【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及存储器件、存储器系统及其编程操作方法。
技术介绍
1、例如，用作非易失性存储器的nand存储器件已知具有低成本、高容量、快改写速度等优点。在对nand存储器件进行编程时，典型地采用一遍(one-pass)或多遍(two-pass)编程方法。在这种方法中，编程操作从擦除状态开始。顺序地验证每个编程状态，直到所有状态的验证都通过为止，或者直到达到最大编程脉冲计数为止，然后编程操作可以结束。
2、然而，随着存储单元被擦除得更深，擦除状态的阈值电压分布可能变得更宽。这可能会影响每个编程状态的读取裕度，从而导致存储器读取错误的可能性增加。为此，如何更好地对存储器件进行编程以增加编程状态的读取裕度，以及降低存储器读取错误的概率，已经成为本领域的一个重要课题。
技术实现思路
1、在一个方面，本公开提供了一种编程操作的方法。在第i个编程循环处，响应于确定索引i大于或等于第一预设值且小于与存储器件中的存储单元的目标状态相对应的初始验证循环编号，可以对目标状态的存储单元执行第i个编程禁止操作。索引i可以为正整数，并且初始验证循环编号可以指示开始与存储单元的目标状态相对应的验证操作的编程循环编号。
2、在一些实现方式中，在第i个编程循环处，对存储单元执行第i个编程禁止操作可以包括：在第i个编程循环处，将第i位线编程禁止电压施加到与要被编程到目标状态的存储单元耦合的位线。
3、在一些实现方式中，第i位线编程禁止电压可以包括高于0v的电压电平。
4、
5、在一些实现方式中，该方法还可以包括：在第i个编程循环处，响应于确定索引i大于或等于1且小于第一预设值，对目标状态的存储单元执行第i个编程操作。
6、在一些实现方式中，在第i个编程循环处，对存储单元执行第i个编程操作可以包括：在第i个编程循环处，将第i位线编程电压施加到与要被编程到目标状态的存储单元耦合的位线。
7、在一些实现方式中，第i位线编程电压可以为0v。
8、在一些实现方式中，该方法可以包括：响应于在第p个编程循环处确定要被编程到目标状态的存储单元达到目标状态并且通过验证操作，在第(p+1)个编程循环处对目标状态的存储单元执行第(p+1)个编程禁止操作，p为大于初始验证循环编号的正整数。
9、在一些实现方式中，该方法可以包括：在第i个编程循环处，响应于确定索引i等于初始验证循环编号：对存储单元执行第i个编程操作；以及在执行第i个编程操作之后，对存储单元执行第i个验证操作。
10、在一些实现方式中，该方法还可以包括：在对存储单元进行第i个验证操作之后，生成第i个验证结果信号，该第i个验证结果信号指示与第i个验证操作相对应的验证结果。
11、在一些实现方式中，该方法还可以包括：响应于确定与存储单元相对应的所有目标状态通过验证操作，结束对所有目标状态的存储单元的编程操作。
12、在一些实现方式中，在第i个编程循环处，对存储单元执行第i个编程操作可以包括：在第i个编程循环处，将第i位线编程电压施加到与要被编程到目标状态的存储单元耦合的位线。
13、在一些实现方式中，第i位线编程可以电压包括：低于在第q个编程禁止操作中的第q位线编程禁止电压的电压电平。q可以为正整数。
14、在一些实现方式中，第i位线编程电压的电压电平可以是根据与存储单元的目标状态相对应的所要求的阈值电压与存储单元当前存储的电压之间的差来确定的。
15、在一些实现方式中，对于存储器件中的存储单元的所有目标状态，第一预设值可以是相同的。
16、在一些实现方式中，第一预设值可以为2。
17、在一些实现方式中，第一预设值可以包括初始验证循环编号与第二预设值之间的差。第二预设值可以包括正整数。
18、在一些实现方式中，第二预设值可以包括从1到5中选择的整数。
19、在一些实现方式中，第二预设值可以为4。
20、在一些实现方式中，初始验证循环编号可以为第一初始验证循环编号，并且目标状态可以为第一目标状态。第一预设值可以包括第二初始验证循环编号。第二初始验证循环编号可以指示开始与存储器件中的存储单元的第二目标状态相对应的验证操作的编程循环编号，第二目标状态可以为低于第一目标状态的状态。
21、在一些实现方式中，第一目标状态可以为第x状态，并且第二目标状态可以为第(x-j)状态。x可以包括大于或等于2且小于或等于存储器件中的存储单元的所有目标状态的总数l的整数，并且j可以包括正整数，使得(x-j)的值大于1。
22、在一些实现方式中，当l等于7时，j可以是从1到5中选择的；以及当l等于15时，j可以是从1到10中选择的。
23、另一方面，本公开提供了一种存储器件。存储器件可以包括多个存储单元和耦合到多个存储单元的外围电路。外围电路可以被配置为：在第i个编程循环处，响应于确定索引i大于或等于第一预设值且小于与存储器件中的存储单元的目标状态相对应的初始验证循环编号，对目标状态的存储单元执行第i个编程禁止操作。索引i可以为正整数，并且初始验证循环编号可以指示开始与存储单元的目标状态相对应的验证操作的编程循环编号。
24、在一些实现方式中，外围电路还可以被配置为：在第i个编程循环处，将第i位线编程禁止电压施加到与要被编程到目标状态的存储单元耦合的位线。
25、在一些实现方式中，第i位线编程禁止电压包括高于0v的电压电平。
26、在一些实现方式中，外围电路还可以被配置为：获取与存储单元的目标状态相对应的初始验证循环编号。
27、在一些实现方式中，外围电路还可以被配置为：在第i个编程循环处，响应于确定索引i大于或等于1且小于第一预设值，对目标状态的存储单元执行第i个编程操作。
28、在一些实现方式中，外围电路还可以被配置为：在第i个编程循环处，响应于确定索引i大于或等于1且小于第一预设值，将第i位线编程电压施加到与要被编程到目标状态的存储单元耦合的位线。
29、在一些实现方式中，第i位线编程电压可以为0v。
30、在一些实现方式中，外围电路还可以被配置为：响应于在第p个编程循环处确定要被编程到目标状态的存储单元达到目标状态并且通过验证操作，在第(p+1)个编程循环处对目标状态的存储单元执行第(p+1)个编程禁止操作。p可以为大于初始验证循环编号的正整数。
31、在一些实现方式中，外围电路还可以被配置为，在第i个编程循环处，响应于确定索引i等于初始验证循环编号：对存储单元执行第i个编程操作；以及在执行第i个编程操作之后，对存储单元执行第i个验证操作。
32、在一些实现方式中，外围电路还可以被配置为：在对存储单元进行第i个验证操作之后，生成第i个验证结果信号，该第i个验证结果信号本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种对存储器件执行编程操作的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第i个编程循环处，对所述存储单元执行所述第i个编程禁止操作包括：在所述第i个编程循环处，将第i位线编程禁止电压施加到与要被编程到所述目标状态的所述存储单元耦合的位线。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第i位线编程禁止电压包括高于0V的电压电平。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第i个编程循环处，对所述存储单元执行所述第i个编程操作包括：在所述第i个编程循环处，将第i位线编程电压施加到与要被编程到所述目标状态的所述存储单元耦合的位线。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第i位线编程电压为0V。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，还包括：
