碳化硅晶片腐蚀篮具制造技术

本技术提供了一种碳化硅晶片腐蚀篮具，涉及晶片腐蚀技术领域，该碳化硅晶片腐蚀篮具包括篮具支架和多个篮具隔板，多个篮具隔板层叠设置在篮具支架的底部，相邻两个篮具隔板之间形成用于装配晶片的夹持空间，每个篮具隔板的顶侧表面设置有多个第一抵持凸点，多个第一抵持凸点用于抵持在晶片的底侧表面。相较于现有技术，本技术提供了一种碳化硅晶片腐蚀篮具，采用凸点接触，能够大幅减小与晶片的接触面积，使得晶片腐蚀均匀且稳定性强，并且采用多个篮具隔板，每相邻两个篮具隔板均可以夹持晶片，可以根据需求调整篮具隔板数量，进而调整晶片数量，适用性更好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶片腐蚀，具体而言，涉及一种碳化硅晶片腐蚀篮具。

技术介绍

1、在半导体晶片生产行业中，为了清除化学残留和其他污染物，需要对半导体晶片的表面进行清洗。现有技术中常用的半导体晶片清洗工艺包括以下两个步骤：首先使用化学药液对半导体晶片的表面进行腐蚀剥离，随后使用去离子水冲洗，进而达到彻底清洗的技术效果，而在腐蚀剥离过程中，通常需要用到腐蚀篮具对晶片进行承载。

2、目前碳化硅晶片腐蚀篮具结构多为焊接结构，焊接篮具与晶片接触面积大，腐蚀过程中接触面不易腐蚀均匀容易出现色差印记，而且会影响缺陷检测误差。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种碳化硅晶片腐蚀篮具，其能够减少接触支撑面积，晶片不仅能腐蚀均匀且稳定性强，同时可以根据需求调整晶片数量。

2、本技术的实施例是这样实现的：

3、本技术提供一种碳化硅晶片腐蚀篮具，包括篮具支架和多个篮具隔板，多个所述篮具隔板层叠设置在所述篮具支架的底部，相邻两个所述篮具隔板之间形成用于装配晶片的夹持空间，每个所述篮具隔板的顶侧表面设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，包括篮具支架(110)和多个篮具隔板(130)，多个所述篮具隔板(130)层叠设置在所述篮具支架(110)的底部，相邻两个所述篮具隔板(130)之间形成用于装配晶片的夹持空间，每个所述篮具隔板(130)的顶侧表面设置有多个第一抵持凸点(150)，多个所述第一抵持凸点(150)用于抵持在所述晶片的底侧表面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)的底侧表面设置有多个第二抵持凸点(170)，多个所述第二抵持凸点(170)与多个所述第一抵持凸点(150)一一对应地设置在所述篮具隔...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，包括篮具支架(110)和多个篮具隔板(130)，多个所述篮具隔板(130)层叠设置在所述篮具支架(110)的底部，相邻两个所述篮具隔板(130)之间形成用于装配晶片的夹持空间，每个所述篮具隔板(130)的顶侧表面设置有多个第一抵持凸点(150)，多个所述第一抵持凸点(150)用于抵持在所述晶片的底侧表面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)的底侧表面设置有多个第二抵持凸点(170)，多个所述第二抵持凸点(170)与多个所述第一抵持凸点(150)一一对应地设置在所述篮具隔板(130)的两侧表面，并用于抵持在所述晶片的顶侧表面。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)包括连接架(133)和多个层层环绕设置的支撑环(131)，多个所述支撑环(131)的内径由内向外依次增大，相邻两个所述支撑环(131)间隔设置，所述连接架(133)同时与多个所述支撑环(131)连接，每个所述支撑环(131)均设置有多个第一抵持凸点(150)。

4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，位于内侧的所述支撑环(131)上的所述第一抵持凸点(150)的凸起高度小于位于外侧的所述支撑环(131)上的所述第一抵持凸点(150)的凸起高度。

5.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，所述第一抵持凸点(150)呈半球台状或锥台状。

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖建成，陈增强，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：