【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种半导体装置。更具体地，本公开的示例实施例涉及一种包括垂直沟道的存储器装置。
技术介绍
1、为了提高存储器装置的集成度，已经开发了包括垂直沟道晶体管的存储器装置，并且近来已经使用氧化物半导体作为沟道。因此，需要提高包括氧化半导体的沟道的电特性的可靠性的方法。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有改善的特性的半导体装置。
2、根据专利技术构思的示例实施例，提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括位于基底上的位线、栅电极、栅极绝缘图案、沟道结构、金属氧化物图案和金属图案。位线可以在与基底的上表面平行的第一方向上延伸，并且可以在与基底的上表面平行并与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。栅电极可以设置在位线上，可以在第一方向上彼此间隔开，并且可以在第二方向上延伸。栅极绝缘图案可以形成在栅电极中的每个栅电极的在第一方向上的侧壁上。沟道结构可以形成在栅极绝缘图案的在第一方向上的侧壁上。金属氧化物图案可以形成在沟道结构的在第一方向上的侧壁上。金属图案可以形成...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，沟道结构包括结晶氧化物半导体材料。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，沟道结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，结晶沟道的上表面与金属图案的上表面和金属氧化物图案的上表面共面。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，非晶沟道中的设置在结晶沟道中的与金属氧化物图案中的沿第一方向相邻的金属氧化物图案的相应侧壁接触的对应的结晶沟道下方的非晶沟道彼此连接。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，栅极绝缘...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，沟道结构包括结晶氧化物半导体材料。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，沟道结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，结晶沟道的上表面与金属图案的上表面和金属氧化物图案的上表面共面。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，非晶沟道中的设置在结晶沟道中的与金属氧化物图案中的沿第一方向相邻的金属氧化物图案的相应侧壁接触的对应的结晶沟道下方的非晶沟道彼此连接。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，栅极绝缘图案中的与结晶沟道中的沿第一方向相邻的结晶沟道的相应侧壁接触的栅极绝缘图案在非晶沟道中的彼此连接的非晶沟道上彼此连接。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，金属图案中的与金属氧化物图案中的沿第一方向相邻的金属氧化物图案的相应侧壁接触的金属图案彼此连接。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，金属图案中的彼此连接的金属图案的在第一方向上的剖面具有杯形状。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于金属图案中的每个金属图案上的蚀刻停止图案，蚀刻停止图案的上表面与栅极绝缘图案的最上表面共面，并且蚀刻停止图案包括氮化硅。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述...
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