【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆吸附方法及装置、晶圆研磨设备。
技术介绍
1、现有技术在对晶圆进行研磨时，利用抛头吸附结构吸附晶圆以便对晶圆进行研磨；在进行研磨之前，需要检测抛头吸附结构是否成功吸附了晶圆。现有检测方法是在抛头吸附结构旁边加装光反射传感器，当抛头吸附结构未成功吸附晶圆时，晶圆会掉到抛光盘上，照射在光反射传感器上的光强会发生变化，由此判断抛头吸附结构未成功吸附晶圆；若晶圆未掉落在抛光盘上，则不能检测抛头吸附结构是否成功吸附晶圆，而且抛头吸附结构自身无法判断是否成功吸附晶圆。
2、如果晶圆未吸附或者未完全吸附在抛头吸附结构上，抛头吸附结构由于无法感知而直接在抛盘上研磨，会导致空磨或者直接将晶圆磨碎，造成抛头磨损，研磨垫、吸附垫破损。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种晶圆吸附方法及装置、晶圆研磨设备，能够精确检测是否成功吸附晶圆，避免抛头磨损，研磨垫、吸附垫破损。
2、为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
3、一种晶圆吸附装置，包括：
4、用以吸附晶圆的吸附垫；
5、用以支撑所述吸附垫的吸附垫支撑盘，所述吸附垫支撑盘上设置有容置槽，所述容置槽内设置有压力传感器，所述压力传感器的压力感应端暴露于所述吸附垫支撑盘与所述吸附垫接触的下表面，且与所述吸附垫接触，在所述吸附垫吸附晶圆后，所述压力感应端通过所述吸附垫与所述晶圆间接接触；
6、控制单元，用以
7、一些实施例中，所述控制单元具体用于在所述压力传感器的响应时间小于预设的压力侦测完成时间且所述侦测压力值大于预设的压力临界值时，判断所述吸附垫吸附晶圆成功；在所述压力传感器的响应时间不小于预设的压力侦测完成时间或所述侦测压力值不大于预设的压力临界值时，判断晶圆碎片或吸附晶圆未成功。
8、一些实施例中，所述压力侦测完成时间不大于5s，所述压力临界值不小于9.5kpa。
9、一些实施例中，所述压力传感器包括：
10、固定在所述容置槽槽底的固定垫片；
11、弹性部件，所述弹性部件的一端固定在所述固定垫片上，另一端固定所述压力感应端。
12、一些实施例中，所述压力传感器还包括：
13、分隔所述压力感应端和所述弹性部件的挡环。
14、一些实施例中，还包括：
15、报警单元，用以在所述控制单元判断晶圆碎片或吸附晶圆未成功的情况下进行报警。
16、本专利技术实施例还提供了一种晶圆研磨设备，包括如上所述的晶圆吸附装置。
17、本专利技术实施例还提供了一种晶圆吸附方法，应用于如上所述的晶圆吸附装置，所述方法包括：
18、控制所述吸附垫真空吸附晶圆，所述压力感应端通过所述吸附垫与所述晶圆间接接触；
19、控制所述控制单元根据所述压力传感器的响应时间和侦测压力值判断吸附晶圆是否成功。
20、一些实施例中，控制所述控制单元根据所述压力传感器的响应时间和侦测压力值判断吸附晶圆是否成功包括：
21、所述控制单元在所述压力传感器的响应时间小于预设的压力侦测完成时间且所述侦测压力值大于预设的压力临界值时，判断所述吸附垫吸附晶圆成功；在所述压力传感器的响应时间不小于预设的压力侦测完成时间或所述侦测压力值不大于预设的压力临界值时，判断晶圆碎片或吸附晶圆未成功。
22、一些实施例中，所述方法还包括：
23、在所述控制单元判断晶圆碎片或吸附晶圆未成功的情况下，控制报警单元进行报警。
24、本专利技术的有益效果是：
25、本实施例中，在吸附垫支撑盘上增加压力传感器，在橡胶材质的吸附垫吸附晶圆后，吸附垫会被挤压向内凹陷，吸附垫内表面会将压力传感器的压力感应端顶起，从而能够根据压力传感器的响应时间和侦测压力值判断吸附晶圆是否成功，这样晶圆吸附装置增加了侦测是否成功吸附晶圆的功能，能够在对硅片进行研磨前，提前侦测晶圆吸附装置吸附晶圆是否成功，在吸附晶圆未成功时，将不会执行在抛盘上研磨的操作，能够避免空磨或者直接将晶圆磨碎，减少了产品碎片，还能够避免造成抛头磨损，研磨垫、吸附垫破损。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆吸附装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述压力侦测完成时间不大于5s，所述压力临界值不小于9.5Kpa。
4.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述压力传感器包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述压力传感器还包括：
6.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，还包括：
7.一种晶圆研磨设备，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的晶圆吸附装置。
8.一种晶圆吸附方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6中任一项所述的晶圆吸附装置，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆吸附方法，其特征在于，控制所述控制单元根据所述压力传感器的响应时间和侦测压力值判断吸附晶圆是否成功包括：
10.根据权利要求8所述的晶圆吸附方法，其特征在于，所述方法还包括：
【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述压力侦测完成时间不大于5s，所述压力临界值不小于9.5kpa。
4.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述压力传感器包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述压力传感器还包括：
6.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：巨文静，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。