【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气相沉积，尤其涉及一种静电吸附掩膜板、气相沉积设备及其使用方法。
技术介绍
1、气相沉积技术，包括热蒸镀真空气相沉积，磁控溅射，分子束沉积，化学气相沉积，原子层沉积等各种物理和化学气相沉积方法。在包括半导体及显示器制造等很多领域，我们希望在一定的衬底上气相沉积具有特定图案的薄膜。通常使用的增材气相沉积方法包括无掩模光刻和掩模板气相沉积等。掩模气相沉积方法是在对衬底进行气相沉积的过程中，以一个具有特定排列孔洞的薄膜或薄板遮挡在衬底的薄膜沉积表面，使被薄膜或薄板遮挡区域无法沉积薄膜，孔洞区域沉积薄膜。这个用来使衬底在薄膜沉积过程中区域选择性沉积薄膜的薄膜或薄板装置，一般被称为掩模板或掩膜版。
2、对于掩模图案非常小的精细掩模板，为了降低堵孔和阴影效应，掩模板的厚度要非常小，这造成掩模板在布置在气相沉积设备的上方时，掩模板在重力的作用下会产生一定的下垂，使得掩模板与衬底之间产生较大的间隙，这造成阴影效应的加剧，降低了薄膜沉积图案的质量。现有精细掩模为了减小掩模板的下垂，往往是使用强度非常高的材料制作掩模板，降低其在重力作用下的下垂，但这一方法的效果一般比较有限。
3、在对衬底进行物理和化学气相薄膜沉积过程中，气相材料对衬底表面的碰撞及化学反应会使衬底和掩模板升温。对于需要制作小于100μm甚至1μm量级及以下尺度精细图案的掩模板，热膨胀会使掩模板产生形变，降低薄膜图案的质量。
4、因此，高质量的精细掩模板需要解决以下几个问题：降低掩膜板的热膨胀变形；减小掩模板像素区的厚度和像素定义区的
5、如公开号为cn 113215529 a的专利公开了一种精密掩膜板，精密掩膜板包括掩膜板主体，掩膜板主体包括呈行列分布的多个蒸镀开口和围绕各蒸镀开口分布的遮掩区，在掩膜板主体的垂直于自身厚度方向的任意截面内，位于沿行方向，和/或沿列方向上相邻排布的蒸镀开口之间的遮掩区的最小距离至少包括第一最小距离h1和第二最小距离h2，h1≠h2，且沿掩膜板自身厚度方向上的各截面中，与第一最小距离h1与第二最小距离h2中较大者对应的截面的面积较大；其中，当行沿第一方向延伸时、列沿第二方向延伸，当行沿第二方向延伸时、列沿第一方向延伸，第一方向和第二方向相交。该精密掩膜板解决的是减少张网出现褶皱的风险，以提升蒸镀良率的技术问题，依然无法解决掩膜板下垂和蒸镀变形的技术问题。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种静电吸附掩膜板、气相沉积设备及其使用方法，其中的掩膜板结构简单，制作成本低，可通过静电吸附的作用贴紧衬底，可有效避免掩膜板的下垂，保证了衬底蒸镀的质量。
2、为实现上述目的，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：所述静电吸附掩膜板，包括复合膜层，所述复合膜层包括与衬底表面贴合的低热膨胀层及其表面的导电层，所述复合膜层的像素区上均布设置有像素开口。
3、所述低热膨胀层的线性热膨胀系数小于2×10-6/k，厚度为50-20000nm。
4、所述低热膨胀层由低热膨胀的玻璃材质或聚合物制备而成，所述聚合物包括低膨胀聚酰亚胺或低热膨胀聚芳酰胺。
5、所述导电层由金属导电材料或非金属导电材料制备而成，所述导电层的电导率≤10-4mω·cm，所述导电层的厚度为50-2000nm。
6、所述导电层远离所述低热膨胀层的一侧与承载架相连，所述承载架上设置有与所述像素区相对的避让开口。
7、所述承载架包括支撑框架和环形石英片，所述支撑框架与环形石英片的一侧胶粘相连，所述环形石英片的另一侧与所述导电层的外周胶粘相连。
8、所述避让开口包括所述环形石英片中心处设置的避让孔ⅰ和所述支撑框架中心处设置的避让孔ⅱ，所述避让孔ⅰ和所述避让孔ⅱ的孔径均大于所述像素区的直径。
9、一种气相沉积设备，包括反应室，所述反应室内定位设置所述静电吸附掩膜板，所述反应室的上部和下部分别设置有伸入其中的承载台和反应源，所述承载台上安装有静电吸盘，所述静电吸盘下方吸附有衬底，所述衬底与所述静电吸附掩膜板贴合相连。
10、一种所述的气相沉积设备的使用方法，包括以下步骤：
11、步骤1：将衬底放置在所述静电吸附掩膜板上，使衬底所要沉积的一侧对准所述静电吸附掩膜板的像素开口；
12、步骤2：将所述静电吸附掩膜板和衬底静电贴附在静电吸盘上；
13、步骤3：将所述静电吸附掩膜板定位固定；
