【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体载板领域，尤其涉及一种高密度互连载板的制备方法。
技术介绍
1、半导体封装技术不断朝着小型化、轻量化、高性能、多功能及高可靠性方向发展，以满足电子信息、电力系统、国防军工等领域的应用需求。半导体封装形式由上世纪60年代专利技术的双列直插式封装技术(dip)发展至今，由于芯片i/o数目的增加，历经了方形扁平式封装(qfp)、插针网格阵列封装(pga)、球栅阵列封装(bga)和系统级封装(sip)等封装形式。封装引脚间距由2.54mm发展至目前的15μm。未来封装引脚之间的间距将会进一步缩小至10μm，甚至更低。
2、封装引脚的间隙缩小就意味着载板中的互连结构的密度增大，随着载板中的互连结构密度增大以及载板中引脚之间的间距缩小，所形成的高密度互连载板在制备互连结构时的难度也增大，通过常规的互联方法无法确保高密度互连载板的有效电路连接，影响高密度互连载板产品的性能稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的问题之一。为此，本专利技术的目的在于提供一种高密度互连载板的制备方法，在高密度载板的外部利用abf积层胶与铜箔的压合以形成互连，提高了互连载板的制备效率，适用于引脚间隙较小的高密度载板。
2、为了实现上述目的，本申请采用如下技术方案：一种高密度互连载板的制备方法，包括：
3、在保护膜上沉积铜箔；
4、在铜箔上生成铜柱；
5、采用abf积层胶与铜箔压合，使得铜柱位于abf积层胶中
6、去除保护膜，在abf积层胶远离铜箔的一侧形成与铜柱连通的第一线路图形，在铜箔中形成与铜柱连通的第二线路图形，将第一线路图形或第二线路图形与芯片进行键合。
7、进一步地，在铜箔上生成铜柱，具体包括：
8、对保护膜上的铜箔进行贴膜、曝光和显影定义出铜柱区域；
9、在铜柱区域上水平电镀形成铜柱。
10、进一步地，在铜箔上生成铜柱，具体包括：
11、在辅助膜上依次定义出铜柱区域，
12、用激光熔融铜浆料，使得熔融的铜浆料逐滴滴在铜柱区域并固化形成铜柱。
13、进一步地，对铜浆料固化堆积形成的铜柱进行激光打磨，形成圆柱状的铜柱。
14、进一步地，所述abf积层胶与铜箔压合时，压合模具的上下两端设置有整形板，两个整形板与abf积层胶或铜箔抵接的端面相互平行。
15、进一步地，abf积层胶与铜箔压合之后，对abf积层胶远离铜箔的一端进行磨板，直至铜柱暴露，在铜柱上形成第一线路图形。
16、进一步地，所述第一线路图形的形成方法包括：在abf积层胶以及铜柱上水平沉铜，并进行干法刻蚀形成第一线路图形。
17、进一步地，所述干法刻蚀包括物理刻蚀和化学刻蚀。
18、进一步地，去除保护膜之后，对铜箔进行干法刻蚀，形成第二线路图形；将第二线路图形键合在芯片中。
19、进一步地，所述干法刻蚀包括物理刻蚀和化学刻蚀。
20、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本申请在保护膜上沉积铜箔；在铜箔上生成铜柱；采用abf积层胶与铜箔压合，使得铜柱位于abf积层胶中；去除保护膜，在abf积层胶远离铜箔的一侧形成与铜柱连通的第一线路图形，在铜箔中形成与铜柱连通的第二线路图形，将第一线路图形或第二线路图形与芯片进行键合。芯片中的元件分布较为密集，且引脚之间的间隙缩小，要想实现高密度芯片的信号引出，就需要实现高密度载板中互连结构的密集制备，这就对互连结构的精度提出了更好的要求。同时由于高密度载板的互连层中线路密集，连接相邻互连层的铜柱分布密集，若是采用现有技术中钻孔沉铜的方式来进行铜柱的生长，由于钻孔密集，会影响到孔铜的精度，使得互连引出结构出现偏差，导致信号紊乱。本申请借助abf积层胶的压合作用，替换现有技术中钻孔工艺，有效提高了铜柱的精度，确保互连层之间接线精准，提高了高密度载板产品的信号传输稳定性。
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1.一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，在铜箔上生成铜柱，具体包括：
3.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，在铜箔上生成铜柱，具体包括：
4.根据权利要求3所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，对铜浆料固化堆积形成的铜柱进行激光打磨，形成圆柱状的铜柱。
5.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，所述ABF积层胶与铜箔压合时，压合模具的上下两端设置有整形板，两个整形板与ABF积层胶或铜箔抵接的端面相互平行。
6.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，ABF积层胶与铜箔压合之后，对ABF积层胶远离铜箔的一端进行磨板，直至铜柱暴露，在铜柱上形成第一线路图形。
7.根据权利要求6所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，所述第一线路图形的形成方法包括：在ABF积层胶以及铜柱上水平沉铜，并进行干法刻蚀形成第一线路图形。
8.根据权利要求7
9.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，去除保护膜之后，对铜箔进行干法刻蚀，形成第二线路图形；将第二线路图形键合在芯片中。
10.根据权利要求9所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括物理刻蚀和化学刻蚀。
...【技术特征摘要】
1.一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，在铜箔上生成铜柱，具体包括：
3.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，在铜箔上生成铜柱，具体包括：
4.根据权利要求3所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，对铜浆料固化堆积形成的铜柱进行激光打磨，形成圆柱状的铜柱。
5.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，所述abf积层胶与铜箔压合时，压合模具的上下两端设置有整形板，两个整形板与abf积层胶或铜箔抵接的端面相互平行。
6.根据权利要求1所述的一种高密度互连载板的制备方法，其特征在于，a...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡诗益，吴世平，
申请(专利权)人：深圳明阳电路科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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