【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，特别是涉及一种硅片的加工方法。
技术介绍
1、单晶硅被广泛应用于半导体芯片、光伏、医疗、航空航天、国防和工业自动化等领域。目前，单晶硅片尺寸按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300mm）以及18英寸（450mm）。而将其制成所需的器件，则需将其切割为5.4mm~6.7mm圆片，传统做法如下：先在cnc治具表面均匀点上适量胶水，然后将硅片原材直接贴合在cnc治具表面，使用cnc将其切割为所需尺寸的硅片，最后清洗除胶，包装，该硅片加工方法效率高、操作简单。
2、但是由于硅片内部存在较大的应力，将硅片原材紧密贴合于治具表面进行加工时，加工刀具高速旋转极易形成砂崩或崩边；硅片砂崩后，其细小颗粒与硅片表面接触摩擦后，易造成划伤；加工切割后，硅片表面残留胶水，不易去除；崩边与划伤将会影响硅片强度；良率较低，造成原材浪费。
3、因此，如何提供一种提高硅片加工良率的方法，成为目前迫切需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种能够提高硅片加工良率的硅片加工方法。
2、第一方面，本申请提供一种硅片的加工方法，所述硅片的加工方法包括：
3、在硅片原料相对的两侧表面分别形成至少一层保护层；
4、对具有所述保护层的所述硅片原料进行机械切割加工；
5、去除所述保护层后得到硅片成品。
6、在一些实施方式中，所述保护层的形成方法包括：通过辊印机在所述硅片原料的两对侧面辊印浆料后形成保
7、在一些实施方式中，所述保护层采用辊印的形成方法包括：
8、在所述硅片原料的表面通过辊印机按照预设辊筒转速辊印浆料；
9、辊印浆料后的所述硅片原料在第一固化能量下进行固化，然后在第一温度下烘烤得到所述保护层。
10、所述保护层的形成方法包括：通过丝印机在所述硅片原料的两对侧面丝印浆料后保护层。
11、在一些实施方式中，所述保护层采用丝印的形成方法包括：
12、将所述硅片原料贴合在丝印机上，在预设丝印参数情况下在所述硅片原料的表面上丝网印刷浆料；
13、印刷有浆料的所述硅片原料在第二固化能量下进行固化，然后在第二温度下烘烤得到所述保护层。
14、在一些实施方式中，所述浆料的粘度为4500mpa·s~ 24600mpa·s。
15、在一些实施方式中，所述浆料的ph为6~7。
16、在一些实施方式中，所述保护层包括水褪型保护油墨。
17、所述水褪型保护油墨的制备原料包括水性聚氨酯丙烯酸树脂、水性聚酯丙烯酸树脂和活性单体。
18、在一些实施方式中，按照质量百分比计，所述水褪型保护油墨的原料包括：
19、水性聚氨酯丙烯酸树脂 30%~40%；
20、水性聚酯丙烯酸树脂 20%~30%；及
21、活性单体 15%~25%。
22、在一些实施方式中，位于所述硅片原料一侧表面的所述保护层的总厚度为6μm~20μm。
23、与传统技术相比，本申请至少具有以下有益效果：
24、本申请在硅片原料的两侧表面形成保护层，在对硅片原料进行切割加工时，可以减少碎屑以及搬运过程中对硅片表面产生划伤，而且还可以减少应力集中出现的情况，有效降低加工过程中崩边及锯齿产生的概率，提高加工产品良率；此外，通过保护层的设置，能够降低对机械切割设备的稳定性要求，降低了硅片原料的加工要求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅片的加工方法，其特征在于，所述硅片的加工方法包括：
2.如权利要求1所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：通过辊印机在所述硅片原料的两对侧面辊印浆料后形成保护层。
3.如权利要求2所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层采用辊印的形成方法包括：
4.如权利要求1所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：通过丝印机在所述硅片原料的两对侧面丝印浆料后形成保护层。
5.如权利要求4所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层采用丝印的形成方法包括：
6.如权利要求2或4所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述浆料的粘度为4500mPa·s~ 24600mPa·s。
7.如权利要求2或4所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述浆料的pH为6~7。
8.如权利要求1所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层包括水褪型保护油墨；
9.如权利要求8所述的硅片的加工方法，其特征在于，按照质量百分比计，所述水褪型保护油墨的原料包括：
10.
...【技术特征摘要】
1.一种硅片的加工方法，其特征在于，所述硅片的加工方法包括：
2.如权利要求1所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：通过辊印机在所述硅片原料的两对侧面辊印浆料后形成保护层。
3.如权利要求2所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层采用辊印的形成方法包括：
4.如权利要求1所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：通过丝印机在所述硅片原料的两对侧面丝印浆料后形成保护层。
5.如权利要求4所述的硅片的加工方法，其特征在于，所述保护层采用丝印的形成方法包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：韩宗保，肖永军，赵青松，袁继运，金文俊，罗勇，
申请(专利权)人：维达力科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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