温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种12寸超低氧晶棒拉制方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在拉晶过程中，调节炉压，使得石英坩埚与硅熔体生成的SiO挥发速率加快，再配合氩气流量将挥发的SiO带走，减少单晶炉内的氧含量以降低氧进入晶棒的几率，进一步的调节晶棒、...
该专利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。