【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶片腐蚀，具体而言，涉及一种碳化硅晶片腐蚀篮具。
技术介绍
1、在半导体晶片生产行业中，为了清除化学残留和其他污染物，需要对半导体晶片的表面进行清洗。现有技术中常用的半导体晶片清洗工艺包括以下两个步骤：首先使用化学药液对半导体晶片的表面进行腐蚀剥离，随后使用去离子水冲洗，进而达到彻底清洗的技术效果，而在腐蚀剥离过程中，通常需要用到腐蚀篮具对晶片进行承载。
2、目前碳化硅晶片腐蚀篮具结构多为焊接结构，焊接篮具与晶片接触面积大，腐蚀过程中接触面不易腐蚀均匀容易出现色差印记，而且会影响缺陷检测误差。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种碳化硅晶片腐蚀篮具，其能够减少接触支撑面积，晶片不仅能腐蚀均匀且稳定性强，同时可以根据需求调整晶片数量。
2、本技术的实施例是这样实现的：
3、本技术提供一种碳化硅晶片腐蚀篮具，包括篮具支架和多个篮具隔板，多个所述篮具隔板层叠设置在所述篮具支架的底部，相邻两个所述篮具隔板之间形成用于装配晶片的夹持空间，每个所述篮具隔板的顶侧表面设置有多个第一抵持凸点，多个所述第一抵持凸点用于抵持在所述晶片的底侧表面。
4、在可选的实施方式中，每个所述篮具隔板的底侧表面设置有多个第二抵持凸点，多个所述第二抵持凸点与多个所述第一抵持凸点一一对应地设置在所述篮具隔板的两侧表面，并用于抵持在所述晶片的顶侧表面。
5、在可选的实施方式中，每个所述篮具隔板包括连接架和多个层层环绕设置的支撑环，多个所述支撑环的
6、在可选的实施方式中，位于内侧的所述支撑环上的所述第一抵持凸点的凸起高度小于位于外侧的所述支撑环上的所述第一抵持凸点的凸起高度。
7、在可选的实施方式中，所述第一抵持凸点呈半球台状或锥台状。
8、在可选的实施方式中，每个所述篮具隔板的顶侧边缘均设置有锁紧止挡台，所述锁紧止挡台上设置有装配沉槽，所述装配沉槽的底壁与所述篮具隔板的顶侧表面之间的距离大于所述第一抵持凸点的凸起高度，所述篮具隔板的下侧边缘装配在所述装配沉槽中。
9、在可选的实施方式中，每个所述篮具隔板的底侧边缘均设置有定位凸环，所述定位凸环装配在所述装配沉槽中。
10、在可选的实施方式中，所述碳化硅晶片腐蚀篮具还包括篮具盖板，所述篮具盖板设置在多个所述篮具隔板的顶侧，用于对所述篮具隔板进行定位。
11、在可选的实施方式中，所述篮具支架包括底架、多个吊臂、顶架和固定手柄，所述顶架和所述底架相对设置，多个所述吊臂设置在所述顶架和所述底架之间，每个所述吊臂的顶端连接于所述顶架，底端连接于所述底架，多个所述篮具隔板层叠设置在所述底架上，所述固定手柄与所述顶架连接，并用于连接外部吊具。
12、在可选的实施方式中，至少一个所述吊臂的两端分别与所述顶架和所述底架可拆卸连接。
13、本技术实施例的有益效果包括：
14、本技术实施例提供了一种碳化硅晶片腐蚀篮具，采用多个篮具隔板层叠设置在实现对晶片的装配夹持，并且，每个篮具隔板的顶侧表面均设置有第一抵持凸点，能够通过第一抵持凸点抵持在晶片的底侧表面，从而实现对晶片的支撑。相较于现有技术，本技术提供了一种碳化硅晶片腐蚀篮具，采用凸点接触，能够大幅减小与晶片的接触面积，使得晶片腐蚀均匀且稳定性强，并且采用多个篮具隔板，每相邻两个篮具隔板均可以夹持晶片，可以根据需求调整篮具隔板数量，进而调整晶片数量，适用性更好。
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1.一种碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，包括篮具支架(110)和多个篮具隔板(130)，多个所述篮具隔板(130)层叠设置在所述篮具支架(110)的底部，相邻两个所述篮具隔板(130)之间形成用于装配晶片的夹持空间，每个所述篮具隔板(130)的顶侧表面设置有多个第一抵持凸点(150)，多个所述第一抵持凸点(150)用于抵持在所述晶片的底侧表面。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)的底侧表面设置有多个第二抵持凸点(170)，多个所述第二抵持凸点(170)与多个所述第一抵持凸点(150)一一对应地设置在所述篮具隔板(130)的两侧表面，并用于抵持在所述晶片的顶侧表面。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)包括连接架(133)和多个层层环绕设置的支撑环(131)，多个所述支撑环(131)的内径由内向外依次增大，相邻两个所述支撑环(131)间隔设置，所述连接架(133)同时与多个所述支撑环(131)连接，每个所述支撑环(131)均设置有多
