【技术实现步骤摘要】
本技术涉及长晶设备，具体而言，涉及一种气体均匀升华的长晶设备。
技术介绍
1、现有的碳化硅长晶坩埚中，采用加热的方式直接将碳化硅粉末蒸发到长晶区形成籽晶，但是，碳化硅粉末蒸发形成的气体并不是均匀地升华到长晶区，导致形成的籽晶的平整度并不理想。
2、如何提高碳化硅粉末蒸发形成的气体均匀地升华到长晶区，提高籽晶的平整度，这是目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种气体均匀升华的长晶设备，其能够提高碳化硅粉末蒸发形成的气体均匀地升华到长晶区，提高籽晶的平整度。
2、本技术的实施例是这样实现的：
3、本技术提供一种气体均匀升华的长晶设备，长晶设备包括：
4、坩埚，包括坩埚桶和坩埚盖，坩埚盖盖设在坩埚桶的顶部，坩埚桶内用于盛装碳化硅粉末，坩埚盖内侧具有用于粘接籽晶的长晶区；
5、气流导向盘，开设有均匀分布的透气孔，气流导向盘设置在坩埚桶内、且位于碳化硅粉末的上方。
6、本技术的实施例提供的气体均匀升华的长晶设备的有益效果包括：
7、位于碳化硅粉末上方的气流导向盘上开设有均匀分布的透气孔，碳化硅粉末加热蒸发后，气体经过气流导向盘上的透气孔，可以均匀地升华到长晶区，提高籽晶的平整度。
8、在可选的实施方式中，气流导向盘采用石墨制成，气流导向盘的表面镀有碳化钽薄膜。
9、这样，石墨制成的气流导向盘可以承受坩埚内的高温，气流导向盘的表面镀有碳化钽薄膜，可以进一步提高
10、在可选的实施方式中，气流导向盘的直径与坩埚桶的内径相等。
11、这样，气流导向盘与坩埚桶紧密配合，可以使碳化硅粉末形成的气体均通过气流导向盘上的透气孔进入长晶区，保证气体进入长晶区的均匀性。
12、在可选的实施方式中，气流导向盘的厚度范围为：3mm～8mm。
13、这样，相当于透气孔的长度为3mm～8mm，可以对经过透气孔的气体起到较好的导向作用，使经过透气孔的气体横向窜动的速度减小，基本稳定地竖直向上移动，有利于提高籽晶的平整度。
14、在可选的实施方式中，透气孔的半径范围为：1mm～3mm。
15、这样，透气孔的半径较小，不仅满足碳化硅形成的气体通过，还有效减小气体的横向速度和横向移动距离。
16、在可选的实施方式中，所有透气孔的面积与气流导向盘的顶面面积之比为：12％～40％。
17、这样，所有透气孔的面积较大，可以提高气体通过气流导向盘的效率，提高长晶效率。
18、在可选的实施方式中，长晶设备包括两个气流导向盘，两个气流导向盘间隔设置，两个气流导向盘之间形成均化腔。
19、这样，碳化硅粉末形成的蒸汽依次通过第一个气流导向盘、均化腔和第二个气流导向盘，有利于提高对气体的导向作用和均化效果，使进入长晶区的气体更加均匀。
20、在可选的实施方式中，两个气流导向盘上的透气孔错位设置。
21、这里的错位设置相当于两个气流导向盘上的透气孔的轴线不共线，使进入均化腔的气体不得不进一步混合均匀，再通过第二气流导向盘上的透气孔进入长晶区。
22、在可选的实施方式中，坩埚桶包括从下至上依次层叠设置的桶体和中继环，坩埚盖盖设在中继环上，碳化硅粉末以及气流导向盘均设置在桶体内。
23、在可选的实施方式中，长晶设备还包括：
24、真空腔体；
25、石墨加热器，设置在真空腔体内；
26、电极棒，电极棒的一端连接到石墨加热器上，电极棒的另一端贯穿真空腔体的侧壁；
27、石墨桶，设置在石墨加热器内部，坩埚均设置在石墨桶内；
28、石墨毡，设置在石墨桶内、且位于坩埚盖的上方。
29、这样，石墨加热器围绕石墨桶设置有利于石墨桶以及坩埚均匀受热。
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1.一种气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述长晶设备包括：
2.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述气流导向盘(7)采用石墨制成，所述气流导向盘(7)的表面镀有碳化钽薄膜。
3.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述气流导向盘(7)的直径与所述坩埚桶的内径相等。
4.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述气流导向盘(7)的厚度范围为：3mm～8mm。
5.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述透气孔(71)的半径范围为：1mm～3mm。
6.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所有所述透气孔(71)的面积与所述气流导向盘(7)的顶面面积之比为：12％～40％。
7.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述长晶设备包括两个所述气流导向盘(7)，两个所述气流导向盘(7)间隔设置，两个所述气流导向盘(7)之间形成均化腔(13)。
8.根据权利要求7所述的气体均匀升华的长晶
9.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述坩埚桶包括从下至上依次层叠设置的桶体(4)和中继环(5)，所述坩埚盖(6)盖设在所述中继环(5)上，所述碳化硅粉末(1)以及所述气流导向盘(7)均设置在所述桶体(4)内。
10.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述长晶设备还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述长晶设备包括：
2.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述气流导向盘(7)采用石墨制成，所述气流导向盘(7)的表面镀有碳化钽薄膜。
3.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述气流导向盘(7)的直径与所述坩埚桶的内径相等。
4.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述气流导向盘(7)的厚度范围为：3mm～8mm。
5.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所述透气孔(71)的半径范围为：1mm～3mm。
6.根据权利要求1所述的气体均匀升华的长晶设备，其特征在于，所有所述透气孔(71)的面积与所述气流导向盘(7)...
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