半导体外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体外延结构及其制备方法。所述制备方法包括：将半导体外延片进行刻蚀，刻蚀完毕后，对形成的第一外延层微纳米粉体进行清理；再进行刻蚀，然后保留粉体刻蚀层，所述粉体刻蚀层包含第二外延层微纳米粉体，并在经过刻蚀后的半导体外延片上生长半导体外延层。本发明专利技术通过两次刻蚀，形成致密性均匀的粉体刻蚀层，再进行外延生长，利用粉体刻蚀层中形成具有均匀致密性孔隙的纳米结构，在纳米结构上继续生长出了高质量的氮化镓外延层，有效地实现了超规格外延片的重复利用；并可快速、方便、高效地经过湿法腐蚀实现衬底剥离，经过剥离后的衬底可多次重复使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体外延结构及其制备方法。

技术介绍

1、iii-v族化合物基半导体材料，例如gan基第三代半导体材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与sic、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代ge、si半导体材料、第二代gaas、inp化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在半导体外延生长中，由于各种偶然因素会不可避免地产生大量的规格外产品，进而造成外延片的报废，比如波长均匀性不达标、具有明显的表面缺陷等，尤其是目前正在广泛开发的大尺寸外延片，在大尺寸的外延片中，衬底成本所占比例越来越高，而一旦由于外延层的规格超标而引起正片外延片的整体报废，则会产生非常巨大的成本浪费。如何实现规格外的外延片回收再利用是降低外延片生产成本的关键，是各企业迫切希望解决的难题。

2、针对上述问题，现有技术中大多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体外延结构的制备方法，包括第一步骤和第二步骤；

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一步骤具体包括：依据所述报废外延层的厚度，重复执行步骤S1的操作两次以上，之后执行步骤S2的操作，以将所述报废外延层全部去除。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为1250～1350℃，所述第二温度为1050～1200℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀气氛中刻蚀气体与载气的流量比为1∶5～1∶1，所述第二刻蚀气氛中刻蚀气体与载气的流量比为1∶100～1∶10。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种半导体外延结构的制备方法，包括第一步骤和第二步骤；

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一步骤具体包括：依据所述报废外延层的厚度，重复执行步骤s1的操作两次以上，之后执行步骤s2的操作，以将所述报废外延层全部去除。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为1250～1350℃，所述第二温度为1050～1200℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀气氛中刻蚀气体与载气的流量比为1∶5～1∶1，所述第二刻蚀气氛中刻蚀气体与载气的流量比为1∶100～1∶10。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述报废外延层的材质选自iii-v族化合物。

6.根据权利要求5所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫其昂，王国斌，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：