【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路
,尤其涉及一种动态随机存储器EDO读写模式信号 时序参数的实现方法。
技术介绍
在一个系统中,动态随机存储器DRAM存储器用来存储程序和数据,它们由处理器 来访问和使用,这通过处理器发出的读或写操作命令来实现。处理器发出的读或写命令有 自己特定的形式,而DRAM存储器也有自己能识别的命令格式,这两者通常是差别非常大 的,因此需要有DRAM控制器来完成命令转换。如附图1所示,从结构上讲,DRAM控制器由3 部分组成一、处理器命令接收和译码部分;二、读写访问调度部分;三、DRAM控制和命令生 成部分。其中第一部分只与处理器相关,它接受处理器发出的读或写访问,然后生成第二部 分能够识别的控制信号,用以安排和调度需要进行的操作;第二部分接收第一部分生成的 控制信号,从宏观上安排和调度需要进行的操作,生成第三部分能够识别的控制信号,它是 第一部分和第三部分的过渡和联接;而第三部分只与DRAM存储器相关,它对第二部分安排 和调度的操作进行细节和时序控制,生成DRAM存储器可以识别的各种命令。对于第三部分,即DRAM控制和命令生成部分,需要针对工 ...
【技术保护点】
一种动态随机存储器读写模式信号时序参数的实现方法,该方法包括:在同一时钟域下,行地址选中信号(RAS)有效触发而开启,读操作或写操作开始,同时送入读操作或写操作的行地址信号(ADDR),行地址选中信号(RAS)保持低电平或高电平;然后,列地址选中信号(CAS)有效触发而开启,所述行地址选中信号(RAS)保持不变,当输出使能信号(OE)有效(WE=1、OE=0),同时送入读操作列地址,数据输入输出信号(IO)传输数据;当写使能信号(WE)有效(WE=0、OE=1),同时送入写操作列地址(ADDR)和写数据(IO),数据输入输出信号(IO)传输数据;当行地址选中信号(RAS)有 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郑茳,肖佐楠,林峰,
申请(专利权)人:苏州国芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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