存储控制器制造技术

公开了一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法。该方法包括向非易失性存储器设备提供读取命令，从非易失性存储器设备接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息，确定第一读取数据的错误是否可纠正，以及响应于确定第一读取数据的错误可纠正，基于第一分布信息更新存储控制器中的历史表的偏移信息。

【技术实现步骤摘要】

本公开的主题涉及存储设备和控制器，并且更具体地，涉及接收读取数据和阈值电压分布信息的存储控制器，以及操作其的方法。

技术介绍

1、存储器设备响应于写入请求而存储数据，并且响应于读取请求而输出存储在其中的数据。例如，存储器设备能够被分类为易失性存储器设备(例如，动态随机存取存储器(dram)设备和静态ram(sram)设备)或非易失性存储器设备(例如，闪存设备、相变ram(pram)设备、磁性ram(mram)设备或电阻式ram(rram)设备)，其中，易失性存储器设备在电源中断时丢失存储的数据，非易失性存储器设备即使在电源中断时也保留存储的数据。

2、非易失性存储器设备的存储器单元可以具有与数据的位值相对应的编程的阈值电压分布。阈值电压分布可以由于诸如保留时间、读取干扰和热载流子注入(hci)的各种因素而改变。阈值电压分布的改变会降低非易失性存储器设备的可靠性。为了检查是否存在可靠性的降低，存储控制器可以读取非易失性存储器设备的分布信息。

技术实现思路

1、单独管理用于读取数据的输入/输出(i/o本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储控制器与主机通信，

3.根据权利要求1所述的方法，其中，从非易失性存储器设备连续地接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，非易失性存储器设备被配置为基于读取命令的目标读取电压电平来执行片上读取操作，并且

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述片上读取操作包括片上谷搜索(OVS)读取操作，并且

6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一计数值和第二计数值中的至少一个...

【技术特征摘要】

1.一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储控制器与主机通信，

3.根据权利要求1所述的方法，其中，从非易失性存储器设备连续地接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，非易失性存储器设备被配置为基于读取命令的目标读取电压电平来执行片上读取操作，并且

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述片上读取操作包括片上谷搜索(ovs)读取操作，并且

6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一计数值和第二计数值中的至少一个与优化谷的电压电平具有相关性，

7.根据权利要求1所述的方法，其中，偏移信息指示在当非易失性存储器设备处理读取命令时的优化谷的电压电平与在初始时间的默认谷的电压电平之间的差。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，从非易失性存储器设备连续地接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，由存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜宇现，全秀昶，金洙贤，金炫我，徐荣德，吴玄教，林东厚，田炳宽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：