用于半导体器件高压测试装置的监控机构及测试方法制造方法及图纸

技术编号:40120129 阅读:18 留言:0更新日期:2024-01-23 20:31
本公开提供了一种用于半导体器件高压测试装置的监控机构及测试方法,其中监控机构包括传感组件及定位组件,传感组件用于持续监控半导体器件与探针组件之间是否出现打火情况;定位组件用于在半导体器件与探针组件之间出现打火情况时,定位打火位置在半导体器件中对应的裸片位置。通过本公开提供的技术方案,基于传感组件的设置,能够在对半导体器件进行高压测试的过程中持续监控可能出现的打火情况,并在测试晶圆图中实现对打火位置的定位,使得操作人员直观准确地获取高压测试中出现的打火情况,并能够为后续进一步分析打火出现原因以及工艺改进提供参考。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体器件相关,具体地说,涉及一种用于半导体器件高压测试装置的监控机构及测试方法


技术介绍

1、半导体器件的工作特点是电压高(一至三千伏甚至更高)、电流大(几十上百安培),通常需要对半导体器件进行高压测试,然而,半导体器件在高压测试过程中较易出现放电打火现象,导致半导体器件中的芯片出现损坏情况。


技术实现思路

1、针对现有技术中的问题,本公开的目的在于提供一种用于半导体器件高压测试装置的监控机构及测试方法,通过监控机构的设置对可能出现的打火情况进行持续性监控。

2、具体的,本公开的第一方面提供了一种用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其中:半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台以及用于对半导体器件进行高压测试的探针组件;

3、监控机构包括:

4、传感组件,用于持续监控半导体器件与探针组件之间是否出现打火情况;

5、定位组件,电连接传感组件,用于在半导体器件与探针组件之间出现打火情况时,定位打火位置在半导体器件中对应的裸片位置。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台以及用于对所述半导体器件进行高压测试的探针组件;

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述传感组件设置于所述半导体高压测试装置;以及

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述传感组件独立于所述半导体高压测试装置设置;以及

4.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述传感组件为光敏传感器;

5.根据权利要求1所述的用于半导...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台以及用于对所述半导体器件进行高压测试的探针组件;

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述传感组件设置于所述半导体高压测试装置;以及

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述传感组件独立于所述半导体高压测试装置设置;以及

4.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的监控机构,其特征在于,所述传感组件为光敏传感器;

5.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔鹏李圣子季鸣邓攀
申请(专利权)人:上海积塔半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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