具有选择性发射级太阳能电池片制造技术

一种具有选择性发射级太阳能电池片，它由硅片、金字塔绒面、电极槽、重掺杂层、轻掺杂层、减反射膜、背银电极、铝背场和栅银电极组成，电极槽开设在硅片的上表面，重掺杂层扩散在电极槽中，在硅片上表面的金字塔绒面上扩散有轻掺杂层，栅银电极印制在电极槽中的重掺杂层上，在轻掺杂层的上表面沉积有减反射膜，在硅片的下表面上分别印制有背银电极和铝背场。这种结构的太阳能电池具有选择性发射级，提高了电池片的转换效率，与现有同类产品相比，平均光电转化效率提高２％～３％，达到１８％以上，使光伏产业给社会带来更大的收益，它解决了晶体硅电池光电转化效率偏低的技术问题。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

具有选择性发射级太阳能电池片
本技术涉及晶体硅太阳能电池，尤其涉及具有选择性发射级太阳能电池片。
技术介绍
随着人们对再生绿色能源需求量的增长，晶体硅太阳能电池技术得到了快速发 展。现有的晶体硅太阳能电池片的结构如图1所示，它由硅片1、金字塔绒面2、、减反射膜 6、背银电极7、铝背场8、棚银电极9和均勻掺杂层10组成，均勻掺杂层10覆盖在硅片1的 上表面上，在均勻掺杂层10上沉积有减反射膜6，栅银电极9印刷在减反射膜6上，在硅片 1的下表面分别印制有背银电极7和铝背场8，这种结构的晶体硅太阳能电池片的光电转换 效率一般在16%左右。随着太阳能电池的广泛应用，人们对太阳能电池的转换效率提出更 高要求。因此，必须开发光电转换效率更高的晶体硅太阳能电池片。
技术实现思路
为了提高电池片的转换效率，本技术的目的是提供一种具有选择性发射级太 阳能电池片。本技术所述具有选择性发射级太阳能电池片，其特征是它由硅片、金字塔绒 面、电极槽、重掺杂层、轻掺杂层、减反射膜、背银电极、铝背场和栅银电极组成，在硅片的两 侧面均制有金字塔绒面，电极槽开设在硅片的上表面，重掺杂层扩散电极槽中，重掺杂层的 方块电阻小于30 Ω / □；在硅片上表面的金字塔绒面上扩散有轻掺杂层，轻掺杂层的方块 电阻大于100Ω/ □；栅银电极印制在电极槽中的重掺杂层上，在轻掺杂层的上表面沉积有 减反射膜，在硅片的下表面上分别印制有背银电极和铝背场，背银电极和铝背场都与金字 塔绒面粘连为一体。这种结构的太阳能电池，在电池片表面形成了选择性发射级，在电极槽接触的地 方形成良好的低欧姆接触，减小了接触电阻引起的损耗；而在非电极槽接触的地方形成了 高欧姆区，其目的是为了避免电池片表面形成死层，从而减少光生电子空穴对的复合损耗。 本技术能使晶体硅太阳能电池片具备选择性发射级，提高了电池片的转换效率，与现 有同类产品相比，平均光电转化效率提高2% -3%，达到18%以上，使光伏产业给社会带来 更大的收益，它解决了晶体硅电池光电传化效率偏低的技术问题。附图说明图1为现有晶体硅太阳能电池的结构示意图；图2为本技术的结构示意图；图3为本技术中硅片的结构示意图；图中1_硅片；2-金字塔绒面；3-电极槽；4-重掺杂层；5-轻掺杂层；6_减反射 膜；7-背银电极；8-铝背场；9-栅银电极；10-均勻掺杂层。具体实施方式下面以单晶硅太阳能电池片为例来说明本技术的具体实施方式。本技术所述具有选择性发射级太阳能电池片，如图2、图3所示，它由硅片1、 金字塔绒面2、电极槽3、重掺杂层4、轻掺杂层5、减反射膜6、背银电极7、铝背场8和栅银 电极9组成，在硅片1的两侧面均制有金字塔绒面2，电极槽3开设在硅片1的上表面，重掺 杂层4扩散在电极槽3中，重掺杂层4的方块电阻小于30 Ω / 口 ；在硅片1上表面的金字塔 绒面2上扩散有轻掺杂层5，轻掺杂层5的方块电阻大于100 Ω / 口 ；栅银电极9印制在电 极槽3中的重掺杂层4上，在轻掺杂层5的上表面沉积有减反射膜6，在硅片1的下表面上 分别印制有背银电极7和铝背场8，背银电极7和铝背场8都与金字塔绒面2粘连为一体。权利要求一种具有选择性发射级太阳能电池片，其特征是它由硅片(1)、金字塔绒面(2)、电极槽(3)、重掺杂层(4)、轻掺杂层(5)、减反射膜(6)、背银电极(7)、铝背场(8)和栅银电极(9)组成，在硅片(1)的两侧面均制有金字塔绒面(2)，电极槽(3)开设在硅片(1)的上表面，重掺杂层(4)扩散在电极槽(3)中，重掺杂层(4)的方块电阻小于30Ω/□；在硅片(1)上表面的金字塔绒面(2)上扩散有轻掺杂层(5)，轻掺杂层(5)的方块电阻大于100Ω/□；栅银电极(9)印制在电极槽(3)中的重掺杂层(4)上，在轻掺杂层(5)的上表面沉积有减反射膜(6)，在硅片(1)的下表面上分别印制有背银电极(7)和铝背场(8)，背银电极(7)和铝背场(8)都与金字塔绒面(2)粘连为一体。专利摘要一种具有选择性发射级太阳能电池片，它由硅片、金字塔绒面、电极槽、重掺杂层、轻掺杂层、减反射膜、背银电极、铝背场和栅银电极组成，电极槽开设在硅片的上表面，重掺杂层扩散在电极槽中，在硅片上表面的金字塔绒面上扩散有轻掺杂层，栅银电极印制在电极槽中的重掺杂层上，在轻掺杂层的上表面沉积有减反射膜，在硅片的下表面上分别印制有背银电极和铝背场。这种结构的太阳能电池具有选择性发射级，提高了电池片的转换效率，与现有同类产品相比，平均光电转化效率提高2％～3％，达到18％以上，使光伏产业给社会带来更大的收益，它解决了晶体硅电池光电转化效率偏低的技术问题。文档编号H01L31/0224GK201673918SQ20102019282公开日2010年12月15日 申请日期2010年5月18日 优先权日2010年5月18日专利技术者叶庆好, 孙剑波, 孙铁囤 申请人:常州亿晶光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有选择性发射级太阳能电池片，其特征是：它由硅片（１）、金字塔绒面（２）、电极槽（３）、重掺杂层（４）、轻掺杂层（５）、减反射膜（６）、背银电极（７）、铝背场（８）和栅银电极（９）组成，在硅片（１）的两侧面均制有金字塔绒面（２），电极槽（３）开设在硅片（１）的上表面，重掺杂层（４）扩散在电极槽（３）中，重掺杂层（４）的方块电阻小于３０Ω／□；在硅片（１）上表面的金字塔绒面（２）上扩散有轻掺杂层（５），轻掺杂层（５）的方块电阻大于１００Ω／□；栅银电极（９）印制在电极槽（３）中的重掺杂层（４）上，在轻掺杂层（５）的上表面沉积有减反射膜（６），在硅片（１）的下表面上分别印制有背银电极（７）和铝背场（８），背银电极（７）和铝背场（８）都与金字塔绒面（２）粘连为一体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙剑波，孙铁囤，叶庆好，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]