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本发明提供一种QLED器件及其制备方法和应用，所述QLED器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极，所述空穴注入层的原料包括交联型空穴传输材料和p型掺杂材料，通过使用交联型空穴传输材料作为空穴注入层的...
该专利属于义乌清越光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过义乌清越光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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