【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种研磨垫检测方法及装置、双面抛光设备。
技术介绍
1、化学机械抛光(cmp)是指利用化学反应和机械摩擦力使硅片(wafer)表面平坦化的过程。现有技术中，硅片的化学机械抛光主要分为双面抛光和最终抛光两个步骤。双面抛光可以对硅片的正面和背面同时进行抛光，有利于快速去除硅片正面和背面的损坏层，初步控制硅片的平坦度和厚度。
2、双面抛光设备的研磨垫(pad)一般由疏松多孔的材料，如无纺布、发泡材料等制成，其疏松多孔的特性使其在研磨过程中，对产生的杂质具有一定的包含能力；当研磨垫吸附的杂质过多时，杂质会在pad表面积聚产生黄褐色的釉化层，如果继续使用吸附杂质过多的pad对硅片进行抛光，会使硅片产生颗粒物过多或者划伤等风险，但用肉眼难以辨别出pad是否吸附了过多的杂质。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种研磨垫检测方法及装置、双面抛光设备，能够检测pad是否吸附了过多的杂质，以避免pad釉化带来的风险。
2、为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
3、一种研磨垫检测装置，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的两个定盘，以及设置在每一所述定盘上的研磨垫，所述研磨垫检测装置包括：
4、设置在所述定盘内的位移传感器，用以检测所在定盘与相对的研磨垫表面之间的距离；
5、处理器，用以根据所述位移传感器的检测数据确定所述研磨垫的塌缩量，根据所述研磨垫的塌
6、一些实施例中，所述两个定盘包括上定盘和下定盘，所述研磨垫包括设置在所述上定盘朝向所述下定盘一侧的上研磨垫和设置在所述下定盘朝向所述上定盘一侧的下研磨垫；
7、所述位移传感器设置在所述上定盘，用以检测所述上定盘与所述下研磨垫表面之间的距离。
8、一些实施例中，所述上定盘朝向所述下定盘的一侧表面包括环形区域，所述环形区域的内径为所述上定盘半径的三分之一，所述环形区域的外径为所述上定盘半径的三分之二，所述位移传感器设置在所述环形区域。
9、一些实施例中，所述位移传感器的数量为多个，多个所述位移传感器均匀分布在所述环形区域。
10、一些实施例中，所述处理器具体用以根据所述位移传感器的检测数据确定在对硅片进行抛光之前，所述上定盘与所述下定盘压合时，所述上定盘与所述下研磨垫表面之间的第一距离；根据所述位移传感器的检测数据确定在对硅片进行抛光时，所述上定盘与所述下研磨垫表面之间的第二距离；根据所述第一距离、所述第二距离和所述硅片的厚度，确定所述研磨垫的塌缩量。
11、一些实施例中，所述研磨垫检测装置还包括：
12、报警提示单元，用于在所述研磨垫的塌缩量小于预设阈值时，进行报警。
13、本专利技术实施例还提供了一种双面抛光设备，包括如上所述的研磨垫检测装置。
14、本专利技术实施例还提供了一种研磨垫检测方法，应用于如上所述的研磨垫检测装置，所述研磨垫检测方法包括：
15、检测所述位移传感器所在定盘与相对的研磨垫表面之间的距离；
16、根据所述位移传感器的检测数据确定所述研磨垫的塌缩量，根据所述研磨垫的塌缩量确定所述研磨垫的状态。
17、一些实施例中，所述两个定盘包括上定盘和下定盘，所述研磨垫包括设置在所述上定盘朝向所述下定盘一侧的上研磨垫和设置在所述下定盘朝向所述上定盘一侧的下研磨垫；
18、所述位移传感器设置在所述上定盘，用以检测所述上定盘与所述下研磨垫表面之间的距离。
19、一些实施例中，所述根据所述位移传感器的检测数据确定所述研磨垫的塌缩量包括：
20、根据所述位移传感器的检测数据确定在对硅片进行抛光之前，所述上定盘与所述下定盘压合时，所述上定盘与所述下研磨垫表面之间的第一距离；
21、根据所述位移传感器的检测数据确定在对硅片进行抛光时，所述上定盘与所述下研磨垫表面之间的第二距离；
22、根据所述第一距离、所述第二距离和所述硅片的厚度，确定所述研磨垫的塌缩量。
23、本专利技术的有益效果是：
24、在研磨垫的细孔被杂质填充后，研磨垫表层的硬度、弹性形变、密度等物理特性会发生变化，研磨垫在受到压力后的塌缩量也会发生变化。本实施例中，利用设置在定盘内的位移传感器，检测所在定盘与相对的研磨垫表面之间的距离，利用该距离来监测研磨垫在受到压力后的塌缩量，能够有效反馈研磨垫的表面状态，在塌缩量小于某一阈值时，则表明此时研磨垫表面粗糙度变小，硬度变大，釉化杂质积聚过多，有引入颗粒物和划伤硅片的风险。
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1.一种研磨垫检测装置，其特征在于，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的两个定盘，以及设置在每一所述定盘上的研磨垫，所述研磨垫检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的研磨垫检测装置，其特征在于，所述两个定盘包括上定盘和下定盘，所述研磨垫包括设置在所述上定盘朝向所述下定盘一侧的上研磨垫和设置在所述下定盘朝向所述上定盘一侧的下研磨垫；
3.根据权利要求2所述的研磨垫检测装置，其特征在于，所述上定盘朝向所述下定盘的一侧表面包括环形区域，所述环形区域的内径为所述上定盘半径的三分之一，所述环形区域的外径为所述上定盘半径的三分之二，所述位移传感器设置在所述环形区域。
4.根据权利要求3所述的研磨垫检测装置，其特征在于，所述位移传感器的数量为多个，多个所述位移传感器均匀分布在所述环形区域。
5.根据权利要求2所述的研磨垫检测装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的研磨垫检测装置，其特征在于，所述研磨垫检测装置还包括：
7.一种双面抛光设备，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的研磨垫检测装置。p>
8.一种研磨垫检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6中任一项所述的研磨垫检测装置，所述研磨垫检测方法包括：
9.根据权利要求8所述的研磨垫检测方法，其特征在于，所述两个定盘包括上定盘和下定盘，所述研磨垫包括设置在所述上定盘朝向所述下定盘一侧的上研磨垫和设置在所述下定盘朝向所述上定盘一侧的下研磨垫；
10.根据权利要求9所述的研磨垫检测方法，其特征在于，所述根据所述位移传感器的检测数据确定所述研磨垫的塌缩量包括：
...【技术特征摘要】
1.一种研磨垫检测装置，其特征在于，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的两个定盘，以及设置在每一所述定盘上的研磨垫，所述研磨垫检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的研磨垫检测装置，其特征在于，所述两个定盘包括上定盘和下定盘，所述研磨垫包括设置在所述上定盘朝向所述下定盘一侧的上研磨垫和设置在所述下定盘朝向所述上定盘一侧的下研磨垫；
3.根据权利要求2所述的研磨垫检测装置，其特征在于，所述上定盘朝向所述下定盘的一侧表面包括环形区域，所述环形区域的内径为所述上定盘半径的三分之一，所述环形区域的外径为所述上定盘半径的三分之二，所述位移传感器设置在所述环形区域。
4.根据权利要求3所述的研磨垫检测装置，其特征在于，所述位移传感器的数量为多个，多个所述位移传感器均匀分布在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李佳程，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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