内壁构件的再生方法技术

技术编号：40185886 阅读：24 留言：0更新日期：2024-01-26 23:50

设置于进行等离子体处理的处理室的内壁的内壁构件(40)具备基材(41)、阳极氧化膜(42a)以及喷镀膜(42b)。基材(41)具有表面(FS1)、位于比表面(FS1)高的位置的表面(FS2)以及侧面(SS1)。内壁构件(40)的再生方法包括：(a)利用掩蔽件(100)覆盖从喷镀膜(42b)露出的阳极氧化膜(42a)的工序；(b)通过喷砂处理，除去表面(FS2)上的喷镀膜(42b)，并且使侧面(SS1)上以及表面(FS1)的一部分上的喷镀膜(42b)残留的工序；(c)取下掩蔽件(100)的工序；(d)利用掩蔽件(101)覆盖位于与残存的喷镀膜(42b)分离的位置的阳极氧化膜(42a)的工序；(e)以覆盖残存的喷镀膜(42b)的方式，通过喷镀法在表面(FS2)上、侧面(SS1)上以及表面(FS1)的一部分上形成新的喷镀膜(42b)的工序；以及(f)取下掩蔽件(101)的工序。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及内壁构件的再生方法，尤其涉及设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。

技术介绍

1、进行加工由半导体构成的晶片并制造电子器件的处理。在该制造工序中，为了在上述晶片的表面形成电路构造，而应用使用了等离子体的蚀刻。在基于这样的等离子体蚀刻的加工中，伴随着电子器件的高集成化，要求进一步高的加工精度以及成品率的提高。

2、在用于等离子体蚀刻的等离子体处理装置中，在真空容器的内部配置有处理室。设置于处理室的内部构件的基材通常从强度以及成本的观点出发由铝或不锈钢等金属构成。内部构件暴露于等离子体，因此在基材的表面配置耐等离子体性高的皮膜。由此，在更长的期间内，基材的表面不会被等离子体消耗。或者，在等离子体与内部构件的表面之间，抑制相互作用的量或性质的变化。

3、作为耐等离子体性高的皮膜，通常使用阳极氧化膜以及喷镀膜。然而，在长时间的使用后由于劣化而喷镀膜的厚度减少无法避免。存在喷镀膜的表面在长期间的使用之后劣化且喷镀膜的粒子由于与等离子体的相互作用而被消耗导致喷镀膜的膜厚减少这样的问题。当基材的表面在处理室的内部露出时，存在构成基材的金属材料的粒子附着于在处理室的内部被处理的晶片而在晶片产生污染的可能。故而，对具有由于使用而劣化、损伤或消耗了的喷镀膜的构件的表面进行再次通过喷镀法使喷镀膜再生的处理。

4、在专利文献1中公开了具备这样的具有等离子体耐性的皮膜的处理室的内壁的构件。在专利文献1中，作为上述皮膜的例子，公开了氧化钇。

5、另外，在专

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本特开2004-100039号公报

9、专利文献2：日本特开2007-332462号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、在以往技术中，对下述的点的考虑不充分，因此产生了各种问题。在以往技术中，在喷镀时，在难以喷镀的部位设置掩蔽件，在从掩蔽件露出的部位成膜。此时，喷镀膜的一部分也在掩蔽件上成膜。当在喷镀后取下掩蔽件时，成膜于掩蔽件上的喷镀膜被从主体的喷镀膜剥下，因此在与掩蔽件接触的部位容易产生毛刺。毛刺容易剥离，因此产生由于毛刺成为异物而污染处理室的内部这样的问题。

3、另外，在除去劣化了的喷镀膜时，当覆盖于喷镀膜的阳极氧化膜也被除去时，随着喷镀膜的再生的次数增加，阳极氧化膜的端部有可能后退。另一方面，在以使与阳极氧化膜重叠的喷镀膜残留的方式除去了喷镀膜的情况下，每当再喷镀时，残存的喷镀膜层叠。层叠的残存喷镀膜容易剥离，容易成为异物的原因。

