述电感接触凸片连接于所述第一接触部和所述深沟槽结构，且所述电感接触凸片连接于所述电源接触凸片。
13、在本专利技术一实施例中，所述电感接触凸片和所述第一金属层位于同一层级。
14、在本专利技术一实施例中，所述芯片封装结构包括电流路径，所述电流路径为所述电感接触凸片、所述第一金属层、所述深沟槽结构、所述第二金属层和另一所述电感接触凸片。
15、在本专利技术一实施例中，所述第二金属层包括多个第二导流部，多个所述第二导流部平行等距分布，其中所述第二导流部和所述第一导流部关于所述深沟槽结构的中轴线对称。
16、在本专利技术一实施例中，所述第二金属层包括第二接触部，所述第二接触部连接于所述第二导流部的端部和所述深沟槽结构，所述第二接触部在所述第一金属层上的正投影与所述第一接触部重叠。
17、本专利技术提供了一种芯片封装结构的制造方法，包括以下步骤：
18、提供一工作芯片，形成接触孔于所述工作芯片中，其中所述接触孔贯穿所述工作芯片；
19、形成电源接触凸片于所述工作芯片上，所述电源接触凸片覆盖所述接触孔的端面，且所述电源接触凸片电性连接于所述工作芯片的电源电路，其中所述电源接触凸片与所述电源电路的输入输出接口电性连接；
20、提供一电感片，形成深沟槽结构于所述电感片中；
21、形成第一金属层和电感接触凸片于电感片的第一面，所述第一金属层连接于所述深沟槽结构的一端，所述第一金属层与电源接触凸片电性连接；
22、键合连接所述电感片和所述工作芯片，以及所述电感接触凸片和所述电源接触凸片；以及
23、减薄所述电感片，并形成第二金属层于所述电感片的第二面，其中所述第二金属层连接于所述深沟槽结构的另一端，且所述第二金属层连接于所述深沟槽结构的另一端，其中所述第二金属层在所述第一金属层上具有正投影，所述正投影的端部与所述第一金属层的端部重叠。
24、如上所述，本专利技术提供了一种芯片封装结构及其制造方法，将芯片和电感器在三维方向上进行堆叠集成，从而将大电感集成到集成电路系统中，以提升集成电路的工作效率。本专利技术提供的芯片封装结构及其制造方法，对集成电路的占用面积更低，能够适应芯片的关键尺寸越来越小的发展趋势，有利于打破摩尔定律的封锁，提升单位面积内芯片的工作效率，增加单位面积内芯片的功能，从而提升器件的工作性能。根据本专利技术提供的芯片封装结构，能够集成单层的电感结构，集成度高，在单位面积内的制程良率高，在集成大电感的同时，有利于提升芯片的集成度，从而提升芯片性能。并且，本专利技术通过调螺纹的宽度和长度来调整电感量。且电感器直接连接于芯片，能够提升电感器乃至集成电路的电气效率。并且，根据本专利技术提供的芯片封装结构及其制造方法，能够实现晶圆级别的封装，有利于实现批量封装，封装效率高，且封装良率高。
25、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括多个第一导流部，其中，沿所述电感片的长度方向，多个所述第一导流部呈等距阵列分布。
3.根据权利要求2所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括第一接触部，所述第一接触部连接于所述第一导流部的端部，且所述第一接触部连接于所述深沟槽结构。
4.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一接触部有多个，且多个所述第一接触部按列分布，其中在行方向上，相邻列的所述第一接触部交错设置。
5.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括电感接触凸片，所述电感接触凸片连接于所述电感片的第一面，所述电感接触凸片连接于所述第一接触部和所述深沟槽结构，且所述电感接触凸片连接于所述电源接触凸片。
6.根据权利要求5所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述电感接触凸片和所述第一金属层位于同一层级。
7.根据权利要求5所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括
8.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第二金属层包括多个第二导流部，多个所述第二导流部平行等距分布，其中所述第二导流部和所述第一导流部关于所述深沟槽结构的中轴线对称。
9.根据权利要求8所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第二金属层包括第二接触部，所述第二接触部连接于所述第二导流部的端部和所述深沟槽结构，所述第二接触部在所述第一金属层上的正投影与所述第一接触部重叠。
10.一种芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括多个第一导流部，其中，沿所述电感片的长度方向，多个所述第一导流部呈等距阵列分布。
3.根据权利要求2所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括第一接触部，所述第一接触部连接于所述第一导流部的端部，且所述第一接触部连接于所述深沟槽结构。
4.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述第一接触部有多个，且多个所述第一接触部按列分布，其中在行方向上，相邻列的所述第一接触部交错设置。
5.根据权利要求3所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括电感接触凸片，所述电感接触凸片连接于所述电感片的第一面，所述电感接触凸片连接于所述第一接触部和所述深沟槽结构，且所述电感接触凸片连接于所述电源接触凸片。
...【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，田陌晨，温德鑫，祝俊东，
申请(专利权)人：奇异摩尔上海集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。