【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化硅陶瓷基片成型方法，具体为一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法。
技术介绍
1、氮化硅陶瓷基片因其具有薄、耐高温、电绝缘性能高、介质损耗低、化学稳定性好等优点，被广泛应用在电子信息行业中的集成电路封装、led照明、散热基片等领域。目前常用的成型方法有：流延成型、干压成型、注浆成型、挤出成型等。
2、干压成型的工程陶瓷材料是由粉末状原料制造成型后在高温下烧结而成，由于烧结时收缩率大，无法保证烧结后尺寸精度，作为工件使用的工程陶瓷都有一定的形位尺寸精度和表面质量要求，需要进行再加工。
3、上述现有技术中有明显的有益效果，但仍存在不足：
4、上述现有技术中由于工程陶瓷材料硬度高、脆性大，属难加工材料，用普通切削金属的工具不能进行有效的机械加工，现在国内所用的一般加工方法有：采用金刚石刀具的机械加工、电加工、光加工、超声波加工等，因为这些工具或者是硬度不够难以切削陶瓷，或者是施加的局部拉伸载荷大于陶瓷内部的拉应力而引起脆性断裂，在对大尺寸规格氮化硅陶瓷基片进行加工时，加工不出理想的形状，达不到精度要求，为此提出了一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，提高对氮化硅陶瓷基片机械加工的精度，从而提高氮化硅陶瓷基片的成型质量。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，包括以下步骤：
...【技术保护点】
1.一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，根据S4所述，多线切割机床采用罗拉开槽工艺对氮化硅陶瓷基片生胚进行切割，多线切割机床使用金刚砂线缠绕在三个罗拉滚筒上，进行单方向转动切割。
3.根据权利要求2所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，根据S4所述，多线切割机床采用三个长度500mm的罗拉滚轮，进行分段开槽，三个罗拉滚轮上槽的角度为45度，段与段之间的距离为6mm，金刚石线的线径长度为15000米、直径为0.15mm。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，根据S4所述，多线切割机床的切削液系统采用水帘式喷水方式。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，基于S2所述，对干压的成型原料片的边角进行修整，对干压机模具中的残留物进行清理。
6.根据权利要求1所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，基于S2所述
7.根据权利要求1所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，基于S2所述，干压机采用液压系统作为驱动源。
8.根据权利要求7所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，基于S1和S2所述，干压原料进行干压时，基于氮化硅陶瓷基片生产原料的性质和氮化硅陶瓷基片制作的要求控制下压力和下压速度，下压力和下压速度均通过调节液压系统的参数实现。
...【技术特征摘要】
1.一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，根据s4所述，多线切割机床采用罗拉开槽工艺对氮化硅陶瓷基片生胚进行切割，多线切割机床使用金刚砂线缠绕在三个罗拉滚筒上，进行单方向转动切割。
3.根据权利要求2所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，根据s4所述，多线切割机床采用三个长度500mm的罗拉滚轮，进行分段开槽，三个罗拉滚轮上槽的角度为45度，段与段之间的距离为6mm，金刚石线的线径长度为15000米、直径为0.15mm。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，其特征在于，根据s4所述，多线切割机床的切削液系统采用水帘式喷水方式。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄岱，刘雄光，孙超，
申请(专利权)人：广州英诺创科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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