【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化硅陶瓷基片成型工艺，具体为一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺。
技术介绍
1、电子器件高集成化和微小型化的发展趋势，使其功率越来越高，器件工作温度也逐渐上升，一旦超过芯片的安全工作温度，会引起芯片的热失效和应力损坏，从而降低电子器件的使用寿命。为能够及时传输器件工作产生的热量，需要选用散热效果良好的基板材料；氮化硅陶瓷是一种高热且高机械性能的结构陶瓷，其热导率优于氧化铝陶瓷，机械性能比氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷更具有优越性，因此，是一种理想的散热基板材料。
2、流延法是氮化硅陶瓷基片生产时最常用的工艺之一，其工艺流程主要为原料制备、流延成型、干燥、烧结和表面处理。
3、上述现有技术中有明显的有益效果，但仍存在不足：
4、现有技术中在流延成型工艺的生产效率高、成本低，可实现全自动化，便于连续批量化生产，是陶瓷基片成型最有发展前景和潜力的工艺技术，但同样存在制备的流延膜容易起泡、开裂、变形、厚度不均匀等现象，导致成品率低下、平面度低、厚度不均匀、需要后续机械加工等难题，而陶瓷基片具有高平面度...
【技术保护点】
1.一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，根据S4所述，叠层的氮化硅陶瓷基片素坯位于上层和底层的生片的厚度大于其余生片的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，根据S3和S4所述，对切割成型的生片和干燥后的生片检测范围包括厚度检测、厚度均匀性检测、粘性检测和尺寸检测。
4.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，根据S2所述，采用风冷的方式对生片进行干燥处理。
<...【技术特征摘要】
1.一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，根据s4所述，叠层的氮化硅陶瓷基片素坯位于上层和底层的生片的厚度大于其余生片的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，根据s3和s4所述，对切割成型的生片和干燥后的生片检测范围包括厚度检测、厚度均匀性检测、粘性检测和尺寸检测。
4.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，根据s2所述，采用风冷的方式对生片进行干燥处理。
5.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺，其特征在于，根据s5所述，磨削机采用一机装配水磨片...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄岱，刘雄光，孙超，
申请(专利权)人：广州英诺创科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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