4、本申请的主要的目的在于提供在等离子体处理装置中能够抑制异物的产生的内部构件的再生方法。其他课题以及新的特征根据本说明书的表述以及附图来明确。

5、用于解决课题的方案

6、若简单说明在本申请中公开的实施方式中的代表性的实施方式的概要，则如以下那样。

7、一实施方式的内壁构件的再生方法是设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。所述内壁构件具备：基材，其具有第一表面、位于比所述第一表面高的位置的第二表面以及将所述第一表面与所述第二表面相连的第一侧面；阳极氧化膜，其形成于所述第一表面上以及所述第一侧面上；以及第一喷镀膜，其以覆盖所述第一侧面上的所述阳极氧化膜以及所述第一表面上的所述阳极氧化膜的一部分的方式形成于所述第二表面上、所述第一侧面上以及所述第一表面的一部分上。另外，内壁构件的再生方法包括：(a)利用第一掩蔽件覆盖从所述第一喷镀膜露出的所述阳极氧化膜的工序；(b)在所述(a)工序后，通过喷砂处理，除去所述第二表面上的所述第一喷镀膜，并且使所述第一侧面上以及所述第一表面的一部分上的所述第一喷镀膜残留的工序；(c)在所述(b)工序后，取下所述第一掩蔽件的工序；(d)在所述(c)工序后，利用第二掩蔽件覆盖位于与残存的所述第一喷镀膜分离的位置的所述阳极氧化膜的工序；(e)在所述(d)工序后，以覆盖残存的所述第一喷镀膜的方式，通过喷镀法在所述第二表面上、所述第一侧面上以及所述第一表面的一部分上形成由与所述第一喷镀膜相同的材料构成的第二喷镀膜的工序；以及(f)在所述(e)工序后，取下所述第二掩蔽件的工序。

8、一实施方式的内壁构件的再生方法是设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。所述内壁构件具备：基材，其具有第一表面、位于比所述第一表面高的位置的第二表面、将所述第一表面与所述第二表面相连的第一侧面、位于比所述第一表面高的位置且位于比所述第二表面低的位置的第三表面以及将所述第一表面与所述第三表面相连的第二侧面；阳极氧化膜，其形成于所述第三表面上、所述第二侧面上、所述第一表面上以及所述第一侧面上；以及第一喷镀膜，其以覆盖形成于所述第一侧面上的所述阳极氧化膜以及形成于所述第一表面上的所述阳极氧化膜的一部分的方式形成于所述第二表面上、所述第一侧面上以及所述第一表面的一部分上。另外，内壁构件的再生方法包括：(a)利用第一掩蔽件覆盖从所述第一喷镀膜露出的所述阳极氧化膜的工序；(b)在所述(a)工序后，从自所述第二表面朝向所述第一表面且相对于所述第一表面以规定的角度倾斜的方向投射喷砂粒子，从而除去所述第二表面上的所述第一喷镀膜，并且使所述第一侧面上以及所述第一表面的一部分上的所述第一喷镀膜残留的工序；(c)在所述(b)工序后，取下所述第一掩蔽件的工序；(d)在所述(c)工序后，利用第二掩蔽件覆盖所述第三表面上的所述阳极氧化膜的工序；(e)在所述(d)工序后，从自所述第三表面朝向所述第一表面且相对于所述第一表面以规定的角度倾斜的方向照射与所述第一喷镀膜相同的材料的粒子，从而以覆盖残存的所述第一喷镀膜的方式在所述第二表面上、所述第一侧面上以及所述第一表面的一部分上形成第二喷镀膜的工序；以及(f)在所述(e)工序后，取下所述第二掩蔽件的工序。

9、专利技术效果

10、根据一实施方式，能够提供在等离子体处理装置中能够抑制异物的产生的内部构件的再生方法。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种内壁构件的再生方法，所述内壁构件设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁，其中，

2.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

3.根据权利要求2所述的内壁构件的再生方法，其中，

4.根据权利要求3所述的内壁构件的再生方法，其中，

5.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

6.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

7.一种内壁构件的再生方法，所述内壁构件设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁，其中，

8.根据权利要求7所述的内壁构件的再生方法，其中，

9.根据权利要求7所述的内壁构件的再生方法，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种内壁构件的再生方法，所述内壁构件设置于在等离子体处理装置中进行等离子体处理的处理室的内壁，其中，

2.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其中，

3.根据权利要求2所述的内壁构件的再生方法，其中，

4.根据权利要求3所述的内壁构件的再生方法，其中，

5.根据权利要求1所述的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文颢，川口忠义，永井宏治，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：

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