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
11.根据权利
12.根据权利要求9所述的方法，其中：
13.根据权利要求12所述的方法，其中：
14.根据权利要求13所述的方法，其中：
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，对于所述存储器件中的存储单元的所有目标状态，所述第一预设值是相同的。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一预设值为2。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中，所述第一预设值包括所述初始验证循环编号与第二预设值之间的差，其中，所述第二预设值包括正整数。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二预设值包括从1到5中选择的整数。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二预设值为4。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中：
21.根据权利要求20所述的方法，其中：
22.根据权利要求21所述的方法，其中：
23.一种存储器件，包括：
24.根据权利要求23所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
25.根据权利要求24所述的存储器件，其中，所述第i位线编程禁止电压包括高于0V的电压电平。
26.根据权利要求23-25中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
27.根据权利要求23-26中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
28.根据权利要求27所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
29.根据权利要求28所述的存储器件，其中，所述第i位线编程电压为0V。
30.根据权利要求23-29中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
31.根据权利要求23-30中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：在所述第i个编程循环处，响应于确定索引i等于所述初始验证循环编号：
32.根据权利要求31所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
33.根据权利要求31所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
34.根据权利要求31所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
35.根据权利要求34所述的存储器件，其中：
36.根据权利要求35所述的存储器件，其中：
37.根据权利要求23-36中任一项所述的存储器件，其中，对于所述存储器件中的存储单元的所有目标状态，所述第一预设值是相同的。
38.根据权利要求37所述的存储器件，其中，所述第一预设值为2。
39.根据权利要求23-38中任一项所述的存储器件，其中，所述第一预设值包括所述初始验证循环编号与第二预设值之间的差，其中，所述第二预设值包括正整数。
40.根据权利要求39所述的存储器件，其中，所述第二预设值包括从1到5中选择的整数。
41.根据权利要求40所述的存储器件，其中，所述第二预设值为4。
42.根据权利要求23-41中任一项所述的存储器件，其中：
43.根据权利要求42所述的存储器件，其中：
44.根据权利要求43所述的存储器件，其中：
45.根据权利要求23-44中任一项所述的存储器件，其中，所述存储器件是三维(3D)存储器件。
46.一种存储器系统，包括：<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种对存储器件执行编程操作的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第i个编程循环处，对所述存储单元执行所述第i个编程禁止操作包括：在所述第i个编程循环处，将第i位线编程禁止电压施加到与要被编程到所述目标状态的所述存储单元耦合的位线。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第i位线编程禁止电压包括高于0v的电压电平。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第i个编程循环处，对所述存储单元执行所述第i个编程操作包括：在所述第i个编程循环处，将第i位线编程电压施加到与要被编程到所述目标状态的所述存储单元耦合的位线。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第i位线编程电压为0v。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，还包括：
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
11.根据权利要求9所述的方法，还包括：
12.根据权利要求9所述的方法，其中：
13.根据权利要求12所述的方法，其中：
14.根据权利要求13所述的方法，其中：
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，对于所述存储器件中的存储单元的所有目标状态，所述第一预设值是相同的。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一预设值为2。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中，所述第一预设值包括所述初始验证循环编号与第二预设值之间的差，其中，所述第二预设值包括正整数。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二预设值包括从1到5中选择的整数。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二预设值为4。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中：
21.根据权利要求20所述的方法，其中：
22.根据权利要求21所述的方法，其中：
23.一种存储器件，包括：
24.根据权利要求23所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：
25.根据权利要求24所述的存储器件，其中，所述第i位线编程禁止电...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋雅丽，赵向南，崔莹，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。