【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅拉晶的，具体涉及一种12寸超低氧晶棒拉制方法及单晶晶棒。
技术介绍
1、绝缘栅双极晶体管（igbt）是能源变换与传输的核心器件，作为国家战略性新兴产业，其广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动车、光伏风电等领域。作为igbt芯片的衬底材料，半导体级单晶硅片的品质对igbt的性能起着至关重要的作用，单晶硅氧（oi）含量对igbt工序退火前后res影响较大，只有控制好单晶硅oi含量，才能更好的控制退火前后电阻率，从而满足igbt对电阻率规格需求。生产igbt衬底单晶硅材料一般有fz法和mcz法，受制于硅材料本身的物理性能，使用fz法所能获得的单晶尺寸最大为8英寸，其已无法满足晶圆厂制程的尺寸需求。mcz法则能低成本稳定地制造出300mm的大尺寸硅片，但是mcz法制造出的大尺寸硅片的oi含量较高，无法满足igbt芯片制程的中氧含量为5ppma以下的需求。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种新的12寸超低氧晶棒拉制方法，以满足大尺寸硅片的oi含量低于5ppma
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1.一种12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：在拉晶过程中，通过调节晶棒转速、坩埚转速、炉压、氩气流量抑制坩埚内熔体的对流，以降低晶棒中的氧含量。
2.如权利要求1所述的12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：所述晶棒转速为3rpm-5rpm。
3.如权利要求1所述的12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：所述坩埚转速为0.2rpm-0.4rpm。
4.如权利要求1所述的12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：所述炉压为3KPa-5KPa。
5.如权利要求1所述的12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：所述氩气流量为180slm
【技术特征摘要】
1.一种12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：在拉晶过程中，通过调节晶棒转速、坩埚转速、炉压、氩气流量抑制坩埚内熔体的对流，以降低晶棒中的氧含量。
2.如权利要求1所述的12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：所述晶棒转速为3rpm-5rpm。
3.如权利要求1所述的12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：所述坩埚转速为0.2rpm-0.4rpm。
4.如权利要求1所述的12寸超低氧晶棒拉制方法，其特征在于：所述炉压为3kpa-5...
【专利技术属性】
技术研发人员：商润龙，马成，芮阳，王忠保，徐慶晧，王黎光，曹启刚，倪浩然，夏志程，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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