【技术实现步骤摘要】
本申请涉及阵列基板的制造领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、目前显示行业正经历着多种变革，产品类型和产品性能也越来越优异。igzo(indium gallium zinc oxide，氧化铟镓锌)阵列基板具有迁移率大、开态电流高、开关特性更优、均匀性更好的特点，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。
2、但是，相关技术的igzo阵列基板制备方法中，等离子处理容易对半导体沟道产生污染，导致有效沟道长度变短，影响阵列基板工作的稳定性。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，以解决相关技术的igzo阵列基板制备方法中，等离子处理容易对半导体沟道产生污染，导致有效沟道长度变短，影响阵列基板工作的稳定性的技术问题。
2、第一方面，本申请提供了一种阵列基板的其制备方法，包括；
3、形成缓冲层；
4、在所述缓冲层的一侧形成半导体层；
5、在所述半导体层背离所述缓冲层的一侧形成栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层在所述缓冲层上的正投影落入所述半导体层在所述缓冲层上的正投影；
6、对所述半导体层进行等离子处理，使所述半导体层内部分半导体转化为导体，且等离子处理后的所述半导体层包括半导体区及导体化区；
7、在所述栅极绝缘层背离所述缓冲层的一侧形成栅极层，使所述栅极层在所述半导体层的正投影落入所述半导体区
8、其中，所述阵列基板的制备方法还包括：
9、在所述半导体层背离所述缓冲层的一侧形成保护层，所述保护层与所述栅极层间隔设置，其中，所述保护层和所述栅极绝缘层在所述缓冲层上的正投影覆盖所述半导体层在所述缓冲层上的正投影。
10、其中，所述保护层与所述栅极层通过相同的掩膜版进行制备，且所述保护层的材质所述栅极层的材质相同。
11、其中，所述形成缓冲层前，还包括：
12、形成承载基板；
13、在所述承载基板的一侧形成遮光层。
14、其中，所述阵列基板的制备方法还包括：
15、在所述栅极层背离所述缓冲层的一侧形成层间介质绝缘层，所述层间介质绝缘层覆盖所述栅极层、所述栅极绝缘层及所述保护层；
16、在所述层间介质绝缘层上形成第一过孔的第二过孔，所述第一过孔贯穿所述层间介质绝缘层与所述保护层相连，所述第二过孔依次贯穿所述层间介质绝缘层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层与所述遮光层相连。
17、其中，所述对所述半导体层进行等离子处理，包括：
18、采用惰性气体与所述半导体层进行反应。
19、其中，所述半导体层的材料包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟锌、氧化锌锡和氧化铟镓锌锡中的至少一者；所述栅极层的材料包括钛、铝、钼、铜中的至少一者。
20、第二方面，本申请提供了一种阵列基板，通过所述的阵列基板的制备方法所制备，所述阵列基板包括：
21、缓冲层；
22、半导体层，设于所述缓冲层上，所述半导体层包括半导体区及导体化区；
23、栅极绝缘层，设于所述半导体层背离所述缓冲层的一侧，所述半导体层在所述缓冲层上的正投影覆盖所述栅极绝缘层在所述缓冲层上的正投影；
24、栅极层，设于所述栅极绝缘层背离所述缓冲层的一侧，所述栅极层在所述半导体层的正投影落入所述半导体区；
25、保护层，所述保护层设于所述半导体层背离所述缓冲层的一侧，所述保护层与所述栅极层间隔设置，所述保护层和所述栅极绝缘层覆盖所述半导体层。
26、其中，所述保护层的材质与所述栅极层的材质相同。
27、第三方面，本申请提供了一种显示装置，所述显示装置包括壳体及所述阵列基板，所述壳体用于承载所述阵列基板。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述保护层与所述栅极层通过相同的掩膜版进行制备，且所述保护层的材质所述栅极层的材质相同。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成缓冲层前，还包括：
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行等离子处理，包括：
7.据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半导体层的材料包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟锌、氧化锌锡和氧化铟镓锌锡中的至少一者；所述栅极层的材料包括钛、铝、钼、铜中的至少一者。
8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
9.据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层的材质与所述栅极层的材质相同。
10.
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述保护层与所述栅极层通过相同的掩膜版进行制备，且所述保护层的材质所述栅极层的材质相同。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成缓冲层前，还包括：
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁和俊，宋颖，帖勇，李永峰，朱成顺，黄学勇，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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