14、步骤4：反应源向反应室内输入气源，使衬底表面完成气相沉积。
15、本专利技术的有益效果是：
16、本专利技术通过在低热膨胀系数的低热膨胀层上设置导电层，制造出复合膜层，在此复合膜层上制作出一定形状排列的像素开口的图案阵列，成为气相沉积精细掩模板，此掩模板在工作过程中，通过静电吸盘可使掩膜板通过静电吸附的作用贴紧衬底，可有效避免掩膜板的下垂，而且在蒸镀的过程中，上述掩膜板变形较小，均保证了衬底蒸镀的质量。
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1.一种静电吸附掩膜板，其特征在于，包括复合膜层，所述复合膜层包括与衬底表面贴合的低热膨胀层及其表面的导电层，所述复合膜层的像素区上均布设置有像素开口。
2.根据权利要求1所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述低热膨胀层的线性热膨胀系数小于2×10-6/K，厚度为50-20000nm。
3.根据权利要求2所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述低热膨胀层由低热膨胀的玻璃材质或聚合物制备而成，所述聚合物包括低膨胀聚酰亚胺或低热膨胀聚芳酰胺。
4.根据权利要求1所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述导电层由金属导电材料或非金属导电材料制备而成，所述导电层的电导率≤10-4mΩ·cm，所述导电层的厚度为50-2000nm。
5.根据权利要求1所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述导电层远离所述低热膨胀层的一侧与承载架相连，所述承载架上设置有与所述像素区相对的避让开口。
6.根据权利要求5所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述承载架包括支撑框架和环形石英片，所述支撑框架与环形石英片的一侧胶粘相连，所述环形石英片的另一侧与所述导电层
7.根据权利要求6所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述避让开口包括所述环形石英片中心处设置的避让孔Ⅰ和所述支撑框架中心处设置的避让孔Ⅱ，所述避让孔Ⅰ和所述避让孔Ⅱ的孔径均大于所述像素区的直径。
8.一种气相沉积设备，其特征在于，包括反应室，所述反应室内定位设置如权利要求1～7任意一项所述的静电吸附掩膜板，所述反应室的上部和下部分别设置有伸入其中的承载台和反应源，所述承载台上安装有静电吸盘，所述静电吸盘下方吸附有衬底，所述衬底与所述静电吸附掩膜板贴合相连。
9.一种如权利要求8所述的气相沉积设备的使用方法，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种静电吸附掩膜板，其特征在于，包括复合膜层，所述复合膜层包括与衬底表面贴合的低热膨胀层及其表面的导电层，所述复合膜层的像素区上均布设置有像素开口。
2.根据权利要求1所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述低热膨胀层的线性热膨胀系数小于2×10-6/k，厚度为50-20000nm。
3.根据权利要求2所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述低热膨胀层由低热膨胀的玻璃材质或聚合物制备而成，所述聚合物包括低膨胀聚酰亚胺或低热膨胀聚芳酰胺。
4.根据权利要求1所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述导电层由金属导电材料或非金属导电材料制备而成，所述导电层的电导率≤10-4mω·cm，所述导电层的厚度为50-2000nm。
5.根据权利要求1所述的静电吸附掩膜板，其特征在于：所述导电层远离所述低热膨胀层的一侧与承载架相连，所述承载架上设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘成元，李雪原，李维维，李文连，周浪，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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