【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及一种半导体装置和/或一种用于制造该半导体装置的方法，并且更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和/或一种用于制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、半导体装置可以包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mos-fet)组成或包含金属氧化物半导体场效应晶体管(mos-fet)的集成电路。为了满足或至少部分地满足对具有小图案尺寸和/或减小的设计规则的半导体装置的不断增长的需求，mos-fet正在积极地按比例缩小。mos-fet的按比例缩小可能会导致半导体装置的操作性质的劣化。正在进行各种研究以克服与半导体装置的按比例缩小相关联的技术限制和/或实现高性能半导体装置。
技术实现思路
1、示例实施例的至少一个目的是提供一种具有改善的电特性和可靠性的半导体装置和/或用于制造该半导体装置的方法。
2、通过示例实施例要解决的问题不限于上面提及的问题，并且本领域普通技术人员通过下面的描述将清楚地理解未提及的其它问题。
3、根据各种示例实施例的半导体装置可以包括：基底，包括有源图案；一对沟道图案，在有源图案上沿第一方向彼此间隔开，所述一对沟道图案中的每个包括竖直地堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在所述一对沟道图案之间；一对栅电极，在所述一对沟道图案上；有源接触件，在所述一对栅电极之间；以及外间隔件，在所述一对栅电极的侧表面上。利用其间的有源接触件而彼此间隔开的外间隔件之间的距离可以小于源极/漏极图案在半导体图案之中的最上面的半导体图案的上表面所处的第一水平
4、根据各种示例实施例的半导体装置可以包括：基底，包括有源图案；隔离图案，围绕有源图案；一对沟道图案，在有源图案上沿第一方向彼此间隔开，所述一对沟道图案中的每个包括竖直地堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在所述一对沟道图案之间；一对栅电极，在所述一对沟道图案上；栅极覆盖图案，在所述一对栅电极的上表面上；层间绝缘层，在所述一对栅电极之间；外间隔件，在所述一对栅电极的侧表面上；内间隔件，在所述一对栅电极的侧表面与外间隔件之间；栅极绝缘图案，在所述一对栅电极与内间隔件之间；以及有源接触件，穿过层间绝缘层连接到源极/漏极图案。外间隔件和内间隔件可以在栅极覆盖图案的侧表面上延伸。利用其间的有源接触件而彼此间隔开的外间隔件之间的距离可以小于源极/漏极图案在半导体图案之中的最上面的半导体图案的上表面所处的第一水平处在第一方向上的宽度。
5、根据各种示例实施例的制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：在基底上形成堆叠图案；在堆叠图案上形成牺牲图案，在牺牲图案的上表面上形成硬掩模图案并在牺牲图案之间形成掩模凹部；在形成内间隔件层之后执行离子注入工艺，内间隔件共形地覆盖掩模凹部的内壁；形成共形地覆盖内间隔件层的外间隔件层；蚀刻内间隔件层和外间隔件层以分别形成内间隔件和外间隔件；使用硬掩模图案、内间隔件和外间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻堆叠图案以形成凹部；以及形成填充凹部的源极/漏极图案。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源极/漏极图案在第一水平处的部分与外间隔件至少部分地竖直地叠置。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源极/漏极图案在第一水平处在第一方向上的宽度大于在其它水平处的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，源极/漏极图案在第一水平处的部分与拐角部至少部分地竖直地叠置。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，外间隔件中的每个外间隔件通过拐角部与源极/漏极图案间隔开。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，利用其间的有源接触件而彼此间隔开的拐角部之间的距离小于源极/漏极图案在第一水平处沿第一方向的宽度。
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13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，源极/漏极图案的上表面包括在外间隔件下面的边缘表面。
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，外间隔件通过内间隔件与源极/漏极图案间隔开。
16.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，使用锗离子执行离子注入工艺。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在蚀刻堆叠图案的步骤中，堆叠图案的离子注入区域的蚀刻速率比堆叠图案的其它区域的蚀刻速率快。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，凹槽暴露内间隔件的下表面的至少一部分。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源极/漏极图案在第一水平处的部分与外间隔件至少部分地竖直地叠置。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源极/漏极图案在第一水平处在第一方向上的宽度大于在其它水平处的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，源极/漏极图案在第一水平处的部分与拐角部至少部分地竖直地叠置。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，外间隔件中的每个外间隔件通过拐角部与源极/漏极图案间隔开。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其...
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