【技术实现步骤摘要】
本专利技术显示器件，具体涉及一种qled器件及其制备方法和应用。
技术介绍
1、qled(量子点发光二极管)是一种新型的显示技术，具有超薄柔性、宽视角、高对比度、低能耗等特点。虽然近年来qled器件在各方面的性能不断得到提升，但无论是在器件效率还是在器件工作稳定性等基本器件性能参数上还与产业化应用的要求有相当的差距，这也大大阻碍了量子点电致发光显示技术的发展和应用。
2、目前，对于提高qled器件效率的研究和报道有很多。cn113659102a公开了一种qled器件的制造方法，包括以下步骤：提供阳极基板；在阳极基板上形成空穴注入层；在空穴注入层上形成空穴传输层；在空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；在量子点层上形成电子传输层；在电子传输层上形成阴极层；其中，空穴传输层使用交联型材料成膜后进行交联反应形成；量子点墨水的溶剂材料适于溶解未完全交联的交联型材料；形成量子点层的步骤在交联材料的交联度在80～90％时进行。
3、虽然上述现有技术在一定程度上能提高qled器件的效率，但是由于qled器件中电子注入层的注入通常比空穴注入层的注入更强，所以在器件内部电子与空穴不平衡，器件的效率仍较低。
4、因此，为解决上述技术问题，急需开发一种空穴注入层的注入效率较高的qled器件。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种qled器件及其制备方法和应用，所述qled器件使用交联型空穴传输材料搭配p型掺杂材料作为空穴注入层的原
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种qled器件，所述qled器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极；
4、所述空穴注入层的原料包括交联型空穴传输材料和p型掺杂材料。
5、本专利技术提供的qled器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，且所述空穴注入层的原料包括交联型空穴传输材料和p型掺杂材料；一方面，通过使用交联型空穴传输材料作为空穴注入层的主体材料，使在所述空穴注入层形成空穴传输层时，不会对空穴注入层产生破坏；另一方面，通过使用p型掺杂材料作为空穴注入层的掺杂材料，成功改变了空穴注入层的能级和迁移率，进而提高了空穴注入层的注入效率，使qled器件内电子和空穴达到了平衡，进而有效提高了qled器件的发光效率。
6、优选地，所述衬底包括玻璃基板或聚酰亚胺基板。
7、优选地，所述qled器件为底发射器件，所述阳极为透明阳极，所述阴极为反射阴极。
8、优选地，所述透明阳极包括铟锡氧化物(ito)。
9、优选地，所述反射阴极包括铝或银。
10、优选地，所述qled器件为顶发射器件，所述阳极为反射阳极，所述阴极为透明阴极。
11、优选地，所述反射阳极包括铝或银；
12、优选地，所述透明阴极包括镁银合金。
13、优选地，所述空穴注入层的原料中p型掺杂材料的质量百分含量为0.01～10％，例如0.05％、0.1％、0.5％、1％、2％、4％、6％或8％等。
14、作为本专利技术的优选技术方案，需要限定空穴注入层的原料中p型掺杂材料的质量百分含量为0.01～10％，如果掺杂量高于10％，则容易导致空穴注入层的能级不匹配，反正影响空穴注入效率。
15、优选地，所述p型掺杂材料包括2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(f4tcnq)、吡咯并[3,2-b:4,5-b']二噻吩二甲基二磷酸酯(pptp)或全氟酞菁铜(f16cupc)中的任意一种或至少两种的组合。
16、优选地，所述交联型空穴传输材料包括cbp-v(4,4’-bis(3-vinyl-9h-carbazol-9-yl)-1,1’-biphenyl)、dv-flcz(2,7-bis(9-(4-(((4-vinylbenzyl)oxy)methyl)phenyl)-9h-carbazol-3-yl)-9,9'-spirobi[fluorene])、交联型4-[3-(三氟甲基)-3h-二嗪-3-基]苄基溴(tfb)或dv-sfcz(2,7-bis(9-(4-(((4-vinylbenzyl)oxy)methyl)phenyl)-9h-carbazol-3-yl)-9,9'-spirobi[fluorene])中的任意一种或至少两种的组合。
17、优选地，所述空穴注入层由交联型空穴传输材料和p型掺杂材料的混合物成膜后经交联后形成。
18、优选地，所述空穴传输层的材料包括4-[3-(三氟甲基)-3h-二嗪-3-基]苄基溴(tfb)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)或聚双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺(poly-tpd)中的任意一种或至少两种的组合。
19、优选地，所述电子传输层的材料包括掺杂氧化锌或氧化锌。
20、第二方面，本专利技术提供一种如第一方面所述qled器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
21、(1)提供衬底，在衬底上形成阳极，在阳极上沉积空穴注入层的原料，经干燥和交联，形成空穴注入层；
