碳化硅半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及碳化硅半导体装置，具备：碳化硅基板的第1主面上的第1导电类型的半导体层；条状的第2导电类型的第1阱区域，设置于半导体层的上层部；第1导电类型的第1杂质区域，设置于第1阱区域的上层部；第2导电类型的第1阱接触区域，设置于第1阱区域的上层部，在侧面与第1杂质区域接合；第1接触部，与第1杂质区域以及第1阱接触区域电连接，与设置于半导体层的上方的第1主电极电连接；条状的第2阱区域，与第1阱区域隔开间隔地设置；第2导电类型的第2阱接触区域，设置于第2阱区域的上层部；第2接触部，与第2阱接触区域电连接，与设置于半导体层的上方的第1主电极电连接；以及碳化硅基板的第2主面上的第2主电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及碳化硅半导体装置，特别是涉及抑制了切换损失的碳化硅半导体装置。

技术介绍

1、作为在电力变换电路等中使用的切换元件，广泛使用纵型的电力用半导体装置，特别是广泛使用具有mos(metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体)构造的电力用半导体装置。典型地是，使用绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor：igbt)以及mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)。关于作为将具有比硅(si)的带隙约大3倍的带隙的碳化硅用作半导体材料的碳化硅半导体装置之一的n型mosfet，通过用作逆变器电路的切换元件而能够降低电力变换电路的电力损失。

2、然而，例如在以超过几十khz的频率来驱动的电力变换电路中采用使用了碳化硅的n型mosfet的情况下，其切换损失在全部电力损失中占据较大的比值，所以重要的是进一步降低切换损失。

3、典型地是，n型mosfet具有n型漂移层和设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅半导体装置，在碳化硅基板的厚度方向上流过主电流，其中，所述碳化硅半导体装置具备：

2.一种碳化硅半导体装置，在碳化硅基板的厚度方向上流过主电流，其中，所述碳化硅半导体装置具备：

3.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

6.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

8.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种碳化硅半导体装置，在碳化硅基板的厚度方向上流过主电流，其中，所述碳化硅半导体装置具备：

2.一种碳化硅半导体装置，在碳化硅基板的厚度方向上流过主电流，其中，所述碳化硅半导体装置具备：

3.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

6.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体装置，其中，

...

【专利技术属性】
技术研发人员：富永贵亮，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：