本发明专利技术提供一种在高亮度下能高速响应且电特性优良的液晶显示元件的制造方法。上述液晶显示元件的制造方法的特征在于，在形成具有下式（Ｉ－１－２）表示的结构为代表的特定结构的高分子膜的两块基板各自的膜间夹持介电各向异性为负的向列型液晶，进行在上述两块基板的各透明像素电极间施加电压，在液晶取向的状态下照射光的步骤，，式（Ｉ－１－２）中，Ｒ１是氢原子、卤素原子、氰基、硝基或ＮＣＳ基或碳原子数为１～１２的烷基，该烷基可以用氟取代，一个或两个不相邻的－ＣＨ２－基可以被氧原子、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－或－ＣＯ－替换，－ＣＨ２ＣＨ２－基可以被－ＣＨ＝ＣＨ－替换。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。更详细的该 特别的涉及一种液晶取向性和电特性特别优良的、适合于制造MVA方式的液晶显示元件。
技术介绍
目前，作为液晶显示元件，公知的有在设置透明导电膜的基板表面上形成液晶取 向膜，制成液晶显示元件用基板，将该两块基板相对配置，在其间隙内形成具有正的介电各 向异性的向列型液晶层，制成夹层结构的盒，具有液晶分子的长轴从一块基板向另一块基 板连续捻转90°的所谓的TN型(扭曲向列型)液晶盒的TN型液晶显示元件(专利文献 1)。并且，与TN型液晶显示元件相比，能实现高对比度的STN(超扭曲向列)型液晶显示元 件(专利文献2)、视角依赖性少且图像画面的高速响应性优良的光学补偿弯曲(OCB)型液 晶显示元件(专利文献3)、使用具有负的介电各向异性的向列型液晶的VA(垂直取向)型 液晶显示元件(专利文献4)、能在基板的水平面内取向规定液晶分子实现视角依赖性少的 画面的IPS(面内切换)型液晶显示元件(专利文献5)等。这其中，在VA型液晶显示元件中，通过在基板上设置线状突起、缝隙结构等取向 控制用结构物，在施加电压时能将液晶取向方向以多个方位控制在像素内，由此实现宽的 视角的MVA(多畴垂直取向)方式的液晶显示元件是公知的(专利文献6)。该MVA方式的 液晶显示元件虽然具有视角特性优良的优点，但是也具有白亮度低、显示暗的缺点。该缺 点的主要原因是取向控制用结构物上的区域成为液晶取向的分割界限，该区域光学上是暗 的，因而认为像素全体的光透过率变低。为了改善这种情况，提出了将取向控制用结构物的 间隔控制在非常宽，但是这样由于取向控制用结构物的数目相对变少，取向达到稳定所需 要的时间变长，响应速度变慢。因而该对策的改善存在限制。为了实现在高亮度下能高速响应的MVA方式的液晶显示元件，提出使用聚合物来 规定液晶分子的预倾角和电压施加时的倾斜方向的方法(专利文献6)。专利文献6中记 载的方法是混合了通过光或热聚合的单体和液晶的液晶组合物封闭在两块基板间，在基板 间施加电压，使液晶分子倾斜、取向确定的状态下在液晶层上施加光或热，由此聚合单体， 制备聚合物，通过该聚合物固定液晶分子的取向方向和预倾角的技术。但是，根据专利文献 6的技术，未反应的聚合性单体会残留在液晶中，或聚合性单体的一部分会由于光或热而分 解，其聚合性单体和/或其分解物在液晶中扩散，会产生电压保持率降低的副作用，期望对 其进行改善。近年来，提出了改善专利文献6的技术的部分缺点的方法(专利文献38)。该技术 是在具有交联性部位的液晶取向膜间夹持液晶分子，在其上施加电场，在液晶分子取向的 状态下照射紫外光，将交联性部位交联，由此固定液晶分子的取向方向和预倾角的技术。根 据该技术，的确能消除聚合性单体残存引起的问题，但是除了交联所需的紫外线照射量大 以外，存在在0N/0FF时的液晶分子的响应速度慢的问题，在性能要求严苛的目前的液晶显 示元件领域中不实用。