22、(2)在步骤(1)形成的空穴注入层上依次形成空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，得到所述qled器件。
23、优选地，步骤(1)所述沉积的方法包括旋涂或喷墨打印；
24、优选地，步骤(1)所述干燥的温度为100～150℃，例如105℃、110℃、115℃、120℃、125℃、130℃、135℃、140℃或145℃等。
25、优选地，步骤(1)所述交联的温度为100～250℃，例如120℃、140℃、160℃、180℃、200℃、220℃或240℃等。
26、优选地，步骤(2)具体包括：在步骤(1)形成的空穴注入层上沉积空穴传输层的原料，干燥，形成空穴传输层，再在所述空穴传输层上沉积量子点层的原料，干燥，形成量子点层，再在量子点层上沉积电子传输层的原料，干燥，形成电子传输层，最后在所述电子传输层上蒸镀阴极，得到所述qled器件。
27、作为本专利技术的优选技术方案，本专利技术提供的qled器件中空穴注入层、空穴传输层、量子点层和电子传输层均采用溶液法制备成膜，不需要真空环境，工艺成本较低。
28、第三方面，本专利技术提供一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面所述的qled器件。
29、相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：
30、本专利技术提供的qled器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，所述空穴注入层的原料包括交联型空穴传输材料和p型掺杂材料，通过使用交联型空穴传输材料搭配p型掺杂本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极；
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述衬底包括玻璃基板或聚酰亚胺基板。
3.根据权利要求1或2所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为底发射器件，所述阳极为透明阳极，所述阴极为反射阴极；
4.根据权利要求1～3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的原料中p型掺杂材料的质量百分含量为0.01～10％；
5.根据权利要求1～4任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括4-[3-(三氟甲基)-3H-二嗪-3-基]苄基溴、聚(N-乙烯基咔唑)或聚双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺中的任意一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求1～5任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括掺杂氧化锌或氧化锌。
7.一种如权利要求1～6任一项所述QLED器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
8.根据
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)具体包括：在步骤(1)形成的空穴注入层上沉积空穴传输层的原料，干燥，形成空穴传输层，再在形成的空穴传输层上沉积量子点层的原料，干燥，形成量子点层，再在形成的量子点层上沉积电子传输层的原料，干燥，形成电子传输层，最后在形成的电子传输层上蒸镀阴极，得到所述QLED器件。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～6任一项所述的QLED器件。
...【技术特征摘要】
1.一种qled器件，其特征在于，所述qled器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极；
2.根据权利要求1所述的qled器件，其特征在于，所述衬底包括玻璃基板或聚酰亚胺基板。
3.根据权利要求1或2所述的qled器件，其特征在于，所述qled器件为底发射器件，所述阳极为透明阳极，所述阴极为反射阴极；
4.根据权利要求1～3任一项所述的qled器件，其特征在于，所述空穴注入层的原料中p型掺杂材料的质量百分含量为0.01～10％；
5.根据权利要求1～4任一项所述的qled器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括4-[3-(三氟甲基)-3h-二嗪-3-基]苄基溴、聚(n-乙烯基咔唑)或聚双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺中的任意一种或至少两种的组合。
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐鹏宇，穆欣炬，马中生，高裕弟，刘宏俊，
申请(专利权)人：义乌清越光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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