半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：40197931 阅读：34 留言：0更新日期：2024-01-27 00:01

本发明专利技术提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，由氢离子形成的施主浓度有时根据半导体基板的碳浓度等而变动。半导体装置的制造方法包括：设定步骤，根据缓冲区应具有的载流子浓度的分布来设定向与多个浓度峰对应的多个深度位置注入的氢离子的剂量；以及注入步骤，根据在设定步骤中设定的所述剂量向半导体基板注入氢离子，在设定步骤中，根据半导体基板的碳浓度来设定针对多个浓度峰中的距半导体基板的下表面最远的最深峰的氢离子的剂量，并且不依赖于半导体基板的所述碳浓度来设定针对除最深峰以外的浓度峰中的至少一个浓度峰的剂量。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、以往，已知有向半导体基板注入氢离子而利用氢离子形成施主的技术(例如，参照专利文献1或2)。

2、专利文献1：日本特开2016-96338号公报

3、专利文献2：us2018/0122895号

技术实现思路

1、技术问题

2、由氢离子形成的施主浓度有时根据半导体基板的碳浓度等而变化。

3、技术方案

4、为了解决上述课题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置可以具备第一导电型的漂移区和第一导电型的缓冲区，所述第一导电型的漂移区设置在具有上表面和下表面的半导体基板，所述第一导电型的缓冲区设置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，并包含载流子浓度高于所述漂移区的载流子浓度的多个浓度峰。制造方法可以包括设定步骤，根据所述缓冲区应具有的所述载流子浓度的分布，设定向与所述多个浓度峰对应的多个深度位置注入的氢离子的剂量。制造方法可以包括注入步骤，...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求7所述...

【技术特征摘要】