【技术实现步骤摘要】
本申请涉及封装领域，特别是涉及一种金属封装壳体和金属封装结构。
技术介绍
1、在射频芯片封装方面，目前通常采用陶瓷封装和塑料封装，这两种封装方式在散热和电磁屏蔽方面效果较差。并且，随着封装芯片数量和功率密度越来越高，对封装壳体散热性能的要求也越来越高，同时还需要使得射频芯片工作时应具备一定的电磁屏蔽效果，减少其他器件对于芯片以及芯片自身对其他器件的电磁干扰。另外，随着频率的升高，连接线对电路性能影响逐渐变大。
2、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种金属封装壳体和金属封装结构，以提升散热效果和电磁屏蔽效果，降低插入损耗。
2、为解决上述技术问题，本申请提供一种金属封装壳体，所述金属封装壳体为无外引脚封装结构，包括：
3、金属底板、金属侧壁、金属盖板、绝缘子和引脚；所述金属侧壁设有第一开口，所述金属底板设有第二开口，所述第一开口与所述第二开口连通；
4、所述金属侧壁围绕在所述金属底板的周围，且与所述金属底板连接；
5、所述绝缘子填充于所述第一开口和所述第二开口中，所述引脚嵌于所述绝缘子中，所述金属底板和所述绝缘子、所述绝缘子和所述引脚通过烧结连接；
6、所述金属盖板与所述金属侧壁之间焊接连接。
7、可选的，所述的金属封装壳体中，所述金属侧壁与所述金属底板为一体式结构。
8、可选的，所述的金属封装壳体还包括：
9、金属
10、可选的，所述的金属封装壳体还包括：
11、第一金属镀层，所述第一金属镀层设于所述金属底板与所述金属热沉之间。
12、可选的，所述的金属封装壳体还包括：
13、第二金属镀层，所述第二金属镀层设于所述金属热沉背离所述金属底板的表面。
14、可选的，所述的金属封装壳体中，所述第一金属镀层包括在远离所述金属底板方向上层叠的镍层和金层。
15、可选的，所述的金属封装壳体中，所述引脚与所述金属底板之间的所述绝缘子的厚度范围为0.05毫米～0.1毫米。
16、可选的，所述的金属封装壳体中，所述第一开口的形状为拱形。
17、可选的，所述的金属封装壳体还包括：
18、吸波层，所述吸波层设于所述金属盖板与所述金属底板相对的表面。
19、本申请还提供一种金属封装结构，包括：
20、裸芯片，以及上述任一种所述的金属封装壳体；
21、所述裸芯片设于所述金属封装壳体内。
22、本申请所提供的一种金属封装壳体，所述金属封装壳体为无外引脚封装结构，包括：金属底板、金属侧壁、金属盖板、绝缘子和引脚；所述金属侧壁设有第一开口，所述金属底板设有第二开口，所述第一开口与所述第二开口连通；所述金属侧壁围绕在所述金属底板的周围，且与所述金属底板连接；所述绝缘子填充于所述第一开口和所述第二开口中，所述引脚嵌于所述绝缘子中，所述金属底板和所述绝缘子、所述绝缘子和所述引脚通过烧结连接；所述金属盖板与所述金属侧壁之间焊接连接。
23、可见，本申请中金属封装壳体包括金属底板、金属侧壁、金属盖板、绝缘子和引脚，封装壳体整体为金属，金属的散热性能优异，屏蔽效果好，所以对芯片进行封装时可以起到良好的散热效果和磁屏蔽效果，同时可以使得芯片在满足高频、高功率条件下，对散热性能以及电磁屏蔽效果的要求，并且，可以缩短引脚的长度，降低插入损耗。
24、此外，本申请还提供一种具有上述优点的金属封装结构。
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1.一种金属封装壳体，其特征在于，所述金属封装壳体为无外引脚封装结构，包括：
2.如权利要求1所述的金属封装壳体，其特征在于，所述金属侧壁与所述金属底板为一体式结构。
3.如权利要求1所述的金属封装壳体，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的金属封装壳体，其特征在于，还包括：
5.如权利要求3所述的金属封装壳体，其特征在于，还包括：
6.如权利要求4所述的金属封装壳体，其特征在于，所述第一金属镀层包括在远离所述金属底板方向上层叠的镍层和金层。
7.如权利要求1所述的金属封装壳体，其特征在于，所述引脚与所述金属底板之间的所述绝缘子的厚度范围为0.05毫米～0.1毫米。
8.如权利要求1所述的金属封装壳体，其特征在于，所述第一开口的形状为拱形。
9.如权利要求1至8任一项所述的金属封装壳体，其特征在于，还包括：
10.一种金属封装结构，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种金属封装壳体，其特征在于，所述金属封装壳体为无外引脚封装结构，包括：
2.如权利要求1所述的金属封装壳体，其特征在于，所述金属侧壁与所述金属底板为一体式结构。
3.如权利要求1所述的金属封装壳体，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的金属封装壳体，其特征在于，还包括：
5.如权利要求3所述的金属封装壳体，其特征在于，还包括：
6.如权利要求4所述的金属封装壳体，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨海涛，
申请(专利权)人：成都市时代速信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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