多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法，其中激光器的主要结构为形成于硅基底上的微盘微腔集合体，且各微盘表面设有波段可调的增益介质。增益介质为与ＳｉＯ２微盘基底结合牢固的薄膜介质材料，激光波段由增益介质波段决定；模式位置由ＳｉＯ２微盘结构尺寸和薄膜自身厚度决定。本发明专利技术制作过程基于现代微电子成熟工艺制备而成，该硅基微盘微腔结构，不仅可以作为硅基光源器件，也可以作为硅芯片为基底的光互联通讯、光子计算芯片、硅基传感器、滤波器、探测器的核心元件，拥有高灵敏度、低成本、宽范围、芯片可集成等优点。在腔量子电动力学即微腔限制情况下光与物质相互作用等量子光学和量子信息研究领域也具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微盘微腔激光器及其制法，尤其涉及一种集成于硅芯片上、具有 多波段、模式可调等特性的硅基微盘激光器的结构设计及制备方法。
技术介绍
硅，因其在地壳中仅次于氧元素的丰富蕴藏量，以其优良稳定的半导体晶体管性 能，极大地推动了微电子芯片制造工业的发展。也为人类社会迈入信息时代奠定了坚实的 基础。遵循着高登 摩尔预言的方向，以Intel公司为代表，芯片单位面积可集成的晶体管 数目以每18个月翻一番的惊人速度迅速增加，其运算速度也急速提升。然而随着尺寸的减 小，原有的芯片制造技术也面临着越来越多的挑战，当沟道尺寸接近单原子层时，量子效应 将发挥作用；新近的多核技术架构则是为了解决芯片元件小化后越来越严重的功耗发热问 题。在可以预见的将来，摩尔定律将不可避免的走到尽头。全世界的科研工作者也在从各 个角度寻找能够达到更高运算速度、更低功耗的结构设计。一种依然从电子的角度，如石墨 烯、单电子晶体管等；另一种途径也是Intel近年来正在加紧研发的，利用光子作为芯片内 传输信息载体的光子芯片设计，即硅光子学。光子相对于电子，拥有更大的带宽和更低的功 耗及发热，而其传输速度更是有质的飞跃本文档来自技高网...

【技术保护点】
多波段硅基微盘混合激光器，其特征在于：所述激光器的主要结构为形成于硅基底上的微盘微腔集合体，且各微盘表面设有波段可调的增益介质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱波，蒋春萍，王亦，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]