温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法。所述制备方法包括：将半导体外延片进行刻蚀，刻蚀完毕后，对形成的第一外延层微纳米粉体进行清理；再进行刻蚀，然后保留粉体刻蚀层，所述粉体刻蚀层包含第二外延层微纳米粉体，并在经过刻蚀后的半导体外延片上生...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。