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本发明涉及氮化硅陶瓷基片成型工艺技术领域，且公开了一种氮化硅陶瓷基片材料流延成型工艺；在流延成型后未干燥前，对生片进行第一次的检测修整，并在第一次修整后进行干燥，在干燥后再进行第二次的检测修整，第二次检测修整后才可进行叠层粘连，通过在对氮化...
该专利属于广州英诺创科半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州英诺创科半导体科技有限公司授权不得商用。

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