【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，特别是涉及一种发光二极管显示基板的制备方法、显示基板和显示装置。
技术介绍
1、有机发光二极管(organic light emitting diode,oled)由于具有自发光，高效率，色彩鲜艳、轻薄省电，可卷曲以及使用温度范围宽等优点，被誉为梦幻显示器，近年来，oled已在消费电子领域，如手机、可穿戴设备得到广泛的应用，在中尺寸笔记本电脑、平板电脑、以及大尺寸电视领域的应用也日益增强，并逐步进入车载显示和照明等领域。
2、然而，大尺寸显示产品中存在阴极电压降(ir drop)较大的问题，导致电源信号vdd和vss的跨压增大，从而增加显示产品的功耗和温升。相关技术中通常采用设置辅助阴极的方式降低阴极电压降，然而在实际应用中，存在制备工艺复杂、制作成本较高的问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题至少之一，本专利技术第一方面提供一种有机发光二极管显示基板的制备方法，包括：
2、在衬底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括源漏层，所述源漏层包括源极、漏极和辅助阴极；
3、在所述驱动电路层上依次形成阳极、像素界定层和有机功能层；
4、刻蚀所述有机功能层形成露出所述辅助阴极的过孔；
5、在所述有机功能层上形成阴极，所述阴极通过所述过孔与所述辅助阴极连接；
6、形成覆盖所述阴极的封装层。
7、例如，在本申请一些实施例提供的制备方法中，所述有机发光二极管显示基板包括阵列排布的子像素，每个子
8、所述在衬底上形成驱动电路层进一步包括：覆盖所述源漏层的平坦化层，所述平坦化层包括位于所述非发光区的且露出所述辅助阴极的第一过孔，所述第一过孔的侧壁与底部形成的坡度角小于等于60°；
9、所述在所述驱动电路层上依次形成阳极、像素界定层和有机功能层进一步包括：
10、在所述驱动电路层上依次形成阳极和像素界定层，所述像素界定层限定出所述发光区，所述像素界定层包括位于所述非发光区的且露出所述辅助阴极的第二过孔，所述第二过孔的侧壁与底部形成的坡度角小于等于60°；
11、形成覆盖所述像素界定层的有机功能层；
12、所述刻蚀所述有机功能层形成露出所述辅助阴极的过孔进一步包括：刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔；
13、所述在所述有机功能层上形成阴极，所述阴极通过所述过孔与所述辅助阴极连接进一步包括：所述阴极通过所述第三过孔、第二过孔和第一过孔与所述辅助阴极连接。
14、例如，在本申请一些实施例提供的制备方法中，所述形成覆盖所述像素界定层的有机功能层进一步包括：
15、在已形成显示基板上使用通用金属掩膜版形成空穴注入层；
16、在所述空穴注入层上使用通用金属掩膜版形成空穴传输层；
17、在已形成显示基板上使用精细金属掩膜版形成位于所述发光区发光材料层；
18、在已形成显示基板上使用通用金属掩膜版形成电子传输层；
19、在所述电子传输层上使用通用金属掩膜版形成电子注入层。
20、例如，在本申请一些实施例提供的制备方法中，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
21、在所述有机功能层上涂覆光刻胶层，所述光刻胶层的厚度大于等于0.5μm并且小于等于5μm；
22、对所述光刻胶层进行曝光和显影形成光刻胶图案；
23、对已形成显示基板进行刻蚀形成贯通所述有机功能层的第三过孔。
24、例如，在本申请一些实施例提供的制备方法中，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
25、通过精细金属掩膜版使用刻蚀气体对已形成显示基板进行刻蚀形成贯通所述有机功能层的第三过孔。
26、例如，在本申请一些实施例提供的制备方法中，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
27、所述第三过孔的侧壁与底部形成的坡度角小于等于60°。
28、例如，在本申请一些实施例提供的制备方法中，所述在衬底上形成驱动电路层进一步包括：
29、在衬底上形成有源层；
30、形成覆盖所述有源层的栅绝缘层；
31、在所述栅绝缘层上形成栅极；
32、形成覆盖所述栅极的层间介质层；
33、在所述层间介质层上形成源漏层，所述源漏层包括信号线，以及位于所述非发光区的源极、漏极和至少一个辅助阴极，所述至少一个辅助阴极与所述源极、漏极和信号线不交叠；
34、形成覆盖所述源漏层的平坦化层，所述平坦化层包括贯通其的所述第一过孔。
35、例如，在本申请一些实施例提供的制备方法中，
36、所述在所述层间介质层上形成源漏层进一步包括：所述源漏层包括依次层叠形成在所述层间介质层上的第一子金属层、第二子金属层和第三子金属层，所述辅助阴极包括与所述第一子金属层同层设置的第一子辅助阴极、与所述第二子金属层同层设置的第二子辅助阴极、与所述第三子金属层同层设置的第三子辅助阴极；
37、所述阴极通过所述过孔与所述辅助阴极连接进一步包括：所述阴极通过所述过孔与所述第三子辅助阴极连接。
38、本专利技术第二方面提供一种显示基板，包括：
39、设置在衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括源漏层，所述源漏层包括源极、漏极和辅助阴极；
40、设置在所述驱动电路层上的有机发光层，包括依次设置在所述驱动电路层上的阳极、像素界定层、有机功能层和阴极，所述阴极通过过孔与所述辅助阴极电连接；
41、设置在所述有机发光层上的封装层。
42、例如，在本申请一些实施例提供的显示基板中，所述显示基板包括阵列排布的子像素，每个子像素包括发光区和非发光区，所述辅助阴极位于所述非发光区；
43、所述驱动电路层还包括覆盖所述源漏层的平坦化层，所述平坦化层包括位于所述非发光区的且露出所述辅助阴极的第一过孔，所述第一过孔的侧壁与底部形成的坡度角小于等于60°；
44、所述非发光区的有机功能层包括依次形成在所述像素界定层上的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，所述发光区的有机功能层包括依次形成在所述阳极上的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层，所述像素界定层包括设置在非发光区的且露出所述辅助阴极的第二过孔，所述第二过孔的侧壁与底部形成的坡度角小于等于60°，所述有机功能层包括设置在非发光区的且露出所述辅助阴极的第三过孔，所述第三过孔的侧壁与底部形成的坡度角小于等于60°，所述阴极通过所述第三过孔、第二过孔和第一过孔与所述辅助阴极电连接。
45、例如，在本申请一些实施例提供的显示基板中，所述驱动电路层包括驱动薄膜晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机发光二极管显示基板包括阵列排布的子像素，每个子像素包括发光区和非发光区，所述辅助阴极位于所述非发光区；
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述像素界定层的有机功能层进一步包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成驱动电路层进一步包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
9.一种显示基板，其特征在于，包括：
10.根据权利
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层包括驱动薄膜晶体管，所述源漏层包括信号线，以及位于所述非发光区的源极、漏极和至少一个辅助阴极，所述至少一个辅助阴极与所述源极、漏极和信号线不交叠；
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9-11中任一项所述的显示基板。
...【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机发光二极管显示基板包括阵列排布的子像素，每个子像素包括发光区和非发光区，所述辅助阴极位于所述非发光区；
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述像素界定层的有机功能层进一步包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯通所述有机功能层的第三过孔进一步包括：
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀已形成显示基板的非发光区以形成贯...
【专利技术属性】
技术研发人员：牟鑫，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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