现有技术文献 专利文献专利文献1专利文献2专利文献3专利文献4专利文献5专利文献6专利文献7专利文献8专利文献9专利文献10]专利文献11专利文献12专利文献13专利文献14专利文献15专利文献16专利文献17专利文献18专利文献19专利文献20]专利文献21专利文献22专利文献23专利文献24]专利文献25]专利文献26]专利文献27专利文献28专利文献29]专利文献30]专利文献31专利文献32专利文献33专利文献34]专利文献35]专利文献36]专利文献37日本特开平4-153622号公报 日本特开60-107020号公报 日本特开2009-48211号公报 日本特开平11-258605号公报 日本特开56-91277号公报 日本特开2002-23199号公报 日本特开平6-287453号公报 日本特表2003-520878号公报 日本特开2007-286641号公报 I日本特开57-114532号公报 I日本特开平2-4725号公报 I日本特开平4-224885号公报 I日本特开平8-40953号公报 I日本特开平8-104869号公报 I日本特开平10-168076号公报 I日本特开平10-168453号公报 I日本特开平10-236989号公报 I日本特开平10-236990号公报 I日本特开平10-236992号公报 I日本特开平10-236993号公报 I日本特开平10-236994号公报 I日本特开平10-237000号公报 I日本特开平10-237004号公报 I日本特开平10-237024号公报 I日本特开平10-237035号公报 I日本特开平10-237075号公报 I日本特开平10-237076号公报 I日本特开平10-237448号公报 I日本特开平10-287874号公报 I日本特开平10-287875号公报 I日本特开平10-291945号公报 I日本特开平11-029581号公报 I日本特开平11-080049号公报 I日本特开2000-256307公报 I日本特开2001-019965公报 I日本特开2001-072626公报 I日本特开2001-192657公报专利文献38美国第2009/0325453号专利申请公开说明书非专利文献非专利文献1 T. J. Scheffer et. al.，J. Appl. Phys. vo. 19，p. 2013 (1980)
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题，其目的在于提供一种在高亮度下能高速响应且电特性优良 的液晶显示元件，特别是MVA方式的。本专利技术的上述目的和优点通过下述方案来实现一种，其特征在于进行如下步骤在具有透明像素电极 的基板的所述透明像素电极上形成具有下式(I)表示的结构的高分子构成的膜，在形成该 膜的两块基板各膜间夹持介电各向异性为负的向列型液晶，在上述两块基板的各透明像素 电极间施加电压，在液晶取向的状态下照射光， (式⑴中，A1和A3其中之一是可以用由卤素原子、氰基、硝基、碳原子数为1 12 的烷基和碳原子数为1 12的烷氧基(这些烷基和烷氧基分别可以用卤素原子取代)构 成的群组中选出的一种以上取代的亚苯基，或者吡啶-2，5- 二基、嘧啶-2，5- 二基、2，5-噻 吩二基、2，5-亚呋喃基或CH基可以被氮原子替换的1，4-亚萘基或2，6-亚萘基，另一个是 可以用由卤素原子、氰基和硝基构成的群组中选出的一种以上取代的亚苯基，或者吡啶_2， 5- 二基、嘧啶-2，5- 二基、2，5-噻吩二基、2，5-亚呋喃基、CH基可以被氮替换的1，4_亚萘 基或2，6-亚萘基或*-C00-/-CONH-或*-C0-E-(上面带“*”的连接键与-CH = CH-连接，E 是可以用由卤素原子、氰基和硝基构成的群组中选出的一种以上取代的1，4-亚苯基，或吡 啶-2，5- 二基、嘧啶-2，5- 二基、2，5-噻吩二基、2，5-亚呋喃基或CH基可以被氮替换的1， 4_亚萘基或2，6-亚萘基)；A2是可以用由卤素原子、氰基和硝基构成的群组中选出的一种以上取代的1，4_亚 苯基，或者吡啶-2，5- 二基、嘧啶-2，5- 二基、2，5-噻吩二基、2，5-亚呋喃基、反-1，4-环己 撑基、反-1，3-二噁烷-2，5-二基或1，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于进行如下步骤：在具有透明像素电极的基板的所述透明像素电极上形成具有下式（Ⅰ）表示的结构的高分子构成的膜，在形成该膜的两块基板各膜间夹持介电各向异性为负的向列型液晶，在上述两块基板的各透明像素电极间施加电压，在液晶取向的状态下照射光，Ｒ↑［１］－（－Ａ↑［２］－Ｚ↑［１］－）↓［ｎ］－Ａ↑［１］－＊＊＊（Ⅰ）式（Ⅰ）中，Ａ↑［１］和Ａ↑［３］其中之一是可以用选自卤素原子、氰基、硝基、碳原子数为１～１２的烷基和碳原子数为１～１２的烷氧基构成的［２］－基可以被氧原子、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－或－ＣＯ－替换；ｎ是０～４的整数，ｎ为０时Ｒ↑［１］不是氢原子。群组中的１种以上基团取代的亚苯基，或者是吡啶－２，５－二基、嘧啶－２，５－二基、２，５－噻吩二基、２，５－亚呋喃基，或者是ＣＨ基可以被氮原子替换的１，４－亚萘基或２，６－亚萘基，上述亚苯基上的取代基中，烷基和烷氧基分别可以用卤素原子取代，Ａ↑［１］和Ａ↑［３］中另一个是可以用选自卤素原子、氰基和硝基构成的群组中的１种以上取代的亚苯基，或吡啶－２，５－二基、嘧啶－２，５－二基、２，５－噻吩二基、２，５－亚呋喃基、ＣＨ基可以被氮替换的１，４－亚萘基或２，６－亚萘基或↑［＊］－ＣＯＯ－、↑［＊］－ＣＯＮＨ－或↑［＊］－ＣＯ－Ｅ－，上面带“＊”的连接键与－ＣＨ＝ＣＨ－连接，Ｅ是可以用选自卤素原子、氰基和硝基构成的群组中的１种以上取代的１，４－亚苯基，或吡啶－２，５－二基、嘧啶－２，５－二基、２，５－噻吩二基、２，５－亚呋喃基或ＣＨ基可以被氮替换的１，４－亚萘基或２，６－亚萘基；Ａ↑［２］是可以用选自卤素原子、氰基和硝基构成的群组中的１种以上取代的１，４－亚苯基，或吡啶－２，５－二基、嘧啶－２，５－二基、２，５－噻吩二基、２，５－亚呋喃基、反－１，４－环己撑基、反－１，３－二噁烷－２，５－二基或１，４－哌啶基；Ｚ↑［１］表示单键、↑［＊］－ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］－、↑［＊］－ＣＯＯ－、↑［＊］－ＯＣＯ－、↑［＊］－ＯＣＨ↓［２］－、↑［＊］－ＣＨ↓［２］Ｏ－、↑［＊］－Ｃ≡Ｃ－、↑［＊］－（ＣＨ↓［２］）↓［４］－、↑［＊］－Ｏ（ＣＨ↓［２］）↓［３］－或↑［＊］－（ＣＨ↓［２］）↓［３］Ｏ－或反式构型的↑［＊］－ＯＣＨ↓［２］ＣＨ＝ＣＨ－、↑［＊］－ＣＨ＝ＣＨＣＨ↓［２］Ｏ－、↑［＊］－（ＣＨ↓［２］）↓［２］ＣＨ＝ＣＨ－或－ＣＨ＝ＣＨ（...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林英治，米仓勇，秋池利之，吉泽纯司，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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