【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，尤其涉及一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置。
技术介绍
1、qled(量子点发光二极管)是一种新型的显示技术，具有超薄柔性、宽视角、高对比度、低能耗等特点。zno是qled器件中常用的电子传输材料，因为其电子迁移率与能级与量子点较为匹配。
2、通常在考虑制备qled显示面板时，需要使用全打印器件结构，导致工艺难度较高的问题。针对上述出现的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、专利技术目的：提供一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，以解决现有技术存在的上述问题。
2、技术方案：显示面板，包括：基板；依次叠层设置于所述基板上的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；及像素分隔结构，沿垂直于所述基板的厚度方向且间隔设置于所述电子传输层、所述量子点发光层、所述空穴传输层、所述空穴注入层和所述阳极之间，以分隔形成若干像素单元；其中，所述基板上采用底发射的倒置器件结构。
3、作为优选，所述电子传输层(30)的材料还包括：无机氧化物半导体，所述无机氧化物半导体为zno或金属掺杂的氧化锌；其中，掺杂的金属元素包括：mg、al、ga、ti、si、nb、in，以及，掺杂的浓度为1％～20％。
4、作为优选，所述量子点发光层中的量子点为ii-vi族化合物半导体的量子点、iii-v族化合物半导体的量子点、i-iii-vi族化合物半导体的量子点或钙钛矿量子点中的一种或多种。
5、作为优
6、作为优选，所述基板为玻璃板或pi基板。
7、为了实现上述目的，根据本申请的另一个方面，还提供了一种显示面板的制备方法。
8、根据本申请的显示面板的制备方法，包括以下步骤：
9、在基板上制备ito层，以形成导电层；
10、对ito层进行图案化；
11、在ito层上制备zno层，以形成电子传输层；
12、对zno层进行图案化；
13、制备像素分隔结构，以形成若干间隔设置的像素分隔结构；
14、在相邻像素分隔结构内喷墨打印量子点墨水；
15、对量子点墨水进行干燥成膜，以形成量子点发光层；
16、在量子点发光层上依次有序进行空穴传输层、空穴注入层和阳极的蒸镀制备；
17、形成底发射的倒置qled器件结构。
18、作为优选，在ito层上制备zno层，以形成电子传输层包括：利用磁控溅射法形成电子传输层。
19、作为优选，利用磁控溅射法形成电子传输层(30)，包括以下步骤：压力为0.1～5pa，气体流量为：氩气100～1000sccm，氧气：0.1～5sccm；温度为：250℃～500℃。
20、作为优选，所述导电层的膜厚度为20-200nm，所述电子传输层的膜厚度为1-100nm，所述量子点发光层的膜厚度为1-100nm，所述空穴传输层的膜厚度为0.5-50nm，所述阳极的膜厚度为10-2000nm。
21、为了实现上述目的，根据本申请的另一个方面，还提供了一种显示装置
22、根据本申请的显示装置，包括上述的显示面板，及所述显示面板采用pm驱动。
23、有益效果：在本申请实施例中，采用倒置器件结构的方式，通过依次叠层设置于所述基板上的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；及像素分隔结构，沿垂直于所述基板的厚度方向且间隔设置于所述电子传输层、所述量子点发光层、所述空穴传输层、所述空穴注入层和所述阳极之间，以分隔形成若干像素单元；其中，所述基板上采用底发射的倒置器件结构，达到了倒置qled器件结构的目的，从而实现了便于加工制备和降低工艺难度的技术效果，进而解决了通常在考虑制备qled显示面板时，需要使用全打印器件结构，导致工艺难度较高的技术问题。
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1.显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电子传输层(30)的材料还包括：无机氧化物半导体，所述无机氧化物半导体为ZnO或金属掺杂的氧化锌；其中，掺杂的金属元素包括：Mg、Al、Ga、Ti、Si、Nb、In，以及，掺杂的浓度为1％～20％。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述量子点发光层(40)中的量子点为II-VI族化合物半导体的量子点、III-V族化合物半导体的量子点、I-III-VI族化合物半导体的量子点或钙钛矿量子点中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述量子点为核壳结构量子点。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板(10)为玻璃板或PI基板(10)。
6.显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在ITO层上制备ZnO层，以形成电子传输层(30)包括：利用磁控溅射法形成电子传输层(30)。
8.根据权利要求6所述的显示面板的
9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述导电层的膜厚度为20-200nm，所述电子传输层(30)的膜厚度为1-100nm，所述量子点发光层(40)的膜厚度为1-100nm。
10.显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的显示面板，及所述显示面板采用PM驱动。
...【技术特征摘要】
1.显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电子传输层(30)的材料还包括：无机氧化物半导体，所述无机氧化物半导体为zno或金属掺杂的氧化锌；其中，掺杂的金属元素包括：mg、al、ga、ti、si、nb、in，以及，掺杂的浓度为1％～20％。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述量子点发光层(40)中的量子点为ii-vi族化合物半导体的量子点、iii-v族化合物半导体的量子点、i-iii-vi族化合物半导体的量子点或钙钛矿量子点中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述量子点为核壳结构量子点。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板(10)为玻璃板或pi基板(10)。
6.显示面板的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐鹏宇，穆欣炬，马中生，
申请(专利权)人：义乌清越光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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