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公开了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，沟道图案包括多个竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上，栅电极包括置于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一部分，第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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