半导体模块制造技术

本公开涉及一种半导体模块，抑制第一半导体元件与第二半导体元件中的电流不平衡。半导体模块具备：绝缘基板；绝缘基板上的导电图案；导电图案上的第一半导体元件，其具有第一输入电极、第一输出电极以及第一控制电极；导电图案上的第二半导体元件，其具有第二输入电极、第二输出电极以及第二控制电极；第一集电部，其经由第一布线来与第一输出电极电连接；以及第二集电部，其经由第二布线来与第二输出电极电连接，其中，第一半导体元件和第二半导体元件各自包括开关元件及二极管这双方，第一集电部和第二集电部隔着导电图案设置在相反侧，从第一输出电极到第一集电部为止的电流路径长度与从第二输出电极到第二集电部为止的电流路径长度相等。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体模块。

技术介绍

1、已知一种例如用于逆变器装置等电力变换装置的半导体模块。该半导体模块例如具有包括igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、pin二极管、sbd(肖特基势垒二极管)等的半导体元件。作为所述的半导体模块的一例，能够举出专利文献1所记载的半导体装置。

2、专利文献1所记载的半导体装置具备外部电极、以及多个作为mosfet的半导体元件。各半导体元件在下表面形成漏极电极，在上表面形成源极电极和栅极电极。源极电极与外部电极电连接。另外，在该半导体装置中，多个半导体元件在金属块上配置成一列。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2005-252305号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体模块，还具备：

5.根据权利要求4所述的半导体模块，其中，

6.根据权利要求3所述的半导体模块，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体模块，还具备：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：能川玄之，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：