【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅拉晶的，具体涉及一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法及单晶晶棒。
技术介绍
1、在半导体单晶的生产过程中主要包括两种类型的点缺陷：一种为空位，一种为插入型原子，这两种缺陷在单晶生长的过程中或在进一步的热处理作用下会逐渐聚集长大形成微缺陷；其中，空位点缺陷聚集形成cop缺陷，cop颗粒越多，易造成集成电路失效。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法。
2、还有必要提供一种单晶晶棒。
3、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
4、一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，在拉晶过程中，控制晶棒的拉速为预定拉速，以降低cop缺陷。
5、优选地，所述预定拉速0.4mm/min-0.6mm/min。
6、优选地，所述拉晶过程中，磁场强度为2500gs-3000gs。
7、优选地，所述拉晶过程中，晶棒转速为3rpm-8rpm。
8、优选地，所述拉晶过程中，坩埚转速为0.2rpm-0.6rpm。
9、优选地，所述拉晶过程中，炉压为3kpa-9kpa。
10、优选地，所述拉晶过程中，氩气流量为120slm-220slm。
11、一种单晶晶棒，利用如上所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法进行拉制，得到晶棒。
12、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
13、本专利技术提供的一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，在拉
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1.一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：在拉晶过程中，控制晶棒的拉速为预定拉速，以降低COP缺陷。
2.如权利要求1所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述预定拉速0.4mm/min-0.6mm/min。
3.如权利要求1所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶过程中，磁场强度为2500GS-3000GS。
4.如权利要求3所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶过程中，晶棒转速为3rpm-8rpm。
5.如权利要求4所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶过程中，坩埚转速为0.2rpm-0.6rpm。
6.如权利要求5所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶过程中，炉压为3KPa-9KPa。
7.如权利要求6所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶过程中，氩气流量为120slm-220slm。
8.一种单晶晶棒，其特征在于：利用权利要求1-7任意一项所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法进行拉制，得到晶棒。
【技术特征摘要】
1.一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：在拉晶过程中，控制晶棒的拉速为预定拉速，以降低cop缺陷。
2.如权利要求1所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述预定拉速0.4mm/min-0.6mm/min。
3.如权利要求1所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶过程中，磁场强度为2500gs-3000gs。
4.如权利要求3所述的降低晶棒中点缺陷的拉晶方法，其特征在于：所述拉晶过程中，晶棒转速为3rpm-8rpm。
...【专利技术属性】
技术研发人员：商润龙，马成，芮阳，王忠保，徐慶晧，王黎光，曹启刚，倪浩然，夏志程，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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