一种SiC陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫制造技术

本发明专利技术属于硬脆材料研磨抛光技术领域，具体涉及一种SiC陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，包括自下而上依次设置的附着部、支撑部和基材部，所述基材部上布满抛光孔，所述基材部上的抛光孔按照向日葵籽粒结构的叶序形式排布。本发明专利技术的有益效果是：填充材料为非牛顿流体，在研磨过程中，抛光垫与被抛工件是柔性接触，减小了研磨过程中的亚表面损伤，由于抛光液填充孔是按照叶序排布分布，故在研磨抛光过程中能够实现更好的抛光均匀性与更高的去除率，同时能实现更好的散热效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硬脆材料研磨抛光，具体涉及一种sic陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫。

技术介绍

1、生命的构造法则除了众所周知的基因法则外，还有许多已知和未知的数学物理法则，尤其是植物的宏观形态。研究表明，植物如花卉的形态及叶片的排列方式符合严格的数学法则，向日葵、松树塔、菠萝等的鳞片及籽粒的分布是按螺旋方式排列的，同样的一组分布图案，可以给它人为地划分成顺时针和逆时针的两组螺旋，称之为叶序排列，而所谓叶序是指植物叶片沿茎向生长方向的排列方式，大多数高等植物的叶子在茎向都是呈螺旋状排列的。如果以某一片叶子作为起点，沿着螺旋开始向上数叶片，将数到第一片在茎向与起始叶片重叠的叶片作为终点，记录起始叶片和终点叶片间的螺旋线绕茎的周数(即叶序周数)及叶片的总数。叶序排布所隐含的是生物通过进化获得了籽粒紧密的自分离排布、对光热辐射的最大吸收，使所有的籽粒尽可能得到更好的阳光照射，并且籽粒获得更多的生长的空间，使植物得到最佳的生长环境。

2、剪切增稠抛光液是一种含有一定比例磨粒的非牛顿流体，非牛顿流体是指不满足牛顿黏性实验定律的流体，即其剪切应变率与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，包括自下而上依次设置的附着部(140)、支撑部(130)和基材部(120)，所述基材部(120)上布满抛光孔(110)，其特征在于，所述基材部(120)上的抛光孔(110)按照向日葵籽粒结构的叶序形式排布。

2.根据权利要求1所述的一种SiC陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，其特征在于，所述基材部(120)上的抛光孔(110)的排布形式用以下方程表示：

3.根据权利要求2所述的一种SiC陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，其特征在于，所述n＝3；m＝6～10，m优选为7；α＝137.508；抛光孔(1...

【技术特征摘要】

1.一种sic陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，包括自下而上依次设置的附着部(140)、支撑部(130)和基材部(120)，所述基材部(120)上布满抛光孔(110)，其特征在于，所述基材部(120)上的抛光孔(110)按照向日葵籽粒结构的叶序形式排布。

2.根据权利要求1所述的一种sic陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，其特征在于，所述基材部(120)上的抛光孔(110)的排布形式用以下方程表示：

3.根据权利要求2所述的一种sic陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，其特征在于，所述n＝3；m＝6～10，m优选为7；α＝137.508；抛光孔(110)直径d＝7mm。

4.根据权利要求1所述的一种sic陶瓷平面非连续性剪切增稠研抛一体抛光垫，其特征在于，所述附着部(140)底部设置剥离纸(150)。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈菲，武霁旋，陈珍珍，张利，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：