【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模拟集成电路领域，尤其涉及一种目标信号的电平切换电路及方法。
技术介绍
1、模数转换器中的电平转换电路，其实现的功能是在数字信号的控制下完成高低电平的切换。目前实现电平切换的方法有很多，最常用的是使用一个pmos管和一个nmos管构成反相器，通过数字信号控制mos管栅极电压，从而控制pmos管和nmos管的工作状态(导通或者截止)，从而实现高低电平的切换。一般情况下，成型的mos管的耐压值是固定值，因此反相器一般只能对小于耐压值的电压进行电平转换，当需要对高电平的电压进行电平转换时，高电压电平转换对应的mos管耐压值也应随之变化。在实际生产中，当反相器的耐压值固定时，需要转换的电压比mos管的固定耐压值高，又没有满足的相应条件的mos管，无法直接通过低电平的反相器进行电平转换，会造成mos管击穿，反相器损坏。
2、因此，如何提供一种设计结构简单并对目标电压进行电平快速转换的电路，是目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供一种目标信号的电平切换电路，以解决上述技术问题。
2、为实现上述目的及相关目的，本申请提供的技术方案如下。
3、本申请提供一种目标信号的电平切换电路，包括：
4、第一上下拉模块，接第一控制信号、第一电压及第二电压，在所述第一控制信号的控制下进行上拉或下拉，得到参考信号；
5、第二上下拉模块，接所述参考信号、第二电压、第二控制信号及第三电压，在所述第
6、其中，所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压，所述第二上下拉模块包括上拉开关管，所述上拉开关管的预设耐压值大于所述第三电压。
7、可选地，所述第一上下拉模块包括第一pmos管及第一nmos管，所述第一pmos管的栅极接所述第一nmos管的栅极，所述第一pmos管的源极接所述第二电压，所述第一pmos管的漏极接所述第一nmos管的漏极，所述第一nmos管的源极接所述第一电压，其中，所述第一pmos管的栅极接所述第一控制信号，所述第一pmos管的漏极输出所述参考信号。
8、可选地，所述第二上下拉模块包括第二pmos管及第二nmos管，所述第二pmos管的源极接所述第三电压，所述第二pmos管的漏极接所述第二nmos管的漏极，所述第二nmos管的栅极接所述第二电压，其中，所述第二pmos管的栅极接所述第二控制信号，所述第二nmos管的源极接所述参考信号，所述第二pmos管的漏极输出所述目标信号。
9、可选地，所述第一控制信号的最大值大于或等于所述第二电压与所述第一pmos管的栅源电压的差值，所述第二控制信号的最大值大于或等于所述第三电压与所述第二pmos端的栅源电压的差值。
10、可选地，所述第一控制信号的电平与所述第二控制信号的电平进行同步变换。
11、可选地，所述第一pmos管的预设耐压值及所述第一nmos管的预设耐压值大于或等于所述第二电压与所述第一电压的差值，所述第二nmos管的预设耐压值大于或等于所述第三电压与所述第二电压的差值。
12、本申请还提供一种目标信号的电平切换方法，应用于如前所述的目标信号的电平切换电路，包括：
13、基于所述第一控制信号将所述参考信号上拉到所述第二电压或下拉到第一电压；
14、基于所述第二控制信号及所述第二电压将所述目标信号上拉到所述第三电压或下拉到所述第一电压；
15、其中，所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压。
16、可选地，基于所述第一控制信号将所述参考信号上拉到所述第二电压或下拉到第一电压；包括：若所述第一控制信号为高电平，则所述参考信号下拉到所述第一电压；若所述第一控制信号为低电平，则所述参考信号上拉到所述第二电压。
17、可选地，基于所述第二控制信号及所述第二电压将所述目标信号上拉到所述第三电压或下拉，包括：当所述第一控制信号及所述第二控制信号均为高电平时，所述参考信号下拉到所述第一电压，所述目标信号下拉到所述第一电压；当所述第一控制信号及所述第二控制信号均为低电平时，所述参考信号上拉到所述第二电压，所述目标信号上拉到所述第三电压。
18、本申请提供一种目标信号的电平切换电路及方法，该电路包括：第一上下拉模块及第二上下拉模块，第一上下拉模块，接第一控制信号、第一电压及第二电压，通过第一控制信号控制上拉或下拉，得到参考信号；第二上下拉模块，接参考信号、第二电压、第二控制信号及第三电压，根据第二电压及第二控制信号控制上拉或下拉，得到目标信号；其中，第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压，第二上下拉模块包括上拉开关管，上拉开关管的预设耐压值大于第三电压。本申请通过选择预设耐压值大于目标电压(第三电压)的mos管可实现对目标电压的电平转换，不需要预设耐压值等于目标电压的mos管，提高电路的兼容性和稳定性，在实际操作时，没有与目标电压相对于的mos管时，可直接实现对目标电压的电平转换，且不需要对固定耐压值的反相器的进行繁琐的改造，本设计结构简单，电平转换流程更便捷。
