【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、当电流通过线圈后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。电感是描述由于线圈电流变化，在本线圈中或在另一线圈中引起感应电动势效应的电路参数。在集成电路中，电感可以起到滤波、振荡、延迟和陷波等作用。随着技术的发展和摩尔定律的极限逼近，对芯片系统集成度的要求也越来越高。芯片系统的较高集成度要求整个系统也具备更高的电流值。因此芯片性能受到系统集成度的限制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构及其制造方法，有效地且高密度地集成了大电感和芯片，有利于提升芯片性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种芯片封装结构，包括：
4、工作芯片，所述工作芯片中设置接触孔，且所述接触孔贯穿所述工作芯片；
5、电源接触凸片，设置于所述工作芯片上，所述电源接触凸片覆盖所述接触孔的端面，且所述电源接触凸片电性连接于所述工作芯片的电源电路，其中所述电源接触凸片与所述电源电路的输入输出接口电性连接；
6、电感片，设置在所述工作芯片上；
7、深沟槽结构，设置于所述电感片中，所述深沟槽结构的一端与所述电源接触凸片电性连接；
8、金属层，设置在所述电感片上，所述金属层与所述深沟槽结构的另一端连接，且所述金属层连接于多个深沟槽结构。
9、在本专
10、在本专利技术一实施例中，所述电源接触凸片和所述电感接触凸片键合连接，所述电感片和所述工作芯片键合连接。
11、在本专利技术一实施例中，所述金属层包括接口部，所述接口部与所述深沟槽结构的端面连接，且所述接口部连接于与所述电感接触凸片相对的一面。
12、在本专利技术一实施例中，所述金属层包括涡旋部，所述涡旋部呈涡旋状，且所述涡旋部的内端通过连接部与一所述接口部连接，以形成电感单元的输入电极，所述涡旋部的外端与另一所述接口部连接，以形成电感单元的输出电极。
13、在本专利技术一实施例中，所述芯片封装结构包括多个绝缘层，所述绝缘层设置于所述工作芯片和所述电感片之间。
14、在本专利技术一实施例中，所述芯片封装结构包括焊点接触凸片，所述焊点接触凸片连接所述接触孔，且所述焊点接触凸片连接于与所述电源接触凸片相对的一面。
15、在本专利技术一实施例中，所述芯片封装结构包括多个工作芯片，多个所述工作芯片沿所述接触孔的延伸方向堆叠连接，且多个工作芯片的所述电源接触凸片键合连接。
16、在本专利技术一实施例中，所述电感片的面积小于等于所述工作芯片的面积，且所述电感片的宽度和所述工作芯片的宽度相等。
17、本专利技术提供了一种芯片封装结构的制造方法，包括以下步骤：
18、提供一工作芯片，形成接触孔于所述工作芯片中，其中所述接触孔贯穿所述工作芯片；
19、形成电源接触凸片于所述工作芯片上，所述电源接触凸片覆盖所述接触孔的端面，且所述电源接触凸片电性连接于所述工作芯片的电源电路，其中所述电源接触凸片与所述电源电路的输入输出接口电性连接；
20、提供一电感片，形成深沟槽结构于所述电感片中，并形成电感接触凸片于所述电感片上；
21、键合连接所述电感片和所述工作芯片，以及所述电感接触凸片和所述电源接触凸片；以及
22、减薄所述电感片后，形成金属层于所述电感片上，所述金属层与所述深沟槽结构的另一端连接，且所述金属层连接于多个深沟槽结构。
23、如上所述，本专利技术提供了一种芯片封装结构及其制造方法，将芯片和电感器在三维方向上进行堆叠集成，从而将大电感集成到集成电路系统中，以提升集成电路的工作效率。本专利技术提供的芯片封装结构及其制造方法，对集成电路的占用面积更低，能够适应芯片的关键尺寸越来越小的发展趋势，有利于打破摩尔定律的封锁，提升单位面积内芯片的工作效率，增加单位面积内芯片的功能，从而提升器件的工作性能。根据本专利技术提供的芯片封装结构，能够集成单层的电感结构，工艺简单，并且对工作芯片输入输出接口位置的要求不高，简单地调整工作芯片的输入输出接口位置，即可实现电感器和工作芯片的准确连接，工艺良率高，在集成大电感的同时，有利于实现批量封装。并且，本专利技术能够通过调整深沟槽结构的长度和宽度，可以灵活调整产品的厚度，通过调整涡旋的圈数和半径来调整电感量。且电感器直接连接于芯片，能够提升电感器乃至集成电路的电气效率。并且，根据本专利技术提供的芯片封装结构及其制造方法，能够实现晶圆级别的封装，有利于实现批量封装，封装效率高，且封装良率高。
24、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括电感接触凸片，所述电感接触凸片设置在所述电感片上，且所述电感接触凸片设置于与所述金属层相对的一面，其中所述电感接触凸片连接于所述电源接触凸片和所述深沟槽结构。
3.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述电源接触凸片和所述电感接触凸片键合连接，所述电感片和所述工作芯片键合连接。
4.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述金属层包括接口部，所述接口部与所述深沟槽结构的端面连接，且所述接口部连接于与所述电感接触凸片相对的一面。
5.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述金属层包括涡旋部，所述涡旋部呈涡旋状，且所述涡旋部的内端通过连接部与一所述接口部连接，以形成电感单元的输入电极，所述涡旋部的外端与另一所述接口部连接，以形成电感单元的输出电极。
6.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括多个绝缘层，所述绝缘层设置于所述工作芯片和所述电感
7.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括焊点接触凸片，所述焊点接触凸片连接所述接触孔，且所述焊点接触凸片连接于与所述电源接触凸片相对的一面。
8.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括多个所述工作芯片，多个所述工作芯片沿所述接触孔的延伸方向堆叠连接，且多个工作芯片的所述电源接触凸片键合连接。
9.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述电感片的面积小于等于所述工作芯片的面积，且所述电感片的宽度和所述工作芯片的宽度相等。
10.一种芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括电感接触凸片，所述电感接触凸片设置在所述电感片上，且所述电感接触凸片设置于与所述金属层相对的一面，其中所述电感接触凸片连接于所述电源接触凸片和所述深沟槽结构。
3.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述电源接触凸片和所述电感接触凸片键合连接，所述电感片和所述工作芯片键合连接。
4.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述金属层包括接口部，所述接口部与所述深沟槽结构的端面连接，且所述接口部连接于与所述电感接触凸片相对的一面。
5.根据权利要求1所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述金属层包括涡旋部，所述涡旋部呈涡旋状，且所述涡旋部的内端通过连接部与一所述接口部连接，以形成电感单元的输入电极，所述涡旋部的外端...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，田陌晨，温德鑫，祝俊东，
申请(专利权)人：奇异摩尔上海集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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