【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置及其制造方法，并且具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体装置包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mos-fet)构成的集成电路。为了满足对具有小图案尺寸和减小设计规则的半导体装置的日益增长的需求，正在积极地按比例缩小mos-fet。mos-fet的按比例缩小会使半导体装置的操作性质劣化。为了克服与半导体装置的按比例缩小相关的技术限制并实现具有高性能的半导体装置，正在开展各种研究。
技术实现思路
1、专利技术构思的实施例提供了具有改善的可靠性和电特性的半导体装置。
2、专利技术构思的实施例提供了制造具有改善的可靠性和电特性的半导体装置的方法。
3、根据专利技术构思的实施例，一种半导体装置可以包括：基底，设置有有源图案；沟道图案，在有源图案上，沟道图案包括半导体图案，半导体图案竖直堆叠以彼此间隔开；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上，栅电极包括置于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一部分，第一半导体图案和第二半导体图案是半导体图案中的两个相邻半导体图案；以及栅极绝缘层，置于第一半导体图案和第二半导体图案中的每个与栅电极的第一部分之间。第二半导体图案可以位于比第一半导体图案高的位置。第一半导体图案可以包括具有第一沟道凹部的上表面，第一沟道凹部具有第一深度，并且第二半导体图案可以包括具有第二沟道凹部的下表面，第二沟道凹部具有第二深度，第二深度小于第一深度。
4、根据专利技
5、根据专利技术构思的实施例，一种半导体装置可以包括：基底，包括有源区域；器件隔离层，在有源区域上限定有源图案；沟道图案和源极/漏极图案，在有源图案上，沟道图案包括半导体图案，半导体图案竖直堆叠以彼此间隔开；栅电极，在半导体图案上，栅电极包括分别置于半导体图案之中的两个相邻半导体图案之间的部分；栅极绝缘层，包围栅电极的所述部分中的每个部分；栅极间隔件，在栅电极的侧表面上；栅极覆盖图案，在栅电极的顶表面上；层间绝缘层，在栅极覆盖图案上；有源接触件，贯穿层间绝缘层并且电连接到源极/漏极图案；金属-半导体化合物层，置于有源接触件与源极/漏极图案之间；栅极接触件，贯穿层间绝缘层和栅极覆盖图案并电连接到栅电极；第一金属层，在层间绝缘层上，第一金属层包括电源线和第一互连线，电源线和第一互连线分别电连接到有源接触件和栅极接触件；以及第二金属层，在第一金属层上。第二金属层可以包括第二互连线，第二互连线电连接到第一金属层。半导体图案可以分别包括沟道凹部。沟道凹部的深度随着距离在竖直方向上从半导体图案之中的最下面的半导体图案朝向半导体图案之中的最上面的半导体图案增加而减小。
6、根据专利技术构思的实施例，一种制造半导体装置的方法可以包括：在基底上形成堆叠图案，堆叠图案包括交替堆叠的有源层和牺牲层；在堆叠图案上形成在第一方向上延伸的牺牲图案；通过使用牺牲图案作为蚀刻掩模来蚀刻堆叠图案而在堆叠图案中形成凹部，有源层包括被凹部暴露的至少一个半导体图案；执行选择性外延生长工艺以形成填充凹部的源极/漏极图案，在选择性外延生长工艺中，被凹部暴露的半导体图案用作种子层；去除牺牲图案和牺牲层以暴露半导体图案；对被暴露的半导体图案执行氧化工艺以分别在半导体图案的下表面和上表面处形成第一氧化物图案和第二氧化物图案；选择性地去除第一氧化物图案和第二氧化物图案以分别在半导体图案的下表面和上表面处形成第一沟道凹部和第二沟道凹部；以及顺序地形成栅极绝缘层和栅电极以包围半导体图案。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道凹部和所述第二沟道凹部被所述栅极绝缘层覆盖。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极的所述第一部分设置在所述第一沟道凹部与所述第二沟道凹部之间，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道凹部具有第一凹部宽度，并且
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极还包括置于所述有源图案与所述第一半导体图案之间的第二部分，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极图案包括第一突出部和第二突出部，所述第一突出部朝向所述栅电极的所述第一部分的侧表面突出，所述第二突出部朝向所述栅电极的所述第二部分的侧表面突出，并且
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极在第一方向上延伸，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案中的每个具有哑铃形状，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极的所述第一部分具有沙漏形状，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：凹陷防止层，覆盖所述有源图案的顶表面，
11.一种半导体装置，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一半导体图案包括与所述下部相邻的第一沟道凹部，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述下部上的所述栅极绝缘层覆盖所述第一沟道凹部，并且
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述上部的最大宽度小于所述下部的最大宽度。
15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案中的每个具有哑铃形状，
16.一种半导体装置，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述沟道凹部的凹部宽度随着所述距离在所述竖直方向上增加而减小。
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述栅电极的所述部分的体积随着所述距离在所述竖直方向上增加而减小。
19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述半导体图案的最小厚度随着所述距离在所述竖直方向上增加而增加。
20.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述栅电极的所述部分中的每个部分具有沙漏形状，并且
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道凹部和所述第二沟道凹部被所述栅极绝缘层覆盖。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极的所述第一部分设置在所述第一沟道凹部与所述第二沟道凹部之间，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道凹部具有第一凹部宽度，并且
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极还包括置于所述有源图案与所述第一半导体图案之间的第二部分，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极图案包括第一突出部和第二突出部，所述第一突出部朝向所述栅电极的所述第一部分的侧表面突出，所述第二突出部朝向所述栅电极的所述第二部分的侧表面突出，并且
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极在第一方向上延伸，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案中的每个具有哑铃形状，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极的所述第一部分具有沙漏形状，并且
10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：边晓训，林圣根，曺裕英，赵真英，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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