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提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法，所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；一对沟道图案，在有源图案上沿第一方向彼此间隔开，所述一对沟道图案中的每个包括竖直地堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在所述一对沟道图案之间；一对栅电极，在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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