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1.一种目标信号的电平切换电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第一上下拉模块包括第一PMOS管及第一NMOS管，所述第一PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极接所述第二电压，所述第一PMOS管的漏极接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接所述第一电压，其中，所述第一PMOS管的栅极接所述第一控制信号，所述第一PMOS管的漏极输出所述参考信号。
3.根据权利要求2所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第二上下拉模块包括第二PMOS管及第二NMOS管，所述第二PMOS管的源极接所述第三电压，所述第二PMOS管的漏极接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极接所述第二电压，其中，所述第二PMOS管的栅极接所述第二控制信号，所述第二NMOS管的源极接所述参考信号，所述第二PMOS管的漏极输出所述目标信号。
4.根据权利要求3所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第一控制信号的最大值大于或等于所述第二电压与所述第一PMOS管的栅源电
5.根据权利要求4所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第一控制信号的电平与所述第二控制信号的电平进行同步变换。
6.根据权利要求3所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第一PMOS管的预设耐压值及所述第一NMOS管的预设耐压值大于或等于所述第二电压与所述第一电压的差值，所述第二NMOS管的预设耐压值大于或等于所述第三电压与所述第二电压的差值。
7.一种目标信号的电平切换方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6任一项所述的目标信号的电平切换电路，包括：
8.根据权利要求7所述的目标信号的电平切换的方法，其特征在于，基于所述第一控制信号将所述参考信号上拉到所述第二电压或下拉到第一电压；包括：
9.根据权利要求8所述的目标信号的电平切换的方法，其特征在于，基于所述第二控制信号及所述第二电压将所述目标信号上拉到所述第三电压或下拉到所述第一电压，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种目标信号的电平切换电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第一上下拉模块包括第一pmos管及第一nmos管，所述第一pmos管的栅极接所述第一nmos管的栅极，所述第一pmos管的源极接所述第二电压，所述第一pmos管的漏极接所述第一nmos管的漏极，所述第一nmos管的源极接所述第一电压，其中，所述第一pmos管的栅极接所述第一控制信号，所述第一pmos管的漏极输出所述参考信号。
3.根据权利要求2所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第二上下拉模块包括第二pmos管及第二nmos管，所述第二pmos管的源极接所述第三电压，所述第二pmos管的漏极接所述第二nmos管的漏极，所述第二nmos管的栅极接所述第二电压，其中，所述第二pmos管的栅极接所述第二控制信号，所述第二nmos管的源极接所述参考信号，所述第二pmos管的漏极输出所述目标信号。
4.根据权利要求3所述的目标信号的电平切换电路，其特征在于，所述第一控制信号的最大值大于或等于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：马琦赟，雷郎成，高炜祺，詹勇，王忠焰，杜宇彬，胡永菲，刘林果，文荟麟，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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