【技术实现步骤摘要】
本文公开的实施例涉及存储器阵列且涉及用于形成存储器阵列的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造在个别存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称作字线)对存储器单元进行写入或从中进行读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每个存储器单元可通过感测线和存取线的组合唯一地寻址。
2、存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器耗散，且因此刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以用至少两个不同的可选择状态来保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视作“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个信息电平或状态。
3、场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与所述沟道区间隔开。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流动到另一者。当从栅极去除电压时，在很大程度上防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的
4、快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。例如，现代个人计算机可将基本输入输出系统(basic input output system，bios)存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器来替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够针对增强特征远程升级装置。
5、nand可以是集成快闪存储器的基本架构。nand单元装置包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(且所述串联组合通常称为nand串)。nand架构可以三维布置来配置，所述三维布置包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元单独地包括可逆编程的竖直晶体管。控制电路系统或其它电路系统可形成于竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括单独地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。
6、存储器阵列可布置于存储器页、存储器块和部分块(例如，子块)和存储器平面中，例如，如美国专利申请公开案第2015/0228651号、第2016/0267984号和第2017/0140833号中的任一个中所展示和描述。存储器块可至少部分地限定竖直堆叠的存储器单元的个别字线层中的个别字线的纵向轮廓。与这些字线的连接可在竖直堆叠的存储器单元的阵列的末端或边缘处所谓的“阶梯结构”中发生。阶梯结构包含个别“台阶”(替代地称为“阶”或“阶梯”)，其限定个别字线的接触区，竖向延伸的导电通孔在所述接触区上接触以提供对字线的电接入。
技术实现思路
1、在一个方面中，本申请案提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导体材料的导体层；在所述导体层上方形成堆叠的下部部分，所述堆叠的所述下部部分将包括竖直交替的第一层和第二层，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组成，所述第一层中的最下部第一层包括第一牺牲材料；在所述下部部分中形成水平伸长线，所述线个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间，所述线包括具有与所述第一牺牲材料不同的组成的第二牺牲材料，所述线个别地包括纵向沿着其的在所述最下部第一层中的横向相对突起部；在所述下部部分和所述线上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，且形成沟道材料串，所述沟道材料串延伸穿过所述上部部分中的所述第一层和所述第二层到所述下部部分中的所述最下部第一层；将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在所述横向紧邻的存储器块区之间且延伸到所述存储器块区之间的所述线；通过所述沟槽去除所述线和突起部的所述第二牺牲材料；以及在所述沟槽和由于所述线的所述第二牺牲材料的所述去除而留下的空隙空间中形成介入材料。
2、在另一方面中，本申请案提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成堆叠的下部部分，所述堆叠的所述下部部分将包括竖直交替的第一层和第二层，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组成；在所述下部部分中形成水平伸长线，所述线个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间，所述线包括牺牲材料，所述线个别地包括纵向沿着其的在所述第一层中的最下部第一层中的横向相对突起部；在所述下部部分和所述线上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，且形成沟道材料串，所述沟道材料串延伸穿过所述上部部分中的所述第一层和所述第二层到所述下部部分；将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在所述横向紧邻的存储器块区之间且延伸到所述存储器块区之间的所述线；通过所述沟槽去除所述线和突起部的所述牺牲材料；以及在所述沟槽和由于所述线的所述牺牲材料的所述去除而留下的空隙空间中形成介入材料。
3、在另一方面中，本申请案提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导体材料的导体层；在所述导体层上方形成堆叠的下部部分，所述堆叠的所述下部部分将包括竖直交替的第一层和第二层，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组成；所述下部部分包括：所述下部部分包括：在所述导体材料正上方的所述第二层中的最下部第二层；在所述最下部第二层正上方的所述第一层中的最下部第-层，所述最下部第一层包括第一牺牲材料；在所述最下部第一层正上方的第二层材料的第一层；在所述第一层正上方的具有与所述第一层不同的组成的第二层；在所述第二层正上方的具有与所述第二层不同的组成的第三层；并且所述最下部第一层比所述第二层厚；在延伸穿过所述第三层、所述第二层、所述第一层、所述最下部第一层、所述最下部第二层且延伸到所述导体材料中的下部部分中形成水平伸长凹槽；所述凹槽延伸到所述导体材料中的深度小于所述最下部第一层的厚度；使所述导体材料、所述最下部第一层的所述第一牺牲材料和所述第二层选择性地相对于所述最下部第二层、所述第一层和所述第三层横向凹进，以在所述导体材料、所述最下部第一层的所述第一牺牲材料和所述第二层中的所述凹槽的个别者纵向地形成横向相对凹部；将绝缘材料沿着所述凹槽的侧壁沉积且沉积到所述凹部中，所述绝缘材料填充所述导体材料中的所述凹部和所述第二层中的所述凹部，所述绝缘材料不本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料和所述绝缘体材料包括相同的组成。
3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中所述相同的组成包括二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料具有直接抵靠掺杂多晶硅的侧壁。
5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述掺杂多晶硅具有直接抵靠所述存储器单元串中的个别存储器单元串的电荷阻挡材料的侧壁的侧壁。
6.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述掺杂多晶硅直接抵靠所述导电材料的所述最上部表面。
7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料具有直接抵靠未掺杂多晶硅的侧壁。
8.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述未掺杂多晶硅具有直接抵靠所述存储器单元串中的个别存储器单元串的电荷阻挡材料的侧壁的侧壁。
9.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述未掺杂多晶硅直接抵靠所述导电材料的所述最上部表面。
10.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料具
11.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述氮化硅具有直接抵靠所述存储器单元串中的个别存储器单元串的电荷阻挡材料的侧壁的侧壁。
12.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述氮化硅直接抵靠所述导电材料的所述最上部表面。
13.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述导体层中的所述导体材料的最上部分包括导电掺杂多晶硅，所述绝缘体材料具有直接抵靠所述导电掺杂多晶硅的侧壁的侧壁。
14.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述介入材料具有在所述绝缘材料正下方的侧壁。
15.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述介入材料具有在所述绝缘体材料正上方的侧壁。
16.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述介入材料具有在所述绝缘材料正下方且在所述绝缘体材料正上方的侧壁。
17.根据权利要求16所述的存储器阵列，其中所述侧壁是垂直的。
...【技术特征摘要】
1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料和所述绝缘体材料包括相同的组成。
3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中所述相同的组成包括二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料具有直接抵靠掺杂多晶硅的侧壁。
5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述掺杂多晶硅具有直接抵靠所述存储器单元串中的个别存储器单元串的电荷阻挡材料的侧壁的侧壁。
6.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述掺杂多晶硅直接抵靠所述导电材料的所述最上部表面。
7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘材料具有直接抵靠未掺杂多晶硅的侧壁。
8.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述未掺杂多晶硅具有直接抵靠所述存储器单元串中的个别存储器单元串的电荷阻挡材料的侧壁的侧壁。
9.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述未掺杂多晶硅直接抵靠所述导电材料的所述最上部表面。...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·霍普金斯，A·N·斯卡伯勒，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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