4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，位于内侧的所述支撑环(131)上的所述第一抵持凸点(150)的凸起高度小于位于外侧的所述支撑环(131)上的所述第一抵持凸点(150)的凸起高度。
5.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，所述第一抵持凸点(150)呈半球台状或锥台状。
6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)的顶侧边缘均设置有锁紧止挡台(135)，所述锁紧止挡台(135)上设置有装配沉槽(137)，所述装配沉槽(137)的底壁与所述篮具隔板(130)的顶侧表面之间的距离大于所述第一抵持凸点(150)的凸起高度，所述篮具隔板(130)的下侧边缘装配在所述装配沉槽(137)中。
7.根据权利要求6所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)的底侧边缘均设置有定位凸环(139)，所述定位凸环(139)装配在所述装配沉槽(137)中。
8.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，所述碳化硅晶片腐蚀篮具(100)还包括篮具盖板(190)，所述篮具盖板(190)设置在多个所述篮具隔板(130)的顶侧，用于对所述篮具隔板(130)进行定位。
9.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，所述篮具支架(110)包括底架(111)、多个吊臂(113)、顶架(117)和固定手柄(115)，所述顶架(117)和所述底架(111)相对设置，多个所述吊臂(113)设置在所述顶架(117)和所述底架(111)之间，每个所述吊臂(113)的顶端连接于所述顶架(117)，底端连接于所述底架(111)，多个所述篮具隔板(130)层叠设置在所述底架(111)上，所述固定手柄(115)与所述顶架(117)连接，并用于连接外部吊具。
10.根据权利要求9所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，至少一个所述吊臂(113)的两端分别与所述顶架(117)和所述底架(111)可拆卸连接。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，包括篮具支架(110)和多个篮具隔板(130)，多个所述篮具隔板(130)层叠设置在所述篮具支架(110)的底部，相邻两个所述篮具隔板(130)之间形成用于装配晶片的夹持空间，每个所述篮具隔板(130)的顶侧表面设置有多个第一抵持凸点(150)，多个所述第一抵持凸点(150)用于抵持在所述晶片的底侧表面。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)的底侧表面设置有多个第二抵持凸点(170)，多个所述第二抵持凸点(170)与多个所述第一抵持凸点(150)一一对应地设置在所述篮具隔板(130)的两侧表面，并用于抵持在所述晶片的顶侧表面。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，每个所述篮具隔板(130)包括连接架(133)和多个层层环绕设置的支撑环(131)，多个所述支撑环(131)的内径由内向外依次增大，相邻两个所述支撑环(131)间隔设置，所述连接架(133)同时与多个所述支撑环(131)连接，每个所述支撑环(131)均设置有多个第一抵持凸点(150)。
4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，位于内侧的所述支撑环(131)上的所述第一抵持凸点(150)的凸起高度小于位于外侧的所述支撑环(131)上的所述第一抵持凸点(150)的凸起高度。
5.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(100)，其特征在于，所述第一抵持凸点(150)呈半球台状或锥台状。
6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀篮具(1...
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