【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构和半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，简称dram)是常用的半导体存储器件，包括多个重复的存储单元。每个存储单元通常包括晶体管和电容器，晶体管的栅极与字线(word line，简称wl)相连、漏极与位线(bit line，简称bl)相连、源极与电容器相连。
2、dram存储器中设置有导电连接结构，导电连接结构可以是金属互连结构或接触插塞结构。其中，金属互连结构用于将不同存储单元的信号线连接，或者用于连接存储单元中不同的导电层。为适应dram存储器的尺寸不断微缩，相关技术中的导电连接结构的尺寸以及相邻导电连接结构之间的距离均相应地不断缩小。
3、然而，上述方案中的导电连接结构的寄生电容较大，导致其rc(电容电阻)延迟较为严重，影响dram存储器的存储性能。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，能够有效降低导电连接结构的寄...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括导电层，所述导电层内具有孔道，所述孔道的内壁覆盖有第一介质层，靠近所述孔道的孔口一侧的所述第一介质层的厚度，大于远离所述孔口一侧的所述第一介质层的厚度；靠近所述孔口一侧的所述第一介质层上覆盖有第二介质层，所述第二介质层封堵所述孔口；
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述孔道内的所述第一介质层包括第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述孔口，所述第二部分远离所述孔口；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，靠近所述孔口一侧的所述第一部分的厚度，大于远离所述孔口一侧的所述第一部分的厚
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括导电层，所述导电层内具有孔道，所述孔道的内壁覆盖有第一介质层，靠近所述孔道的孔口一侧的所述第一介质层的厚度，大于远离所述孔口一侧的所述第一介质层的厚度；靠近所述孔口一侧的所述第一介质层上覆盖有第二介质层，所述第二介质层封堵所述孔口；
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述孔道内的所述第一介质层包括第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述孔口，所述第二部分远离所述孔口；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，靠近所述孔口一侧的所述第一部分的厚度，大于远离所述孔口一侧的所述第一部分的厚度；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，靠近所述孔口一侧的所述第二介质层的厚度，大于远离所述孔口一侧的所述第二介质层的厚度；
5.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分的厚度范围为5-10nm。
6.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层包括第三部分，所述第三部分覆盖所述孔道的至少部分孔底，所述第三部分的厚度大于所述第二部分的厚度。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括第三介质层，...
【专利技术属性】
技术研发人员：韦钧，闫冬，晏陶燕，白东贺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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