【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制备设备，具体涉及一种匀气装置及化学气相沉积匀气系统。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。对于反应气体匀气系统来说，在化学气相沉积过程中，反应气体的均匀性直接影响沉积膜厚度的均匀性，尤其在半导体晶圆制造中，对沉积膜厚度的均匀性要求非常高，如果晶圆表面沉积膜的厚度一致性超过允值，会导致晶圆报废。
2、传统设计一般通过改变气孔的大小或分布来调节气体均匀性，一般做法是先加工个气孔均匀分布的零件，然后根据实验结果重新修改零件，修改孔的大小和孔的分布，如图1所示的。例如，沉积膜厚的地方减小孔径或减少孔的数量，沉积膜薄的地方，加大孔径或增多孔的数量，如此反复实验修改直至确定匀气系统结构，此方法最大的缺点是，需要加工大量的零件，消耗大量的时间，增大了设备研发时间和成本。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种匀气装置及化学气相沉积匀气系统，实现了较为良好的匀气效果，且提升了匀气装置及其匀气系统匀气能力，提升了工艺操作及前期研发效率。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、一方面，提供一种匀气装置，包括圆盘状的第一匀气件以及设于所述第一匀气件上的多个第二匀气件；
4、其中，所述第一匀气件上设有多个第一通气孔，每一排第一通气孔将相邻两个所述第二匀气件间隔开，所
5、由所述第一匀气件顶面向上延伸形成圆筒状的隔离部，所述隔离部将所述第一匀气件的中心部与边缘部隔离开，所述第一匀气件上的多个所述第一通气孔位于所述中心部，每个所述第二匀气件上的多个所述第二通气孔在所述第一弯折通道入口处具有一个第三通气孔，所述第三通气孔位于所述边缘部，且每个所述第一通气孔连通一个第一进气口，每个所述第三通气孔连通一个第二进气口。
6、在一些实施例中，所述第一进气口通入与所述第二进气口不同种类的气体；或者，所述第一进气口通入与所述第二进气口种类相同、配比比例不同的混合气体。
7、在一些实施例中，所述第一进气口、所述第二进气口均通入第一气体与第二气体的混合气体，所述第一进气口通入的所述混合气体中，所述第一气体与所述第二气体的配比比例为第一比例，所述第二进气口通入的所述混合气体中，所述第一气体与所述第二气体的配比比例为第二比例，且所述第一比例与所述第二比例不相等。
8、在一些实施例中，所述中心部的每一排第一通气孔数量大于所述边缘部的每一排第一通气孔数量，所述边缘部的每一排第一通气孔数量，由靠近所述中心部位置向远离所述中心部位置依次递减。
9、在一些实施例中，相邻两排所述第一通气孔之间的每一排位置上布置有两个所述第二匀气件，所述第二匀气件的长度由中心位置向边缘位置依次减小，使得所述中间通道的长度由中心位置向边缘位置依次减小。
10、在一些实施例中，所述中心部与所述边缘部具有不同的进气通道，并分别由不同的进气阀或质量流量计控制所述中心部、所述边缘部进气流量。
11、在一些实施例中，所述中心部与所述边缘部的进气比例范围为1至100。
12、在一些实施例中，所述第一通气孔为由所述第一匀气件的底面竖直向上延伸至所述第一匀气件上的顶面的通孔。
13、在一些实施例中，所述第一通气孔的直径大于所述第二通气孔的直径。
14、另一方面，提供了一种化学气相沉积匀气系统，包括腔体，所述腔体底部设有可升降底座，用于放置晶圆的热台固定于所述可升降底座上，所述腔体内还设有腔体内衬、抽气匀气环以及根据上述任一实施例所述的匀气装置。
15、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
16、1、与传统只有一个通路的进气设置，以及固定大小、分布的通气孔相比，通过设置有不同结构方式的第一匀气件和第二匀气件，将第一匀气件的通气管道与第二匀气件通气通道相互隔离开，但又保持间隔均匀分布，能够避免化学气相沉积匀气系统在进行沉积工艺前，既能起到将通入气体于待处理的晶圆上均匀分布，又可以通过控制不同单个气体或混合气体不同流道、不同流量或不同时间点通入，既使得通入气体分布更均匀，起到良好的匀气功能，也能避免通入不同气体提前反应过度而影响后续的沉积效果；
17、2、由于匀气装置中心部与边缘部气体比例可调节，极大提升了匀气装置及其匀气系统匀气能力，从而也扩大匀气系统使用工艺范围；
18、3、通过匀气装置上活动部件的设计，能够降低零件加工时间和成本，快速实现匀气功能，减少研发时间，提升了工艺操作及前期研发效率。
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1.一种匀气装置，其特征在于，包括圆盘状的第一匀气件以及设于所述第一匀气件上的多个第二匀气件；
2.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，所述第一进气口通入与所述第二进气口不同种类的气体；或者，所述第一进气口通入与所述第二进气口种类相同、配比比例不同的混合气体。
3.根据权利要求2所述的匀气装置，其特征在于，所述第一进气口、所述第二进气口均通入第一气体与第二气体的混合气体，所述第一进气口通入的所述混合气体中，所述第一气体与所述第二气体的配比比例为第一比例，所述第二进气口通入的所述混合气体中，所述第一气体与所述第二气体的配比比例为第二比例，且所述第一比例与所述第二比例不相等。
4.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，所述中心部的每一排第一通气孔数量大于所述边缘部的每一排第一通气孔数量，所述边缘部的每一排第一通气孔数量，由靠近所述中心部位置向远离所述中心部位置依次递减。
5.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，相邻两排所述第一通气孔之间的每一排位置上布置有两个所述第二匀气件，所述第二匀气件的长度由中心位置向边缘位置依次减
6.根据权利要求1至5任一项所述的匀气装置，其特征在于，所述中心部与所述边缘部具有不同的进气通道，并分别由不同的进气阀或质量流量计控制所述中心部、所述边缘部进气流量。
7.根据权利要求6所述的匀气装置，其特征在于，所述中心部与所述边缘部的进气比例范围为1至100。
8.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，所述第一通气孔为由所述第一匀气件的底面竖直向上延伸至所述第一匀气件上的顶面的通孔。
9.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，所述第一通气孔的直径大于所述第二通气孔的直径。
10.一种化学气相沉积匀气系统，其特征在于，包括腔体，所述腔体底部设有可升降底座，用于放置晶圆的热台固定于所述可升降底座上，所述腔体内还设有腔体内衬、抽气匀气环以及根据权利要求1至9任一项所述的匀气装置。
...【技术特征摘要】
1.一种匀气装置，其特征在于，包括圆盘状的第一匀气件以及设于所述第一匀气件上的多个第二匀气件；
2.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，所述第一进气口通入与所述第二进气口不同种类的气体；或者，所述第一进气口通入与所述第二进气口种类相同、配比比例不同的混合气体。
3.根据权利要求2所述的匀气装置，其特征在于，所述第一进气口、所述第二进气口均通入第一气体与第二气体的混合气体，所述第一进气口通入的所述混合气体中，所述第一气体与所述第二气体的配比比例为第一比例，所述第二进气口通入的所述混合气体中，所述第一气体与所述第二气体的配比比例为第二比例，且所述第一比例与所述第二比例不相等。
4.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，所述中心部的每一排第一通气孔数量大于所述边缘部的每一排第一通气孔数量，所述边缘部的每一排第一通气孔数量，由靠近所述中心部位置向远离所述中心部位置依次递减。
5.根据权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，相邻两排所述第一通气孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：张朋兵，王兆祥，涂乐义，梁洁，邱勇，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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