一种有机盐的用途制造技术

技术编号：41143425 阅读：63 留言：0更新日期：2024-04-30 18:12

本发明专利技术提供一种有机盐的用途，将具有式(一)所示的结构的有机盐，用作有机半导体的n型掺杂剂，所述式(一)为：其中，R<subgt;1</subgt;‑R<subgt;12</subgt;各自独立为H、羟基、羧基、取代的或未取代的烷基、环烷基、烷氧基、烯基、酮烯基、炔基、芳基、卤代烷基、卤代酮烷基、卤代烯基；R<subgt;13</subgt;‑R<subgt;16</subgt;可为F，Cl，Br或I。本发明专利技术所提供的有机盐用作n型掺杂剂可以通过溶液处理，直接将掺杂剂加入到有机半导体中，或者通过正交溶液旋涂进行掺杂，并且通过不同的共混比例，从而提升半导体的电导率。而且掺杂半导体的薄膜在高温持续加热24h后，电导率几乎不变，具有良好的热稳定性，且掺杂工艺简单、便于控制，从而更加在其他有机半导体器件中得到广泛的应用和推广。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机半导器件领域，更具体地，涉及一种有机盐作为有机半导体n型掺杂剂用途。

技术介绍

1、有机半导体已经成为新兴光电应用的首选材料，其中包括有机发光二极管，有机场效应晶体管，和有机光伏电池等等。然而，与传统半导体器件相比，有机器件的性能相对较差。主要因为有机半导体材料的费米能级与电极的功函数不匹配进而导致半导体和电极之间的电荷转移效率低。因此，选择高导电性能以及与电极功函数匹配的有机半导体材料至关重要。

2、通过向有机半导体中添加不同的掺杂剂用以改善有机半导体的导电性能以及其与电极功函数的匹配度，进而可以改善器件性能。掺杂不仅可以提高器件的电导率，诱导有机半导体中更多载流子的形成，还可以控制半导体的费米能级，填充半导体中现有的陷阱状态，从而显著提高器件性能。然而，现有技术中被报道的n型掺杂剂种类很少，其掺杂性能也远远不能令人满意。其次，现有掺杂剂的热稳定性也比较弱，而掺杂剂的热稳定性对于许多需要高温操作的应用至关重要。因此，开发生产成本低、能够溶液制备、掺杂效率高、优异热稳定性的n型掺杂剂对制备高性能的有机器件而言十分重要。

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【技术保护点】

1.一种有机盐的用途，其特征在于：将具有式(一)所示的结构的有机盐，用作有机半导体的n型掺杂剂，所述式(一)为：

2.如权利要求1所述的一种有机盐的用途，其特征在于：所述有机盐为磷腈四氟硼酸盐，简称P2-BF4，具体结构如式(二)所示：

3.如权利要求1所述的一种有机盐的用途，其特征在于：所述有机盐与所述有机半导体直接混合于有机溶剂进行掺杂形成n型有机半导体；或者将有机盐的正交溶液旋涂于有机半导体上进行掺杂形成n型有机半导体。

4.如权利要求1所述的一种有机盐的用途，其特征在于：所述n型有机半导体应用于有机场效应晶体管。