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半导体结构和半导体结构的制备方法技术
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文档序号:40193701
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本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法,该半导体结构包括导电层,导电层内具有孔道,孔道的内壁覆盖有第一介质层,靠近孔道的孔口一侧的第一介质层的厚度,大于远离孔口一侧的第一介质层的厚度;靠近孔口一侧的第一介质层上覆盖有第二介质层,第二...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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