内壁构件的再生方法技术

设置于进行等离子体处理的处理室的内壁的内壁构件(40)具备基材(41)、阳极氧化膜(42a)以及喷镀膜(42b)。基材(41)具有表面(FS1)、位于比表面(FS1)高的位置的表面(FS2)以及侧面(SS1)。内壁构件(40)的再生方法包括：(a)利用掩蔽件(100)覆盖从喷镀膜(42b)露出的阳极氧化膜(42a)的工序；(b)通过喷砂处理，除去表面(FS2)上的喷镀膜(42b)，并且使侧面(SS1)上以及表面(FS1)的一部分上的喷镀膜(42b)残留的工序；(c)取下掩蔽件(100)的工序；(d)利用掩蔽件(101)覆盖位于与残存的喷镀膜(42b)分离的位置的阳极氧化膜(42a)的工序；(e)以覆盖残存的喷镀膜(42b)的方式，通过喷镀法在表面(FS2)上、侧面(SS1)上以及表面(FS1)的一部分上形成新的喷镀膜(42b)的工序；以及(f)取下掩蔽件(101)的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及内壁构件的再生方法，尤其涉及设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。

技术介绍

1、进行加工由半导体构成的晶片并制造电子器件的处理。在该制造工序中，为了在上述晶片的表面形成电路构造，而应用使用了等离子体的蚀刻。在基于这样的等离子体蚀刻的加工中，伴随着电子器件的高集成化，要求进一步高的加工精度以及成品率的提高。

2、在用于等离子体蚀刻的等离子体处理装置中，在真空容器的内部配置有处理室。设置于处理室的内部构件的基材通常从强度以及成本的观点出发由铝或不锈钢等金属构成。内部构件暴露于等离子体，因此在基材的表面配置耐等离子体性高的皮膜。由此，在更长的期间内，基材的表面不会被等离子体消耗。或者，在等离子体与内部构件的表面之间，抑制相互作用的量或性质的变化。

3、作为耐等离子体性高的皮膜，通常使用阳极氧化膜以及喷镀膜。然而，在长时间的使用后由于劣化而喷镀膜的厚度减少无法避免。存在喷镀膜的表面在长期间的使用之后劣化且喷镀膜的粒子由于与等离子体的相互作用而被消耗导致喷镀膜的膜厚减少这样的问题。当基材本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种内壁构件的再生方法，所述内壁构件设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁，其中，

2.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

3.根据权利要求2所述的内壁构件的再生方法，其中，

4.根据权利要求3所述的内壁构件的再生方法，其中，

5.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

6.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

7.一种内壁构件的再生方法，所述内壁构件设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁，其中，

8.根据权利要求7所述的内壁构件的再生...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种内壁构件的再生方法，所述内壁构件设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁，其中，

2.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

3.根据权利要求2所述的内壁构件的再生方法，其中，

4.根据权利要求3所述的内壁构件的再生方法，其中，

5.根据权利要求1所述的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文颢，川口忠义，永井宏治，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：